国立新化高工 96 电子电路实习ALL

1、國立新化高工 96 電子電路實習ALL命題教師謝班級綜三丙座號姓名 選擇題，共50題，每題2分( ) 1.如圖所示全波整流電路，其中二極體均具理想特性，負載電阻RL =1k，如果流經負載電阻RL上的平均電流IL(DC) =1mA，此時每個二極體所承受之逆向電壓峰值（PIV）為多少伏特？ (A) (B) (C) (D) ( ) 2.如圖，假設二極體是理想的，V2>V1且Vi的峰值>V2，則Vo的波形為 (A) (B) (C) (D) ( ) 3.如圖的電路中，當Vi的電壓值介於-5V與+5V之間時，則 (A) D1導通，Vo=5V (B) D2導通，Vo=-5V (C) D1與D2皆

2、截止，Vo=Vi (D) D1與D2皆導通，Vo=0( ) 4.如圖所示，其最大容許稽納電流IZ(max)及電流I分別為 (A) 40mA及20mA (B) 30mA及10mA (C) 20mA及20mA (D) 50mA及10mA( ) 5.如圖所示的電路，二極體為理想時Vo為何？ (A) Vm (B) -Vm (C) 2Vm (D) -2Vm( ) 6.一半波整流輸出波形，其頻率為60Hz，峰值電壓為10V，如果以三用電表DCV檔測量，則電壓約為 (A) 10V (B) 3.18V (C) 6.36V (D) ( ) 7.下列有關矽與鍺二極體之比較何者正確？ (A) 矽二極體的逆向峰值電壓

3、遠高於鍺二極體 (B) 矽二極體的可工作溫度遠低於鍺二極體 (C) 矽二極體的臨界電壓低於鍺二極體 (D) 矽二極體的反向飽和電流高於鍺二極體( ) 8.如圖，假設射極電壓為-0.7V、=50時，求VC =？ (A) 1.37V (B) 3.82V (C) 5.44V (D) ( ) 9.功率晶體之集極與外殼接在一起的最主要目的為 (A) 製造上較方便 (B) 美觀 (C) 易於辨認集極 (D) 散熱較佳( )10.如圖所示電路，下列何者錯誤？ (A) IB A (B) IC =3.85mA (C) VE =3.89V (D) VCE =( )11.如圖所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原

4、來的工作點為Q點，則當RB電阻值變大時，其新的工作點應近似於那一點？ (A) A點 (B) B點 (C) C點 (D) D點( )12.圖為DC 12V繼電器的驅動電路，下列敘述何者有誤？ (A) 繼電器動作時，電晶體必須工作於線性區 (B) 繼電器未動作時，NC與COM相通 (C) 二極體D為吸收反電動勢，以保護Tr用 (D) 繼電器動作時，NO將與COM相通( )13.雙極性電晶體（BJT）放大器有三種基本組態：共基極（CB）組態、共射極（CE）組態與共集極（CC）組態，其中具有電壓大小放大作用但不具電流大小放大作用者為 (A) CB (B) CE (C) CC (D) CE及CB( )1

5、4.如圖所示電路，假設Q1，Q2電晶體之參數完全相同，且電晶體之基極電流可忽略不計，試求電路之小訊號電壓增益Av=vo/vi約為何？ (A) -165 (B) +133 (C) -101 (D) +89( )15.圖為電晶體偏壓電路，以三用表測試各點電壓，發現VC =9V，VE =8.7V，VB =9.4V，則有可能是 (A) RC太小 (B) RE太大 (C) R1太大 (D) R2太大( )16.接面場效電晶體（JFET）之工作原理是控制 (A) 通道中載子的濃度 (B) 通道之導電係數 (C) 通道接面的電流 (D) 接面空乏區的厚度( )17.已知圖中Q為N通道空乏型金氧半場效電晶體（

6、MOSFET）若ID=10mA，則工作點電壓VDSQ等於 (A) 0.1V (B) 1V (C) 3V (D) 10V( )18.N型空乏型MOSFET工作時閘極必須加 (A) 正 (B) 負 (C) 正或負 (D) 不需加電壓( )19.如圖所示之電路，若rd =60k，gm=3000，則其電壓增益為 (A) +100 (B) -75 (C) -45 (D) -60( )20.如圖所示JFET放大電路中，若JFET之gm=5毫安/伏特（mA/V），汲極電阻rd =200仟歐姆（200k），Rd =1仟歐姆（1k），RG =1000仟歐姆（1M），則其電壓增益約為何值？ (A) 10 (B)

7、-10 (C) 5 (D) -5( )21.若理想運算放大器的輸入阻抗為Ri，輸出阻抗為Ro，則下列何者正確？ (A) Ri =0，Ro =0 (B) Ri =，Ro =0 (C) Ri =0，Ro = (D) Ri =，Ro =( )22.如圖所示電路及其輸入波形，假設理想放大器且電容之初始電壓值為0，下列何者為輸出之波形？ (A) (B) (C) (D) ( )23.如圖電路，若R1=1k，R2=10k，Vo=0.11V，則其輸入抵補電壓（Input Offset Voltage）為 (A) 10mV (B) 11mV (C) 12mV (D) 15mV( )24.如圖電路所示，其輸出電壓

8、Vo為 (A) -2V (B) -18V (C) +2V (D) +15V( )25.如圖所示之方波振盪器電路，下列敘述何者錯誤？ (A) C之數值增加，則振盪頻率下降 (B) R2之數值增加，則振盪頻率增加 (C) 對實際OPA而言，Vo之峰對峰值接近2VCC (D) 對實際OPA而言，Vo之工作週期（duty cycle）約為50%( )26.續上題之方波振盪電路，如Vo之最大值為±12V，R1=R2=10k，則跨於電容器兩端電壓之最大值約為何（不計正負號）？ (A) 1V (B) 3V (C) 6V (D) 12V( )27.圖由運算放大器組成反相放大器，當R1=10k，R2=

9、100k，Vi=2V時，則在輸出端Vo，可顯現多少電壓值 (A) 20V (B) -20V (C) 15V (D) -15V( )28.如圖所示之電路，其小訊號中頻之電壓增益約為何（設OPA為741）？ (A) 10 (B) 100 (C) 101 (D) 100,000( )29.圖之電路，其電壓增益為 (A) (B) (C) - (D) 1-( )30.如圖所示之電路，流過300電阻Rf之電流If為 (A) 0.1mA (B) 10mA (C) 24mA (D) 30mA( )31.如圖所示為何種電路？ (A) 史密特觸發器 (B) 不穩態振盪器 (C) 單穩態振盪器 (D) 雙穩壓振盪器

10、( )32.圖所示之電路中，在輸出端所量到的波形為何？ (A) 方波 (B) 三角波 (C) 弦波 (D) 鋸齒波( )33.下列有關555定時IC的敘述，何者有誤？ (A) 第6腳為輸出 (B) 第8腳為電源正端（VCC） (C) 第1腳為接地端（GND） (D) 外加電阻、電容即可完成定時功能( )34.如圖所示之電路中，若R=1k，C=1F，則該電路之振盪頻率為何（設該電路可正常動作）？ (A) 160Hz (B) 1kHz (C) 1.6kHz (D) 10kHz( )35.圖為一相移振盪器，其理想振盪頻率為 (A) (B) (C) (D) ( )36.在D/A轉換器中，若輸出的最低電

11、壓為0V，滿刻度輸出電壓為5V，想得到小於2mV的解析電壓，則至少需選用多少位元以上的D/A轉換器？ (A) 12位元 (B) 11位元 (C) 10位元 (D) 9位元( )37.設計一濾波器，此濾波器必須濾掉60Hz之頻率，且讓其他頻率通過，則此濾波器是屬於 (A) 低通濾波器 (B) 高通濾波器 (C) 帶通濾波器（band pass filter） (D) 帶凹濾波器（notch filter）( )38.一個D/A轉換器如圖所示，示求此電路目前的輸出電壓值Vo為多少？ (A) V (B) V (C) V (D) V( )39.當7805穩壓IC的輸入電壓為12V時，其輸出電壓為何？

12、(A) 5V (B) 12V (C) -5V (D) -12V( )40.供應正五伏特電壓的穩壓IC，其編號為何？ (A) 7805 (B) 7905 (C) 7815 (D) 7915( )41.以下就靜態隨機存取記憶體（SRAM）之敘述何者有錯誤？ (A) 由正反器（Flip-Flop）所構成 (B) 以電容的充放電特性來儲存0與1的資料 (C) 電源消失後資料隨即消失 (D) 不須定時作翻新（Refresh）( )42.下列何者較適合製造高容量的記憶體？ (A) PROM (B) DRAM (C) SRAM (D) EPROM( )43.四個D型正反器接成一右移暫存器，最左邊正反器的輸入

13、為高位準，在全部重置歸零後，第一個時脈邊緣到達所存之字為 (A) 0001 (B) 1111 (C) 1000 (D) 0111( )44.JK正反器J、K輸入端皆為0時，當時序脈波輸入後，輸出端Q之狀態為何？ (A) 0 (B) 1 (C) 不變 (D) 原來Q的反相( )45.如圖所示電路，下列何者有誤？ (A) 本電路可儲存資料 (B) 當S=0時，可設定輸出Q1為1 (C) 為RS正反器 (D) 本電路可用CMOS製程技術來製造( )46.承上題電路，輸出（Q1，Q2）原先狀態為（1，0），且R、S輸入均等於1，如果S輸入斷裂，則輸出（Q1，Q2）為何？ (A) 不變 (B) 01 (

14、C) 11 (D) 00( )47.圖中，下列何者正確？ (A) A輸出為2kHz方波 (B) B輸出為4kHz方波 (C) C輸出為6kHz方波 (D) A輸出為4kHz方波( )48.圖中的時脈CLK及輸入訊號Y如下，則輸出訊號Q之正確波形為 (A) 波形A (B) 波形B (C) 波形C (D) 波形D( )49.對於一共陽極七段LED數字顯示器，若要設計其驅動電路時，其顯示段輸入電位及共通點電位應如何決定方可顯示數字？ (A) 顯示段加高電位，共通點加低電位 (B) 顯示段加高電位，共通點加高電位 (C) 顯示段加低電位，共通點加高電位 (D) 顯示段加低電位，共通點加低電位( )50

15、.一個七位元的漣波計數器，可擁有的最多模數（modulus）為多少？ (A) 7個 (B) 8個 (C) 256個 (D) 128個命題教師謝 all班級綜三丙座號姓名 選擇題，共50題，每題2分題號12345678910標準答案DBCDDBACDA題號11121314151617181920標準答案DAAADDDCDD題號21222324252627282930標準答案BBADBCDCCD題號31323334353637383940標準答案BAAABADBAA題號41424344454647484950標準答案BBCCCAABCD選擇題詳解11.( D )當RB，則IB，IC，VCE（VCE

16、 =VCC -ICRC）故新的工作點為D點；非C點（IB，但VCE，故不合）13.( A )共基極（CB）組態的特色為(1)電壓放大（電壓增益最大）(2)不具電流放大（電流增益小於1，近似於1）(3)低輸入阻抗(4)高輸出阻抗(5)適合高頻放大電路14.( A )(1)Q1為共射極（CE）放大，輸入信號（Vi）由基極輸入，而輸出信號則由其集極輸出加入Q2之射極Q2為共基極（CB）放大，輸入信號由射極輸入，而輸出信號則由集極輸出Q1與Q2形成疊接（cascade）放大，適合用於高頻放大電路(2)Q1之電壓增益Av1=-hfe×=-Q2之電壓增益Av2=-hfb×VB1=VCC

17、 ×(V)IE1=4.3(mA)re6.05()Av=- ×22.( B )該電路為OPA積分器，虛線路徑為電容充電的方向，輸出Vo波形為向下（負）的波形：當t=T秒時，由於Vi=0，電容無法繼續充電，故輸出電壓Vo為定值23.( A )(1)由於反相、非反相輸入端均無信號輸入，而Vo卻有電壓輸出，此為輸入抵補電壓所引起的現象(2)×Vio×Vio，所以Vio=0.01V=10mV25.( B )(1)振盪頻率為f =當C ，則f 當R2，則f 當R1，則f (2)Vo波形為方波（Duty cycle=50%），其正、負峰值電壓各為+VCC與-VCC26

18、.( C )VC =±VCC× =±VCC ×=±12×=±6V34.( A )韋恩電橋電路的輸出振盪頻率f為 f =(R1=R2=R，C1=C2=C) f =160(Hz)35.( B )由於相移電路為RC落後網路，所以輸出振盪頻率f =(Hz)36.( A )由於解析度電壓值需小於2mV所以V=<2mV故<2n-1，得n=1237.( D )濾除某一頻率（或頻帶）的濾波器，即為帶拒（帶止、帶凹）濾波器38.( B )電路為二級的OPA反相放大器，其中OPA1的輸入部份為R-2R梯型電阻網路(1)由於A點（MSB）電壓對Vo1的影響為，所以B、C、D點則分別為Vref、Vref、Vref（因為R-2R梯型電阻網路結構之