离子注入技术Implant

1、离子注入技术摘要 离子注入技术是当今半导体行业对半导体进行掺杂的最主要方法。本文 从对该技术的基本原理、基本仪器结构以及一些具体工艺等角度做了较为详细的 介绍，同时介绍了该技术的一些新的应用领域。关键字离子注入技术半导体掺杂1绪论离子注入技术提出于上世纪五十年代， 刚提出时是应用在原子物理和核物理 究领域。后来，随着工艺的成熟，在 1970年左右，这种技术被引进半导体制造 行业。离子注入技术有很多传统工艺所不具备的优点，比如：是加工温度低，易 做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。离子注入技术的应用，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展，从 而使集成电路的生产

2、进入了大规模及超大规模时代（ULSI）。由此看来，这种技 术的重要性不言而喻。因此，了解这种技术进行在半导体制造行业以及其他新兴 领域的应用是十分必要的。2基本原理和基本结构2.1 基本原理离子注入是对半导体进行掺杂的一种方法。 它是将杂质电离成离子并聚焦成 离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中而实现掺杂。离子具体的注入过程是：入射离子与半导体（靶）的原子核和电子不断发生 碰撞，其方向改变，能量减少，经过一段曲折路径的运动后，因动能耗尽而停止 在某处。在这一过程中，涉及到“离子射程”、“”等几个问题，下面来具体分析。2.1.1 离子射程Vp一图 2.1.1 (a)图2.1.1 (

3、a)是离子射入硅中路“模型图。 通过的总路程称为射程；射程的平均值，记为 方向上的投影长度，记为Xp,简称投影射程;离子射程模型图其中，把离子从入射点到静止点所R ,简称平均射程；射程在入射投影射程的平均值，记为 Rp ,简称平均投影射程。入射离子能量损失是由于离子受到核阻挡与电子阻挡。定义在位移X处这两种能量损失率分别为Sn和Se :Se =dEndxdEedxke/E(1)(2)则在dx内总的能量损失为:dE = dELdEe=(& + Se)dX(3)rpo dE 。 dE4 =dx =：一二 (4)0EodE dxEoSn SeSn的计算比较复杂，而且无法得到解析形式的结果。图

4、2.1.1(b)是数值计算得到的曲线形式的结果。S。 e的计算较简单，离子受电子 的阻力正比于离子的速度。左图中，e=e2时，&二 Se图2.1.1 (c) Sn > Se时离子路径图2.1.1 (d) Sn < Se时离子路径讨论：(1)当入射离子的初始能量E0小于E2所对应的能量值时，Sn > ' ,以核阻挡 为主，此时散射角较大，离子运动方向发生较大偏折，射程分布较为分散。如图2.1.1 (c)0(2)当E0远大于E2所对应的能量值时，Sn < Se,以电子阻挡为主，此时散射 角较小，离子近似作直线运动，射程分布较集中。随着离子能量的降低，逐渐过

5、渡到以核阻挡为主，离子射程的末端部分又变成为折线。如图 2.1.1 (d)2.2基本结构离子注入机总体上分为七个主要的部分，分别是：离子源：用于离化杂质的容器。常用的杂质源气体有BF3、AsH3和PH3 等。质量分析器：不同离子具有不同的电荷质量比，因而在分析器磁场中偏转的角度不同，由此可分离出所需的杂质离子，且离子束很纯。加速器：为高压静电场，用来对离子束加速。该加速能量是决定离子注入深度的一个重要参量。中性束偏移器： 利用偏移电极和偏移角度分离中性原子。聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。偏转扫描系统： 用来实现离子束x、y方向的一定面积内进行扫描。工作室：放置样品的地

6、方，其位置可调。质量加速m 分析器系统幅移器!1 1 I偏转扫描系统I1工作室抽真空聚焦系统抽真空离子源图2.2离子注入系统示意图2.2.1 离子源根据离子源的类型分类，可以将其分为两类：等离子体型离子源、液态金属 离子源（LMIS）。其中，掩模方式需要大面积平行离子束源，故一般采用等离子体型离子源， 其典型的有效源尺寸为100 Rm ,亮度为10 100 A/cm 2.sr。而聚焦方式则 需要高亮度小束斑离子源，当液态金属离子源（LMIS）出现后才得以顺利发展。 LMIS的典型有效源尺寸为5 500 nm,亮度为106107 A/cm2.sr 。液态金属离子源是近几年发展起来的一种高亮度小束

7、斑的离子源，其离子束经离子光学系统聚焦后，可形成 纳米量级的小束斑离子束，从而使得聚焦离子 束技术得以实现。此技术可应用于离子注入、离子束曝光、刻蚀等。工作原理：E1是主高压，即离子束的加速电压；G是 针尖与引出极之间的电压，用以调节针尖 表面上液态金属的形状，并将离子引出； E是加热器电源。针尖的曲率半径为 ro = 1 5 改变E2可以调节针尖与引出极之间的 电场，使液态金属在针尖处形成一个圆 锥，此圆锥顶的曲率半径仅有10 nm的 数量级，这就是LMIS能产生小束斑离子图2.2.1液态金属离子源工作示意图束的关键。当E增大到使电场超过液态金属的场蒸发值（Ga的场蒸发值为15.2V/nm）

8、时，液态金属在圆锥顶处产生场蒸发与场电离， 发射金属离子与电子。其中电子被引出极排斥，而金属离子则被引出极拉出，形成离子束。若改变 E 的极性，则可排斥离子而拉出电子，使这种源改变成电子束源。2.2.2质量分析系统质量分析系统分为两种，Em B质量分析器和磁质量分析器。本文进分析E m B质量分析器。由一套静电偏转器和一套磁偏转器组成，e与B的方向相 互垂直。它由一套静电偏转器和一套磁偏转器组成，E与B的方向相互垂直。y个光网图2.2.2 Ex B质量分析器原理图(6)VFe = qE = qV-(-j), d3 7 J、Fm=qv B = qvB(j)1.12 2qV 2 .由 qVa =

9、mv 得 v = | | ,代入 Fm,得:2m 2qV 1 4Fm =q(25V-)2B(j) m1Vf2qVa 2当时Fe = Fm ,即当q = I qB时，离子不被偏转。由此可解d I m 1得不被偏转的离子的荷质比qo为(8)V；m 2d2B2Vaa对于某种荷质比为qo的所需离子，可通过调节偏转电压Vf或偏转磁场b , 使之满足下式，就可使这种离子不被偏转而通过光阑 ：Vf=dB(2qM)2 或 B = -Vr(9)d(2qM”当荷质比为qo的离子不被偏转时，具有荷质比为qs= q/ms的其它离子的偏转量Db为:Db = y Lfy Lf Ld1=B 2qsVa 2 -将前面的B的表

10、达式：VfJ1l2+ + , I-ddVaLfVa J(10)(11)Vfid(2qMp代入Db,得:讨论Dbqo+ L2 Jese)(12)(1)为屏蔽荷质比为qs的离子，光阑半径d必须满足:d<gwM(2)若D固定，则具有下列荷质比的离子可被屏蔽qs而满足下列荷质比的离子均可通过光阑(13)(14)(15)以上各式可用于评价E父B质量分析器的分辨本领4离子注入技术的优缺点及其应用4.1 离子注入技术和扩散工艺比较图4.1离子注入和扩散工艺的比较关于离子注入和传统扩散工艺的比较，我们可以通过下表直观看出来: 表4.1离子注入和扩散工艺的比较扩散离子注入工作温度高温，硬掩膜900 120

11、0 C低温，光刻胶掩膜 室温或低于400c各向同/异性各向同性各向异性可控性不能独立控制结深和浓度可以独立控制结深和浓度4.2 优点和缺点4.2.1 优点 可控性好，离子注入能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，因而适于制作 极低的浓度和很浅的结深； 可以获得任意的掺杂浓度分布；注入温度低，一般不超过 400 C,退火温度也在650 c左右，避免了高温 过程带来的不利影响，如结的推移、热缺陷、硅片的变形等；结面比较平坦； 工艺灵活，可以穿透表面薄膜注入到下面的衬底中，也可以采用多种材料作掩蔽膜，如SiO2、金属膜或光刻胶等；均匀性和重复性好； 横向扩展小，有利于提高集成电路的集成度、提高器件和集

12、成电路的工作频率； 可以用电的方法来控制离子束，因而易于实现自动控制，同时也易于实现无掩模的聚焦离子束技术；扩大了杂质的选择范围； 离子注入中通过质量分析器选出单一的杂质离子，保证了掺杂的纯度。4.2.2 缺点： 离子注入将在靶中产生大量晶格缺陷； 离子注入难以获得很深的结深；离子注入的生产效率比扩散工艺低； 离子注入系统复杂昂贵。4.3离子注入技术的应用4.3.1 应用范围离子注入机主要应用在半导体行业和金属材料制造业。在前者中，由于该技 术的应用，产生了大规模和超大规模集成电路。 而在后者中，该技术大大改善了 金属材料的表面性能，提高了其抗腐蚀、耐磨、润滑等性能。4.3.2 生产厂家介绍目

13、前全球最大的几家离子注入机设备厂商是 VARIAN（瓦里安），AXCELIS, AIBT （汉辰科技），而全球最大的设备厂商 AMAT（应用材料）基本退出了离子 注入机的制造领域，高能离子注入机以 AXCELIS为主，主要为批量注入。4.3.3 离子注入机实例离子注入机一般根据其束流大小分为中束流、大束流和高强度三种类型，其 中前两类应用较为广泛。中束流（状量级）的机型有350D. NV6200A NV10-80, 而大束流（mA1级）的机型有 NV10-16O NV10-160SD NV10-180。下面给出了 GSD/200E招子注入机技术指标。离子束能量分类：80KeV 形式：2 - 8

14、0KeV （也可选 90KeV160KeV形式：5 - 160KeV（也可选 180KeV）表4.3.3 (a) 80KeV注入机的最大束流能量(KeV)llB ( mA )BFJ ( mA )?sAS ( nA )3,P ( mA )21.0一一54.53.522101087620108121030108.5202040-801092020901092020表4.3.3 (b) 160KeVS入机的最大束流能量(KeV)B ( mA )BA ( mA )( mA )aiP ( mA )53.521. 51.5108.5756209810103098. 5202040-8099202090-160(180)992020可以看出，最大束流强度随着离子能量的增加而变大，但当增大到一定值时 则停止增加，这说明束流强度已经达到饱和。5总结通过上述对离子注入技术的基本原理、基本结构以及一