半导体存储器和可编程逻辑器件

1、第八章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1 . ROM由王要由哪几部分组成？8-2 .试比较 ROM PROMfD EPROM及 E>ROM有哪些异同？8-3 . PROM EPROM和E PROM在使用上有哪些优缺点？8-4 . RAM由主要由哪几部分组成？各有什么作用？8-5 .静态 RAM和动态 RAM有哪些区别？8-6 . RAM和ROM有什么区别，它们各适用于什么场合？8-7.试用ROM实现下列组合逻辑函数。8-8比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同？8-9试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题8-9所示，写出丫1、Y2、Y3与A、B C、D的逻辑关系表达式。图题8-

2、9V38-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示，写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。8-11可编程逻辑器件有哪些种类？有什么共同特点？(1) 小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。(2) 产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。(3) 要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。图题8-108-13选择题1.一个容量为1KX 8的存储器有 个存储单元。A. 8B. 8KC. 8000D. 81 922 .要构成容量为 4K X 8的RAM需要片容量为256 X 4的RAMA. 2B. 4C. 8D. 323 .寻址 容量为16K X 8的RA

3、M需要根地址线。A. 4B. 8C. 14D. 1 6E. 16K4 .若RAM的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的输出线(即字线加位线)共有条。A. 8B. 1 6C. 32D. 2565 .某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为。A. 8 X 3B. 8KX 8C. 256 X 8D. 256 X 2566.采用对称双地址结构寻址的1 024 X 1的存储矩阵有 。A. 10 行 1 0 列 B. 5 行 5 列 C.3 2 行 32 列D. 1 024 行 1 024 列7 .随机存取存储器具有功能。A.读/写 B.无读/写 C.只读D.只写8

4、.欲将容量为128 X 1的RAM扩展为1 024 X 8 ,则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为。A. 1B. 2C. 3D. 89 .欲将容量为256 X 1的RAM扩展为1 024 X 8 ,则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为。A. 4B. 2C. 3D. 810 .只读存储器ROM在运行时具有功能。A.读/无写 B.无读/写 C.读/写D.无读/无写11 只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变12 .随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。A.全部改变 B.全部为1 C

5、.不确定D.保持不变1 3 . 一个 容量为 512 X 1的静态RAM具有。A.地址线9根，数据线1根B.地址线1根，数据线9根C.地址线512根，数据线9根D.地址线9根，数据线512根1 4 .用若干RAM实现位扩展时，其方法是将相应地并联在一起。A.地址线B.数据线C.片选信号线 D.读/写线1 5 . PROM的与陈列（地址译码器）是。A.全译码可编程阵列B.全译码不可编程阵列C.非全译码可编程阵列D.非全译码不可编程阵列第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件8-1 ROM 主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器8-2 相同点：半导体存储器是由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二

6、进制数 0或 1 。不同点：只读存储器 ROM 用于存放固定不变的数据，存储内容不能 随便更改。PROM 是可编程只读存储器。 EPROM 是可擦除的可编程只 读存储器EEPROM 是电擦除的可编程只读存储器。8-3 PROM 是可编程只读存储器。 EPROM 是可擦除的可编程只读存储器EEPROM 是电擦除的可编程只读存储器，使用最方便。8-4 RAM 通常由存储器距阵、地址译码器和读 /写控制电路组成。存储距阵 由许多个存储单元排列而成。在给定地址码后，经地址译码，这些被选中的存储单元 由读、写控制电路控制，实现对这些单元的读写操作。8-5 静态 RAM 的存储单元为触发器，工作时不需刷新

7、，但存储容量较小。 动态 RAM 的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻， 在栅极电容上可暂存电荷 的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此，工作时需要周 期性地对存储数据进行刷新8-6 只读存储器 ROM 用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。 随时读出数据或改写存储的数据，并且读 /写数据的速度很快，因此， RAM 多用于需 要经常更换数据的场合， 最典型的应用就是计算机中的内存。 但 RAM在断电后，数据将全部丢失。Wi Wl Z谢W? W? V9W10 Wil Wll'WI2147158-7电路如图所示：hikir 1r 11Fp i*r*丄i*P*h1F

8、, r1rrYIY2刘V4A A B-D c-c D-D8-8 PAL有双极型熔丝工艺和 ECMO两种工艺。前一种不能改写，后 一种能改写。它们的 输出电路的结构类型由型号决定，在一些定型产品 中仍在使用，一般不再用来开发新产品。 GAL采用WCMO工艺，改写方 便。GAL器件采用了可编程的输出逻辑宏单元 OLMC通过编程设置成不 同的输出方式，可以用同一种型号的 GAL器件实现PAL器件所有的各种 输出电路工作模式，从而增强了器件的通用性，它是目前应用最广泛的PLD8-9Yi=AB+BC+CD+ADY 2=AA BB CC DDY 3=BD ACY 4=BD AC8-10驱动方程：D=MQ2nQin MQ2nQin ； DMQzS/ MQ?"©/状态方程：Q1n+1= MQ2nQ1n M Q2nQ1n Q 2n+1=MQ2nQ1n MQ2nQ1n状态转换图：101101M=1 （三进制加法计数器）M=0 （二进制减法计数罂8-11目前适用最多的PLD产品主要有可编程阵列逻辑 PAL（ProgrammabelArray Logic的缩写）、通用阵列逻辑 GAL（ Generic Array Logic的缩写） 和在系统可编程器件ISP-PLD （In-System Prog