中职电子线路习题库答案

1、 电子技术基础与实训课程考试答卷一. 填空题(请将正确的答案填写在试题相应的位置上。)1. 内存储器、高速缓冲存储器、CPU、内、主板、高速缓冲、存取速度2. 逐次逼近、转换速度3. 。4. "1"、"0"5. 。6. 的两个输入端连在一起、保持、翻转7. 时钟脉冲控制、同、异、异、时钟脉冲控制、同一时刻8. 分频、控制、测量、三、6、29. 数码、移位、双向、4、810. 空翻、钟控RS、电平11. TTL、左移和右移、保持数据、清除数据12. 二进、组合、编码、二进、十进、译码、集成、数值比较13. 随机存取、可编程逻辑、只读存储器ROM、随机存取存

2、储器RAM14. "1"、"0"15. 回差、整形、变换、单、单、暂稳、稳、单稳、稳、暂稳、稳16. 分辨率、绝对精度、非线性度、建立时间等、相对精度、分辨率、转换速度等17. 参考电压、译码电路、电子开关、运算放大器18. R-2R T型电阻、R-2R倒T型电阻、权电阻、CMOS、双极型19. 四舍五入、舍尾取整法20. 采样、采样、保持、量化、编码21. 半个周期22. 寄存、触发、触发、寄存、触发23. 进位制、数、按位权展开求和24. 桥式整流、单相半波整流、25. 结构简单、使用的元器件少、效率低、输出脉动大、交流成分低26. 交流成分、电抗元

3、件、输出直流电、电容、电感、RC型、LC型27. 并联、小功率、串联、大功率28. 。29. 电网电压波动、负载、输出电压30. 串联型稳压电路、并联型稳压电路31. 简单、少、不需要调节、比较小32. 1、置0、置133. 基数、位权、基、位权34. 倒T、R、2R、权电阻、高速电子开关、转换速度35. 二进、二进制、三位、四位36. 8、4、2、1、二进制、0937. 原码、反码、补码、补码38. 分配、结合、交换、反演、非非39. 开关、双极、单极、双极、单极40. 图腾、高电平"1"、低电平"0"、"1"、"0&qu

4、ot;、高阻41. TTL、CMOS、CMOS42. PMOS、NMOS、输入、输出、控制43. "与"、悬空、"或"、低、高、低、悬空44. 小、高、好、三端集成稳压器、输入端、输出端、公共端、正电压、负电压45. 预置、清零46. 双积分、逐次逼近47. 数据选择、多路48. 边沿、主从型JK、维持阻塞D49. 置0、置1、保持、翻转、1、150. T、翻转51. 二进制、二进制、二进制、同步、异步、加减、加、减、可逆52. 十进制、四、842153. 莫尔、米莱54. 三态、OC55. 无效、有效循环体、无效、自启动56. "1"

5、;、"0"57. 输入缓冲、与阵列、或阵列、输出缓冲、PLA、PAL、GAL58. 简单型、复杂型、寄存器型59. 可编程、固定、可编程、可编程、可编程、固定60. EPROM、浮置栅61. 整形、稳态、变换、整形62. 正反馈、稳定、暂稳态、充放电63. 延时、定时、稳态、单稳态电路内部定时元件R和C64. 滞回、强65. 五、自由电子、空穴、正、三、空穴、自由电子、负66. 驱动、输出、次态、异、时钟脉冲67. 单门限比较器、滞回比较器、方波68. CMOS、8、逐次比较、CMOS、869. R×1K、阴、阳、击穿、绝缘老化不通70. 栅71. 大、高、可调7

6、2. 电角度、触发延迟角、移相范围、导通角，073. 错74. 静、动、动、直流、交流、大、小75. 窄、越窄76. 并、并、并77. 同相输入、反相输入、微分78. 越好、大于、放电=RLC（35）T/279. 滞回80. 基本不变、约减小一半81. 线性应用、非线性应用、线性、非线性82. 250mV、50mV83. 截止区、截止区、放大区、半个、截止区边缘、多半个84. NPN、PNP、使两个射极输出器相同、无输出变压器、无输出电容器85. 电感、电容86. 5V、1.5A87. 最小项、相邻、最小项、一位变量88. 相等、虚短、等于零、虚断89. 取样环节、基准电压环节、比较放大环节、

7、调整环节90. 功能真值表、逻辑函数式、状态转换图、时序波形图91. 发射 、基、集电、发射、集电、发射、基、集电92. 正反馈和负反馈、电压反馈和电流反馈、串联反馈和并联反馈、直流反馈和交流反馈93. 稳定放大器放大倍数、减小非线性失真、展宽通频带94. 虚短、虚断95. 放大、极限、输出电压、输出电流96. 推动负载工作97. 电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路98. 稳定输出电压99. 整流、单相半波整流电路、单相全波整流电路、单相桥式整流电路100. 同相、反相、同相、反相、双端101. 模拟、数字102. 高、低103. 逻辑、逻辑、逻辑、与逻辑、或逻辑、非逻辑104. 842

8、1、2421、余3、格雷105. 除2取余、乘2取整106. 门电路、与门、或门107. 异或、同或108. 或非、有1出1，全0出0、与非109. 清零、置1、保持、为低电平110. 单向导电性、大小和方向、单向脉动、整流二极管、晶闸管111. 微弱的信号放大、幅值由小增大、实现能量的控制、变化量112. 或项、与项113. 硅稳压管稳压电路、串联型稳压电路、集成稳压电路114. 场效应（MOS）、N、P115. 可控硅、控制其导通与截止、弱电流、强电流、单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、快速晶闸管116. 三个、阳极、阴极、控制极117. 共发射极、共集电极、共基极118. 发射、集电1

9、19. 发射、集电120. 放大电路、负反馈网络电路121. 几十至几千欧、负反馈、负反馈、并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容CE122. 太低、太高123. 电压放大电路、功率放大电路124. 具有电压放大倍数、增大而减小、反向125. 直流、交流126. 射极输出器（射极跟随器）、电压放大倍数小于1、同向、高、低、输入级、输出级、中间隔离级127. 输入级、中间级、输出级、耦合方式、阻容耦合、直接耦合、变压器耦合、光电器件耦合128. 输出信号、反馈、负、正、电压串联、电流串联、电压并联、电流并联129. 温度、零点、零点、差动130. 差模、共模131. 共模、差模132. 电压增益

10、、输入信号、输出信号、输入电阻、输出电阻133. 滞回、跃变、过零134. 共发射极电路、共基极电路、共集电极电路135. 阻容耦合、直接耦合136. 互不影响、零点漂移、变化缓慢的直流信号、相互影响、零点漂移137. 每一级放大电路放大倍数的乘积、第一级放大电路的输入电阻、最后一级放大电路的输出电阻138. 相等139. 差模放大倍数与共模放大倍数之比、抑制共模信号的能力140. 深度负、正、开环工作、输入电流、输出电阻、两种、零、线性、非线性141. 、0、142. 温度、电路中引入电流负反馈、分压式偏置放大电路143. 同相、反相、同相、反相144. 一部分或全部、净输入、净输入信号减小

11、、净输入信号增加145. 减小、增大、输出电压、减小、输出电流、增大、增大、减小146. 开环电压放大倍数趋于无穷大、差模输入电阻趋于无穷大、开环输出电阻趋于零、共模抑制比趋于无穷大147. 大、高、小148. 增加放大器的动态工作范围、减小电源供给的平均功率149. 、表示放大电路的交流输出功率、表示电源供给的直流功率150. 门电路、触发器151. 断路、短路152. 电容、电感、将整流后的单向脉动直流电压中的纹波成分尽可能滤除掉、直流电153. 直流电压、温度、稳定154. 反相、同相、同相、反相155. 输入的数字、与数字量成正比的输出模拟、输入的模拟、与其成正比的输出数字156. 4

12、096157. 字、位、字、位同时158. 逻辑电路、输入、输出、功能、分析159. 输入级、中间级、输出级、偏置电路160. 0、161. 1k162. 存储容量、存取速度、功耗、可靠性163. 地址译码器、存储矩阵、读/写控制164. 固定、可编程的、可光擦除可编程、可电擦除可编程165. 相反、多数载流子、扩散、少数载流子、漂移、一致、少子、漂移、多子、扩散、反向饱和166. P、N、N、P、空间电荷区、N、P、空间电荷区、扩散、漂移、PN结167. 面、硅晶体、反向击穿168. 带负载169. 导通、截止、阳极上加正向电压、加控制电压170. 输入电阻大些、输出电阻小些171. 上、反

13、馈环节、合适的基极电位172. 越大、越小173. 微变等效电路法、可变电阻、受控电流源174. 基极、集电极175. 动态、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、交流通路、图解法、微变等效电路法176. 静态、为了消除非线性失真、IBQ、ICQ、UCEQ、直流通路、图解法、估算法二. 单选题(请将正确答案的序号填写在试题对应的括号内。)1. A2. C3. A4. B5. B、A6. C7. B8. C9. B10. C11. D12. C13. C14. B15. C、A16. A17. B、A18. D、B19. A20. B21. C22. C23. A24. B25. C26. A27.

14、 B、A、A28. A、C29. A30. A31. A32. B33. C34. D35. C36. A37. A38. A39. B40. D41. B42. C43. B44. A45. A、A46. A47. B48. B49. C50. B51. B52. B53. D54. B55. A56. B57. A58. B59. C60. C61. C62. A63. C64. C65. C66. A67. C68. A69. A70. C71. C72. B73. A、A、B74. A75. C76. C77. C78. B79. B80. C81. B82. B83. A84. C8

15、5. A86. C87. B88. C89. D90. B91. C92. B93. A94. A95. C96. C97. C98. B99. B100. A101. A102. D103. B104. B105. C106. B107. 108. A109. B110. B111. C112. A113. A114. C115. A116. D117. C118. A119. B120. B121. A122. B123. A124. A125. B126. C127. A128. C129. A130. B131. B132. A133. D134. C135. D136. B137.

16、A138. C139. C140. A141. B142. C143. B144. B145. A146. A147. C148. C149. A150. C151. C152. C153. B154. A155. B156. C157. C158. D、A159. C、B160. B161. B162. A163. D、B、C164. B165. B166. C167. C168. B169. C170. C171. A172. C173. C三. 设计题(请将你的设计结果填写在试题下方的空白处。)1. 解：显然是一个三变量的多数表决电路。其中三个裁判为输入变量，按键为输出变量。普通裁判同意

17、为1分，裁判长A同意为2分，满3分时F为1，同意举重成功不足3分F为0，表示举重失败。真值表为：A B CF0 0 000 0 100 1 000 1 101 0 001 0 111 1 011 1 11相应逻辑表达式为：2. 设计：本题逻辑函数式可化为最简式为，逻辑电路为：3. 设计：本题逻辑函数式的最简式为，逻辑电路为：四. 判断题(判断对错，正确的打“”，错误的打“×”。)1. 对2. 对3. 错4. 错5. 对6. 对7. 错8. 错9. 错10. 错11. 错12. 对13. 对14. 对15. 对16. 错17. 错18. 错19. 错20. 对21. 对22. 错23.

18、 错24. 错25. 对26. 错27. 错28. 对29. 错30. 错31. 错32. 错33. 错34. 对35. 对36. 错 37. 错38. 错39. 错40. 对41. 对42. 对43. 错44. 错45. 错46. 错47. 错48. 对49. 对50. 对51. 错52. 对53. 对54. 错55. 错56. 错57. 对58. 错59. 对60. 错61. 错62. 错63. 错64. 对65. 错66. 错67. 错68. 对69. 对70. 错71. 对72. 错73. 错74. 错75. 错76. 对77. 错78. 错79. 错80. 错81. 对82. 对83

19、. 对84. 错85. 对86. 错87. 对88. 错89. 错90. 对91. 错92. 错93. 错94. 对95. 错96. 对97. 错98. 错99. 对100. 错101. 对102. 对103. 错104. 错105. 对106. 错107. 对108. 错109. 对110. 错111. 错112. 错113. 错114. 错115. 错116. 对117. 对118. 对119. 对120. 错121. 错122. 对123. 错124. 错125. 错126. 错127. 错128. 错129. 对130. 错131. 对132. 对133. 错134. 对135. 对1

20、36. 对137. 错138. 对139. 对140. 对141. 对142. 错143. 错144. 对145. 对146. 错147. 对148. 错149. 错150. 对151. 错152. 错153. 错154. 对155. 错156. 对157. 对158. 错159. 对160. 错161. 错五. 简答题(简要给出各题的答案。)1. 答：移位寄存器除寄存数据外，还能将数据在寄存器内移位，因此钟控的RS触发器不能用做这类寄存器，因为它具有"空翻"问题，若用于移位寄存器中，很可能造成一个CP脉冲下多次移位现象。用作移位寄存器的触发器只能是克服了"空翻&

21、quot;现象的边沿触发器。2. 答：同步时序逻辑电路的各位触发器是由同一个时钟脉冲控制的；异步时序逻辑电路的各位触发器的时钟脉冲控制端各不相同，状态发生变化的时间通常也不相同。3. 答：由两个或非门组成的基本RS触发器如图所示，其功能与钟控RS触发器相同，不同点是或非门构成的基本RS触发器是电平触发方式，没有时钟脉冲控制。功能真值表也与钟控RS触发器完全相同。4. 答：触发器常见的电路结构形式有两个与非门或两个或非门构成的基本RS触发器、由基本RS触发器和导引门构成的钟控RS触发器、主从型JK触发器以及维护阻塞D触发器等。基本RS触发器的输出随着输入的变化而变化，电平触发；钟控RS触发器是在

22、CP=1期间输出随输入的变化而变化；主从型JK触发器在时钟脉冲下降沿到来时触发；维持阻塞D触发器是在时钟脉冲上升沿到来时刻触发。5. 答：译码是编码的逆过程，就是把机器识别的二进制代码还原成人们识别的特定信息或十进制。译码器的输入量是二进制代码；输出量则为十进制。6. 答：编码就是把人们熟悉的特定信息编成机器识别的二进制代码的过程。二-十进制编码是每四位二进制数对应一个十进制数，其中具有无效码；而二进制编码中不存在无效码。7. 答：数制是指计数的进制，如二进制码、十进制码和十六进制码等等码制是指不同的编码方式，如各种BCD码、循环码等。在本书介绍的范围内，8421BCD码和2421BCD码属于

23、有权码余3码和格雷码属于无权码。8. 答：该RAM集成芯片有4096个存储单元地址线为10根含有1024个字，字长是4位；访问该RAM时，每次会选中4个存储单元。9. 答：所谓"空翻"，是指触发器在一个CP脉冲为1期间输出状态发生多次变化的现象。抑制"空翻"的最有效方法就是选用边沿触发方式的触发器。10. 答：一般按照求负数补码的逆过程，数值部分应是最低位减1，然后取反。但是对二进制数来说，先减1后取反和先取反后加1得到的结果是一样的，因此也可以采用取反加1的方法求其补码的原码。11. 答：图（a）、（c）不正确，图（b）正确，管脚1、2、3分别对应于e

24、、b、c电极。12. 答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以U0=14V； （b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U0=6V； （c）图：两稳压管反向串联，U0=8.7V； （d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U0=0.7V。13. 答：直接耦合的多级放大电路，当输入信号为零时，输出信号电压并不为零的现象称为零点漂移。晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。14. 答：在输入电压从足够低逐渐增大至足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。15. 答：同相端所接电阻起平衡作用。16.

25、答：不是17. 答：选20W、4的音箱。18. 答：TTL门电路中，OC门有效地解决了"线与"问题，三态门可以实现"总线"结构。19. 答：这一正向电压较小，仅使两个管子都工作在微导通状态下即可。因为，交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的，消除交越失真，实际上就是解决死区电压的问题。如果这一正向偏置电压大于死区电压较多，势必造成两个功放管不能正常工作。20. 答：图（a）为电压串联负反馈 图（b）为电流串联负反馈 图（c）为电流并联负反馈 图（d）为电压串联负反馈21. 答：所谓自启动能力：是指时序逻辑电路中某计数器中的无效状态码，若在开机

26、时出现，不用人工或其它设备的干预，计数器能够很快自行进入有效循环体，使无效状态码不再出现的能力。22. 答：用卡诺图化简时，合并的小方格应组成正方形或长方形，同时满足相邻原则。利用卡诺图化简逻辑函数式的步骤如下：根据变量的数目，画出相应方格数的卡诺图；根据逻辑函数式，把所有为"1"的项画入卡诺图中；用卡诺圈把相邻最小项进行合并，合并时就遵照卡诺圈最大化原则； 根据所圈的卡诺圈，消除圈内全部互非的变量，每一个圈作为一个"与"项，将各"与"项相或，即为化简后的最简与或表达式。23. 答：电路中某点并未真正接"地"，但电

27、位与"地"点相同，称为"虚地"；电路中两点电位相同，并没有真正用短接线相连，称为"虚短"，若把"虚地"真正接"地"，如反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有输入电流等于反馈电流成立，反相比例运算电路也就无法正常工作。24. 答：a、b、e能产生振荡，c、d、f、g不能产生振荡。25. 三端集成稳压器的连接如图所示。答：C1、C2的作用：防止自激振荡，减小高频噪声、改善负载的瞬态响应。26. 答：这种说法是错误的。因为晶体在掺入杂质后，只是共价键上多了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半

28、导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。27. 答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。28. 答：RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。29. 答：集成运放一般由输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。输入级一般采用差动放大电路，以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输入级也是决定运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放

29、大倍数（103107），一般采用多级共发射极直接耦合放大电路；输出级为了具有较低的输出电阻和较强的带负载能力，并能提供足够大的输出电压和输出电流，常采用互补对称的射极输出器组成为了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏置电路满足此要求。30. 答：集成运放的理想化条件有四条：开环差模电压放大倍数AU0=；差模输入电阻rid=；开环输出电阻r0=0；共模抑制比KCMR=。31. 答：小功率直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路组成。电源变压器的作用是将交流电网电压变为合适的交流电压，整流电路的作用是将交流电压变为脉动的直流电压，滤波电路的作用是

30、将脉动直流电压转变为平滑的直流电压，稳压电路的作用是清除电网波动及负载变化的影响，保持输出电压的稳定。32. 答：数字信号是离散的，模拟信号是连续的，这是它们的最大区别。它们之中，数字电路的抗干扰能力较强。33. 答：数字电路中的门电路，其输入和输出之间的关系属于逻辑关系，因此常称为逻辑门。若逻辑电路的输出仅取决于输入的现态，则称为组合逻辑电路，其中输出仅取决于输入的现态就是组合逻辑电路的显著特点。34. 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数会大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。35. 答：时序逻辑电路的基本单元是触发器，组合逻辑电路的基本

31、单元是门电路。36. 答：钟控RS触发器的特征方程：，SR=0（约束条件）；JK触发器的特征方程：；D触发器的特征方程：Q n +1= Dn。37. 答：施密特触发器的显著特征有两个：一是输出电压随输入电压变化的曲线不是单值的，具有回差特性；二是电路状态转换时，输出电压具有陡峭的跳变沿。利用施密特触发器的上述两个特点，可对电路中的输入电信号进行波形整形、波形变换、幅度鉴别及脉冲展宽等。38. 答：管脚和管脚电压相差0.7V，显然是硅管，一个是基极，另一个是发射极，而管脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚是发射极，管脚是基极，管脚是集电极。39.

32、 答：分析：根据电路可知，当ui>E时，二极管导通u0=ui；当ui<E时，二极管截止时，u0=E。所以u0的波形图如图所示：40. 答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的"三极管"是不会有电流放大作用的。41. 答：分析组合逻辑电路的目的是找出已知组合逻辑电路的功能，分析的步骤为四步：根据已知逻辑电路图用逐级递推法写出对应的逻辑函数表达式；用公式法或卡诺图

33、法对写出的逻辑函数式进行化简，得到最简逻辑表达式；根据最简逻辑表达式，列出相应的逻辑电路真值表；根据真值表找出电路可实现的逻辑功能并加以说明，以理解电路的作用。42. 答：调零是为了抑制零漂，使运算更准确。43. 答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。44. 答：（a）图缺少基极分压电阻RB1，造成VB=UCC太高而使信号进入饱和区发生失真，另外还缺少RE、CE负反馈环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真（b）图缺少集电极电阻RC，无法起电压放大作用，同时缺少RE、CE负反馈环节

34、（c）图中C1、C2的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少RE、CE负反馈环节 （d）图的管子是PNP型，而电路则是按NPN型管子设置的，所以，只要把管子调换成NPN型管子即可。六. 计算题(计算相关物理量。)1. (1)IB=20uA，IC=1mA，UCE=8V，Q(8V，1mA，)；(2)rbe=1600，Au=-62.5，Ri=1.6k， Ro= Rc=4k，Aus=-38.5；(3)直流负载线方程：UCE= VCC-ICRC = 12-4IC交流负载线方程：uCE -UCE= -( iC-IC)R/L 。(图略)2. 解：图（a）的作用是防止电源极性错接，图（b）的作用是以免电流过大

35、损坏表头，起分流作用。3. 解：电路的输出电压为3V。若输出电压为7V，则VZ2可能会被击穿而烧坏。4. 解：图示电路X3X0的状态为1001，因此有：若要使输出电压等于1.25V，则I=I0=1.25mA，即输入的四位二进制数D=0001。5. 解：用1KB×1位的RAM扩展成1KB×4位的存储器需用4片如图所示的RAM芯片，接线图为：6. 360 0100100B原0 1011011B 反0 1011100B补491 0110001B原1 1001110B反1 1001111B补7. 8. (1)UB=4V，IE=1.65mA，UCE=7.75V，Q(7.75V，1.6

36、5mA)；(2)rbe=1245，Au=-96.4，Ri=1245， Ro= Rc=3k，Aus=-89.2；(3)Rb1=38.2k。9. 解：10. （365）10（101101101）2（555）8（16D）16（11101.1）2（29.5）10（35.4）8（1D.8）16（57.625）10（71.5）8（39.A）1611. 解：双端输出电压为3.00375V12. 解：(1) 0.82mA、0.82mA、6.424V、6.424V (2) -40、5.8k、13.6k (3) -0.25、5.8k、41dB13. (1) (2)14. 10.1mA15. (1)5mA 6.3V

37、 (2)3016. 0.1V17. （1）V1、V2为NPN型，V3、V4为PNP型（2）14W（3）4818. 4U2，3U2，不能。19. (1)20V (2) IF(80120)mA，URM31.108V，C(50.783.5)uF20. (1)12V (2)5.4V21. 解：22. 直流通路图和交流通路图：略。IB=21.4uA，直流负载线方程为：UCE= VCC-ICRC，取两点A(0，3mA)和B(12V，0)，连接A和B点，即为直流负载线。(图略)23. （47）10（01111010）余3码（01000111）8421码（3D）16（00101101）格雷码24. （1）Po

38、m=1.125W；Pcm1=0.225W；（2）Pcm0.5W，Icm10.56A，U(BR)CEO18V。25. 解：图（a）的三极管为NPN型Si管，处于放大状态。 图（b）的三极管为PNP型Ge管，处于放大状态。 图（c）的三极管为PNP型Si管，管子损坏，发射结开路。 图（d）的三极管为NPN型Si管，处于饱和状态。 图（e）的三极管为PNP型Ge管，处于截止状态。26. 解：静态工作点为：27. 解：微变等效电路如图所示。28. 解：从电路图来看，此电路为一反相比例运算电路，因此：29. 解：此电路为同相输入电路30. 解：U01=Ui=5mV= Ui2，第二级运放是反向比例运算电路，所以：31. 解：其开环放大倍数最少应为15。32. IF0.3