电磁场理论习题资料

1、1.1. 两导体间白电容与 有关田 A.导体间的位置 B.导体上的电量C.导体间的电压 D D.导体间的电场强度1.2. 下面关于静电场中的导体的描述不正确的是：A.导体处于非平衡状态。B.导体内部电场处处为零。C C.电荷分布在导体内部。D D.导体表面的电场垂直于导体表面1.3. 在不同介质的分界面上，电位是 一。A A.不连续白B.连续的C.不确定白 D.等于零1.4. 静电场的源是A A.静止的电荷r B.电流 C.时变的电荷D.磁荷1.5. 静电场的旋度等于。A A.电荷密度B.电荷密度与介电常数之比C C.电位 D.零1.6. 在理想导体表面上电场强度的切向分量A A.不连续白r

2、B.连续的C C.不确定白D D.等于零S - =1.7. 静电场中的电场储能密度为 f 2s1.8. 自由空间中静电场通过任一闭合曲面的总通量，等于A.整个空间的总电荷量与自由空间介电常数之比府B.该闭合曲面内所包围的总电荷量与自由空间介电常数之比。0C.该闭合曲面内所包围的总电荷量与自由空间相对介电常数之比。rD.该闭合曲面内所包围的总电荷量。1.9. 虚位移法求解静电力的原理依据是G A.高斯定律B.库仑定律C.能量守恒定律D D.静电场的边界条件1.10. 静电场中的介质产生极化现象，介质内电场与外加电场相比，有何变化？CCCCA.变大 B.变小 C.不变 D.不确定2.1. 恒定电场

3、中，电流密度的散度在源外区域中等于 A.电荷密度B.零0C.电荷密度与介电常数之比 D.电位2.2. 恒定电场中的电流连续性方程反映了A A.电荷守恒定律B B.欧姆定律C C.基尔霍夫电压定律D.焦耳定律2.3. 恒定电场的源是A A.静止的电荷B B.恒定电流C.时变的电荷r D.时变电流2.4. 根据恒定电场与无源区静电场的比拟关系，导体系统的电导可直接由静电场中导体系统的A.电量 B.电位差C.电感D.电容2.5. 恒定电场中，流入或流出闭合面的总电流等于 A.闭合面包围的总电荷量 B.闭合面包围的总电荷量与介电常数之比C.零 D.总电荷量随时间的变化率2.6. 恒定电场是A.有旋度B

4、 B.时变场C C.非保守场D D.无旋场2.7. 在恒定电场中，分界面两边电流密度矢量的法向方向是A.不连续白B B.连续的C C.不确定白D.等于零2.8. 导电媒质中的功率损耗 & =0*"反映了电路中的 A.电荷守恒定律B.欧姆定律C C.基尔霍夫电压定律 D D.基尔霍夫电压定律2.9. 下面关于电流密度的描述正确的是A.电流密度的大小为单位时间垂直穿过单位面积的电荷量，方向为正电荷运动的方向。B.电流密度的大小为单位时间穿过单位面积的电荷量，方向为正电荷运动的方向。C.电流密度的大小为单位时间垂直穿过单位面积的电荷量，方向为负电荷运动的方向。D.流密度的大小为单位

5、时间通过任一横截面的电荷量。2.10. 仃月反映了电路中的0A.基尔霍夫电流定律 B B.欧姆定律C.基尔霍夫电压定律rD.焦耳定律3.1. 磁感应强度和矢量磁位的关系是 a a. B 'A-Br b. 7x5 = c. Vxj4= D D d.乂彳二一月3.2. 在不同介质分界面上磁场强度的法向分量是 A.不连续白B B.连续的C C.不确定白D D.等于零3.3. 恒定磁场的散度等于A.磁荷密度B B.荷密度与磁导率之比 C C.矢量磁位D.零3.4. 下面关于磁偶极子的描述不正确的是：A.磁感应强度具有轴对称性B.磁感应强度与成反比C.磁力线闭合r D.磁感应弓II度与r成正比3

6、.5. 对均匀线性各向同性的介质，介质中的恒定磁场方程为8. = 了。 C. 方="/ D.03.6. 在不同介质的分界面上磁感应强度的法向分量是A.不连续白BB.连续的C.不确定白D D D.等于零3.7. 自由空间中磁感应强度沿任意闭和路径l的线积分，等于a.穿过路径i所围面积的总电流。B B.穿过路径l所围面积的总电流与的乘积。C C.穿过路径l所围面积的总电流与的乘积。r d.穿过路径i所围面积的总电流与的乘积。3.8. 恒定磁场在自由空间中是 A.有散无旋场B B.无旋无散场C C.有旋无散场D D.有旋有散场3.9. 虚位移法求解磁场力的原理依据是 A A.安培环路定律B

7、 B.能量守恒定律C.毕奥-沙伐定律 D.恒定磁场的边界条件3.10. 恒定磁场中的介质产生磁化现象，介质内磁场与外加磁场相比，有何变化？A.变大B.变小C.不变D.变大或变小4.1. 在无限大接地导体平面上方有一点电荷，利用点电荷和镜像电荷可以求得 区域的场强和电位。A A.平面下方B B.整个空间C.需要根据其他条件进一步确定。D D.平面上方。4.2. 对接地导体圆柱而言，圆柱外线电荷的镜像导线A.和原导线的线电荷密度等值异号，位于导体圆柱外。B.和原导线的线电荷密度等值同号，位于导体圆柱内。C.和原导线的线电荷密度等值同号，位于导体圆柱外。D.和原导线的线电荷密度等值异号，位于导体圆柱

8、内。4.3. 离地面很近且与地面平行放置的小天线，与自由空间放置的相同天线相比，其辐射功率应该A A.增强r B.减弱C C.不变r D.不确定4.4. 无源区域的泊松方程即 A.电流连续性方程 B.拉普拉斯方程C.电场的旋度方程D.磁场的旋度方程4.5. 在无限大接地导体平面（YOZ平面）上方有一点电荷q,距离导体平面的高度为ho其静像电荷A A.在无限大接地导体平面（YOZ平面）上方2h处，电量为q。B B.在无限大接地导体平面（YOZ平面）下方h处，电量为-q。C C.在无限大接地导体平面（YOZ平面）上方h处，电量为2q。D D.在无限大接地导体平面（YOZ平面）下方2h处，电量为q。

9、4.6. 一点电荷位于夹角为 60度的两个相交接地平面之间，其镜像电荷有一个C C C CA. 2 B. 4 C. 5 D. 64.7. 对接地导体球而言，球外点电荷的镜像电荷 A A.位于导体球内，和原电荷、球心不在同一条直线上。B B.位于导体球外，和原电荷、球心位于同一条直线上。C C.位于导体球内，和原电荷、球心位于同一条直线上。D D.位于导体球外，和原电荷、球心不在同一条直线上。4.8. 离地面很近且与地面垂直放置的小天线，与自由空间放置的相同天线相比，其辐射功率应该 A.增强 B.减弱。C.不变D D.不确定4.9. 电位唯一性定理的含义是 A.即满足拉普拉斯方程或泊松方程，又满

10、足边界条件的电位是唯一的。B.满足边界条件的电位是唯一的。C.满足拉普拉斯方程的电位是唯一的。D.满足泊松方程的电位是唯一的。4.10. 在无限大介质平面上方有一点电荷，若求介质平面下方区域的场，其镜像电荷A.在介质平面上方h处。 B.在介质平面上方2h处。C C.在介质平面下方2h处。D D.在介质平面下方h处。5.1. 关于麦克斯韦方程的描述错误的一项是：A.适合任何介质B.静态场方程是麦克斯韦方程的特例C.麦克斯韦方程中的安培环路定律与静态场中的安培环路定律相同D.只有代入本构方程，麦克斯韦方程才能求解5.2. 时变电场是 ,静电场是 。A A.有旋场；有旋场 B.有旋场；无旋场C.无旋

11、场；无旋场D.无旋场；有旋场5.3. 根据亥姆霍兹定理，一个矢量位由它的 唯一确定。A A.旋度和散度r B.旋度和梯度C C.梯度和散度D D.旋度5.4. 在分界面上磁感应强度的法向分量总是 A.不连续白B B.连续的C C.不确定白D D.等于零5.5. 选出错误的描述：A.空间任意一点的能流密度由该点处的电场强度和磁场强度确定B.若分界面上没有自由电荷，则电位移矢量的法向分量是连续的C.在分界面上磁感应强度的法向分量是不连续的D.理想导体内部不存在时变的电磁场5.6. 下面关于复数形式的麦克斯韦方程的描述，有错误的是：r A.电场强度的旋度不等于零。B.电位移矢量的散度不等于零。C.磁

12、场强度的旋度不等于零。0D.磁感应强度的散度不等于零。5.7. 在分界面上电场强度的切向分量总是一A.不连续白B B.连续的C C.不确定白D D.等于零5.8. 平行板电容器之间的电流属于 A.传导电流B.位移电流C.运流电流D.线电流5.9. 在理想导体表面上，电场强度的 分量为零，磁感应强度的 分量为零。A.切向；法向B.法向；切向C.法向；法向D.切向；切向5.10. 时变电磁场的波动性是指：A.时变的电场和磁场互相激励，彼此为源，由近及远向外传播。B.电场以电荷为源，由近及远向外传播。C.磁场以电流为源，由近及远向外传播。D.电场和磁场的源互相独立，互不相干。6.1. 下面关于电磁波

13、的分类描述正确的是：A A. TEM波：电场和磁场分量均分布在与传播方向平行的横平面内B B. TE波：磁场分量仅分布在与传播方向垂直的横平面内C C. TM波：电场分量仅分布在与传播方向垂直的横平面内。D D. EH或HE波：在传播方向上即有电场分量，又有磁场分量。6.2. 关于良导体中平面波，下列描述错误的是：A.是 TEMa；B B.是衰减波。频率越高，电导率越大，衰减越快。C C.电场强度、磁场强度和传播方向两两垂直，且满足右手定则。D.磁场能量密度小于电场能量密度。6.3. 向波的传播方向观察，场的旋转方向为逆时针，则为 极化，若向波的传播方向观察，场的旋转方向为顺时针，则为 极化。

14、A.左旋；右旋B.左旋；椭圆C.右旋；左旋D.椭圆；右旋6.4. 下面对于趋肤效应的说法错误的是：A A.趋肤深度是指波进入到导体内，幅度衰减为导体表面幅度的1/e处的深度B.媒质导电性越好，波在媒质中的衰减越慢。C C.频率越高，趋肤深度越小。D.媒质导电性越好，趋肤深度越小。6.5. 当电场的水平分量与垂直分量相差 时，是线极化波；当分量的振幅相等但相位差 为圆极化；当两 分量的振巾I和相位 时，为椭圆极化。A A. 90度或270度；相同或相差180度；任意B.任意；90度或270度；相同或相差180度C.相同或相差180度；90度或270度；任意D.相同或相差180度；90度；180度

15、6.6. 以下关于均匀平面波的描述错误的是：A A.电场和磁场的振幅沿着传播方向变化B B.电场和磁场的方向和振幅保持不变C C.电场和磁场在空间相互垂直且与电磁波传播方向成右手螺旋关系D.均匀平面波是TEM波6.7. 对同样体积的导体块，其直流电阻和交流电阻的关系是：A.直流电阻大于交流电阻。 B.直流电阻小于交流电阻。C.直流电阻等于交流电阻。D.不确定。6.8. 下面关于全反射的描述不正确的是：A A.全反射时，反射系数为复数，但其模值为1。B.当入射角大于临界角时，发生全反射现象。C C.全反射时，介质2中存在表面波。D D.光从光疏媒质进入光密媒质时，可能产生全反射现象。6.9. 下

16、面的说法不正确的是：A.相速是指信号恒定相位点的移动速度B.在导电媒质中，相速与频率有关r c.相速代表信号的能量传播的速度D.群速是指信号包络上恒定相位点的移动速度6.10. 关于理想导体表面上的垂直入射，下列描述不正确的是：A A.在理想导体表面上，垂直入射波发生全反射现象。B.合成波的电场和磁场均为驻波。CC.分界面上有表面电流存在。D.合成波的相位沿传播方向是连续变化的。窗体底端7.1. TEM波能够在 中存在a.矩形波导b.同轴线c.圆波导D d.光纤7.2. 在矩形波导中，*II式越高，即 m和n越大，相应的截止频率 ,截止波长 A A.越大越小B B.越小越大C C.越大越大D

17、D.越小越小7.3. 矩形波导中波导波长 工作波长A.大于r B.小于0C.大于等于 D.不确定7.4. 同轴线中的主模是A A.B. CEM C C.弭D. TEn7.5. 阶跃光纤的单模传输条件是 A A. V>2.405B. 0< V <2.405 C. 2.405< V <5.520D. 3.832< V <5.5207.6. 圆柱形波导中的主模是 A A.B.珥1C.阳。D. 7%7.7. 矩形波导（a>zb）中的 模式衰减最小A a. 7%1r b.c.d.7.8. 矩形波导尺寸为a=6mm,b=2mm,则其单模传输条件为8.3.电偶

18、极子的方向性系数等于A. 6mm< 入 <12mmB. 2mm< 入 <6mmC. 6mm< 入<8mmD. 2mm<入 <4mm7.9. 矩形波导中某个模式的传输条件为 A A.工作波长大于截止波长B B.工作波长小于截止波长C C.工作波长等于截止波长D D.工作频率小于截止频率7.10. 波导中的主模是 的模式。rA.截止频率最大；B.波导波长最大；C C.截止波长最大；D D.截止波长最小8.1. 电偶极子的方向性因子为 r c c CA. sin 0 B. cos 0 C. tg 0 D. sin2 08.2. 动态矢量位 R的源是，动

19、态标量位0的源是，在时变场中，二者是相互联系的。A. 了。B.后 BC. DJC D. J HA. 1B. 15C. 3D. 258.5.下面关于电与磁对偶性的描述不正确的是：A.麦克斯韦方程组的对称性 rB.位函数的对称性C C.电场强度和磁场强度的对称性 D D.电流线密度与磁荷密度的对称性8.10.关于电偶极子的近区场的特性描述不正确的是 A A.是感应场B.是TM波C.场量与r成正比 D.场量与 J或/成反比9.1. 一个矢量场由它的 和边界条件唯一确定。A A.梯度和旋度r B.散度和梯度C C.散度和旋度D D.旋度9.2. 亥姆霍兹定理的含义是 A. 一个矢量场可以由它的散度、旋

20、度及边界条件唯一地确定。B B. 一个矢量场可以由它的散度唯一地确定。C C. 一个矢量场可以由它的旋度唯一地确定。C D. 一个矢量场可以由它的散度及边界条件唯一地确定。9.3. 标量场u(r)的梯度方向是 A. u增加最快的方向 B. u减小最快的方向C. u不变的方向D D.不确定9.4. 矢量场在闭合路径/的环流定义为 C |A广xN/r1俨示/|c拉1r |D伊"9.5. 矢量场乂在闭合面S的通量定义为 (MtD. 19.6. 散度定理白含义是 B.r |cf点小诙。9.7.斯托克斯定理的含义是11厘=付'湎 Adr = fAdSA. Jr Jj B. Jt Ji=付为S= VX祯C. D' D.Jj9.8. 任一矢量的旋度的散度A.恒小于零0B.恒为零C.不确定r D.恒大于零9.9. 矢量场的散度是A.矢量r B.标量C C.不确定D D.常数9.10. 标量场u?中，梯度的定义为10.1.静电场中的电场储能密度为10.2. 两导体间的电容与 有关A.导体间的位置B B.导体上的电量C.导体间的电压 D D.导体间的电场强度10.