软件工程专业毕业论文峰值电流控制pwm升压开关电源ic设计

1、软件工程专业毕业论文 精品论文 峰值电流控制PWM升压开关电源IC设计关键词：峰值电流 电流控制 升压开关 开关电源 误差放大器 芯片设计 转换效率摘要：本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升

2、压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低

3、了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌

4、落量为0.8，恢复时间仅为125s。正文内容 本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了

5、影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制

6、PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电

7、源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系

8、统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电

9、流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要

10、求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开

11、关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满

12、足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真

13、验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要

14、外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPIC

15、E仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯

16、片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的

17、效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到

18、250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详

19、细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰

20、值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效

21、率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电

22、源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功

23、能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足

24、各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2M

25、HZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模

26、式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯

27、片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄LCD面板的要求。内置的高效MOSFET和IC的数字软启动功能减

28、少了所需要外部元件的数量。利用外部电阻分压网络，输出可以设定在Vin到13V。利用内部自带的脉冲屏蔽模式操作提高了轻负载条件下的效率，从而进一步降低了功耗。典型工作电路工作在低至1.8V的输入电压，能够输出可达300mA的电流。 本文设计了一款峰值电流控制PWM升压开关电源控制芯片，该芯片采用0.8m CMOS工艺实现，集成有高精度基准电压源、振荡器、斜坡补偿功能电路、电流采样电路、误差放大器、数字软启动、PWM逻辑等电路模块。基于该控制芯片搭建的开关电源可以工作在不同的导电模式下，以满足开关电源应用的要求。同时该开关电源具有输出电压纹波小，转换效率高，良好的瞬态响应性能和负载调整能力等特点。

29、HSPICE仿真结果表明：在芯片典型应用条件下，其输出电压纹波小于±1，转换效率超过85；当负载电流从100mA跃变到250mA，其动态跌落量为0.8，恢复时间仅为125s。本文分析、设计了一种升压式DC-DC开关电源芯片，它具有转换效率较高、电源工作电压范围比较宽、集成度较高等优点。高集成度、最简片外电路、高效率和低电压是开关电源的发展方向。为了满足各项指标要求，本论文对芯片主电路、控制电路分别进行分析设计，进而确定各个子模块参数并分别对子模块进行设计，最后对整个芯片进行仿真验证。 本文对升压式电源变换器进行全面分析，对电感电流连续与断续两种状态详细分析。又通过对控制系统的分析设计，确定本芯片为峰值电流控制的升压式DC-DC芯片。然后根据所有确定的条件对整个芯片系统进行小信号模型建模，得到系统传递函数，更详细地分析了影响控制系统的各种因素，从而对系统稳定性、相应速度等方面进行更好的设计。 本文对峰值电流控制PWM升压开关电源电路和系统特性进行了详细地分析，采用了电流反馈模式、固定频率、脉宽调制PWM架构，以获得快瞬态响应和低噪声。1.2MHZ的高开关频率允许使用扁平电感和陶瓷电容，以满足超薄L