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1、reading reportreading report 刘煜刘煜 2015.10.31文献文献 ：Lateral epitaxial growth of two-dimensional layered semiconductor heterojunctions (from nature nanotechnology. Dec. 2014 vol91.1.制备工艺制备工艺 2.2.表征表征 3.3.光电特性光电特性1. 制备工艺制备工艺MoS2MoSe2 and WS2WSe2 lateral heterostructures are growed by in situ modulation

2、of the vapour-phase reactantsduring growth of these two-dimensional crystals.遇到的问题：遇到的问题：1. 第一次生长的材料若第一次生长的材料若暴露暴露于于周围环境，则其边缘原子周围环境，则其边缘原子易受到干扰而钝化，不利于易受到干扰而钝化，不利于对第二次外延生长。对第二次外延生长。2. 原子尺寸的原子尺寸的TMD并不稳定，并不稳定，第一次生长的材料忍受不了第一次生长的材料忍受不了第二次生长所需要到温度等第二次生长所需要到温度等环境因素的变化。环境因素的变化。supporting information1. 制备工艺制

3、备工艺supporting information2. 表征表征Raman and photoluminescence mapping studies demonstrate that the resulting heterostructure nanosheets exhibit clear structural and optical modulation.与单独测两种材料的与单独测两种材料的RAMAN和和PL时的峰值一致时的峰值一致结论：结论：1.表征了两种材料表征了两种材料2.材料之间没有间隙材料之间没有间隙1.low-resolution TEM2.high-angle annula

4、r dark-field (HAADF) TEM3.A selected area electron diffraction (SAED) (两种材料六边两种材料六边 形的晶格结构（结构相似，取向相同形的晶格结构（结构相似，取向相同) 每个散射点都有两个散射峰，对应两每个散射点都有两个散射峰，对应两 种不同的衍射峰值，对应两种不同的种不同的衍射峰值，对应两种不同的 晶格距离晶格距离4.TEM. 确定了异质结结构上的连续性，确定了异质结结构上的连续性， 即两种材料之间没有间隙即两种材料之间没有间隙1. EDS（能量色散光谱学）（能量色散光谱学） 显示了显示了W、S、Se的分布的分布 两种材料之间

5、无间隙两种材料之间无间隙 2. EDS的线扫描显示了的线扫描显示了S、Se的分布的分布 变化情况。中间有变化情况。中间有35nm左右宽的左右宽的 过渡带。过渡带。2. 表征表征Raman and photoluminescence mapping studies demonstrate that the resulting heterostructure nanosheets exhibit clear structural and optical modulation.与单独测两种材料的与单独测两种材料的RAMAN和和PL时的峰值相比，时的峰值相比，MoS2的的RAMAN峰和峰和PL峰发生了

6、红移峰发生了红移结论：结论：1.表征了两种材料表征了两种材料2.材料之间没有间隙材料之间没有间隙原因：原因：Se的影响的影响1.(h)low-resolution TEM2.A selected area electron diffraction (SAED) (两种材料六边形两种材料六边形 的晶格结构（结构相似，取向相同的晶格结构（结构相似，取向相同)3.EDS的线扫描显示了的线扫描显示了S、Se的分的分 布变化情况。中间有布变化情况。中间有40nm左右左右 宽的过渡带。宽的过渡带。3. 光电特性光电特性Electrical transport studies demonstrate tha

7、t the WSe2WS2 heterojunctions form lateral pn diodes and photodiodes, and can be used to create complementary inverters with high voltage gain.衬底：衬底：Si/SiO2 之前生长材料的衬底是之前生长材料的衬底是silicon oxide（一氧化硅？二氧化硅？）（一氧化硅？二氧化硅？）硅作为背栅电极硅作为背栅电极3. 光电特性光电特性线性线性I-V关系说明金属接触势垒没有影响到器件的固有性质。关系说明金属接触势垒没有影响到器件的固有性质。不同的背栅电压下

8、的表现，显示了材料的不同的背栅电压下的表现，显示了材料的 p n 特性。特性。？具体如何测？具体如何测a bnpcWSe2 正偏压时，才有电流通过。整流特性。正偏压时，才有电流通过。整流特性。WS2掺杂浓度更低，所以制约着器件异质结间电荷的传输。也掺杂浓度更低，所以制约着器件异质结间电荷的传输。也就是为什么电流值随背向栅压的增大而增大的缘故。（为什就是为什么电流值随背向栅压的增大而增大的缘故。（为什么和么和p型无关，而是与型无关，而是与n型有关？）型有关？）3. 光电特性光电特性探究了探究了pn结的光响应特性，开路电压约为结的光响应特性，开路电压约为0.47V,短路电压约为短路电压约为1.2nA.响应时间约为响应时间约为100us。表明了电流来自于载流子的分离和复合。表明了电流来自于载流子的分离和复合。de光电流光电流