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文档简介
1、一、选择题:* 10101001 常温下单晶半导体中就存在着一定数量的电子一空穴对。 ( )10101002 空穴参与导电,是半导体区别于其他导体导电的一个重要特点。 ( )10101003 空穴的导电过程实质上是电子向一个方向连续填补空穴的运动。 ( )10101004 在外电场的作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 ( ) 10102005 在纯净的半导体中掺入某些微量杂质元素可使半导体的导 电性能显著增强。 ( ) 10103006 在硅或锗晶体中掺入五价元素可形成P型半导体。 ( ) 10103007 在硅和锗晶体中掺入三价元素可形成N型半导体。 ( ) 10103008 在型
2、半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载 流子。()10103009在型半导体中,电子是多数载流子,所以型半导体带负 电。()10104010当型和型半导体结合在一起时,由于浓度差的存在,使区的电子向区扩散,使区的空穴向区扩散,这称为多数载流子的扩散运动。()10104011 将区接电源正极,区接电源负极,此时结处于反偏状态。()10104012 结正偏时,多数载流子运动加剧,形成较大的正向电流。 () 10104013 PN结反向偏置时内电场削弱,阻挡层变薄,电阻变小。 ( ) 10104014 PN结正向偏置时内电场增强,阻挡层变厚,电阻变大。 ( ) 10105015 PN结的单向导电性
3、就是指它正偏导通,反偏截止的特性。 ( )* 10105016 PN结反向偏置时,反向电流随着反向电压增大而增大。 ( )10201017一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。 ()10201018晶体二极管的正向导通后,随电流的增大电压也成比例 地上升。 ()* 10201019 晶体二极管是线性元件。 ( ) 10201020 硅二极管的死区电压是0.2V,锗的死区电压是0.5V。 ( ) 10201021 晶体二极管正常工作时的管压降都是0.7V。 ( ) 10201022 晶体二极管加上正向电压后就会导通。 ( )* 10201023 晶体二极管一旦反向击穿就不能再使用。
4、 ( ) 10201024 晶体二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。 ( ) 10201025 二极管具有单向导电性。 ( )10202026由二极管的单向导电特性可知,它的正向电阻小,反向电阻大。 ()* 10202027 二极管的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。 ( )10203028点接触型晶体二极管允许通过电流大于面接触型晶体二极 管。 () 10203029 小电流的二极管常用玻璃壳或塑料壳封装;电流较大的二极管常用金属外壳封装。 ( )10204030用机械万用表测二极管正向电阻时,应将万用表的红表棒接 二极管的正极,黑表棒接二极管的负极。() 10204031 用万用
5、表测得一个二极管的正反向电阻都是无穷大,则 二极管已经短路。 ( )10205032硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小,所以硅二极管的温 度特性比锗二极管好。() 10205033 在整流电路中,一般采用点接触型晶体二极管。 ( )10206034一般取击穿电压的一半作为晶体二极管的最大反向工作电压。 ()10206035晶体二极管反向击穿后立即烧毁。()* 10206036 把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管两端,此二极管就会被击穿。 ( ) 10206037 当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小; 当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。 (
6、) 10206038 如果二极管的正反向电阻都很大,则该晶体二极管已被击穿。 ( )10220039在图一所示电路中,晶体二极管为硅管或锗管均不能导通。 () 10301040晶体三极管由二个结构成,晶体二极管由一个结构成, 所以可以由二个晶体二极管构成一个晶体三极管。 ()10301041晶体三极管有两个结,因此它具有单向导电性。()* 10301042 NPN型三极管处于放大状态时各极电位关系应满足UCUBUE。 ( )* 10301043 PNP型三极管的各极电位关系为UCUBUE,则该三极管处于截止状态。 ( )* 10301044 一个PNP型硅三极管各极对地电位为:4V、4.3V、
7、3.6V,则该三极管工作在饱和状态。 ( )10302045常温下,硅晶体三极管的BE约为0.7V,且随温度升高而增大。 ()10302046在晶体三极管发射结上加正偏电压时,就会产生基极电流。 () 10302047 三极管输入特性是指三极管的集电极和发射极之间的电压一定,加在基极和发射极之间的电压和基极电流之间的关系曲线。 ( ) 10303048晶体三极管工作在放大状态的条件是:集电结正偏,发射结反偏。 ()10303049 晶体三极管的输出特性可分为三个区域:截止区、放大区和饱和区。 ( ) 10303050 在三极管输出特性曲线中,当IB=0时,IC等于ICBO。 ( ) 10303
8、051 晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流随基极电流的增加而增加。 ( ) 10303052 发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 ( ) 10303053 三极管的穿透电流不受基极控制,与放大无关。 ( ) 10303054 一般说来晶体三极管的电流放大系数随温度升高而减小。 ( ) 10303055 发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。 ( ) 10303056 晶体三极管的交流放大系数表示为=IC/IB,它不随工作点改变而改变。 ( )* 10303057 晶体三极管的发射结和集电结都是PN结,因此,发射极和集电极可以互换使用。 ( ) 10303058 晶体三极管
9、穿透电流的大小不随温度变化。 ( ) 10303059 晶体三极管不允许工作在过损耗区。 ( ) 10304060 三极管的放大作用就是把小电流放大成大电流。 ( )10304061 某晶体三极管的IB=10µA时,IC=0.44mA;当IB=20µA时, IC=0.89mA,则它的电流放大系数=45。( ) 10304062 三极管放大作用的实质是用较小的电流控制较大的电流。 ( ) 10304063测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是 9V,-6V和-6.2V,则这个晶体三极管是型锗管。( )* 10305064 以万用表的黑笔为准,用红笔分别接三极管的另外二个
10、脚,如果测得两个阻值均较小,则该管为PNP型。 ( )10305065用万用表测得晶体三极管任两脚间的电阻均很小,说明该晶体三极管的二个PN结都已烧毁。()* 10305066 以万用表的黑笔为准,用红笔分别接三极管的另外二个脚,如果测得两个阻值均较大,则该管为NPN型。 ( ) 10401067 根据MOS管的图形符号不仅可以识别这个MOS管是N沟道 的还是P沟道, 而且还可识别出它是耗尽型的还是增强型的。 ( )10402068绝缘栅场效应管的栅极与源极和漏极之间是相互完全绝缘 的。() 10402069 MOS管的一个突出优点是输入电阻高。 ( )10403070场效应管是以栅源电压控制
11、漏极电流。()10403071 UGS的微小变化可以引起输入电压UDS较大变化,这就是结型 场效应管能进行电压放大的原理。 ( )* 10403072 场效应管的漏极和源极通常制成对称的,只要产品源极与衬 底没有连在一起, 那么漏极和源极就可互换使用。 ( ) 10403073 在N沟道增强型MOS管中,如果UGS=0,那么就不存在导电 沟道。 ( )* 10403074 夹断电压UP和开启电压UT的正负性与导电沟道类型无关。 ( )10403075晶体三极管是电流控制型器件,而场效应管是电压控制型器 件。 ( ) 10501076 稳压二极管的正常工作区为PN结的反向击穿区。 ( ) 105
12、01077 稳压管的反向电流在一定范围内变化时,稳压管端的电压几 乎不变。 ( )10502078开关二极管与普通二极管的不同之处是它的反向电阻极大。() 10502079 硅开关二极管开关时间极短,仅需几个纳秒。 ( )10503080变容二极管具有显著的变容效应,其PN结的结电容会随着正 向电压的变化而变化。()* 10503081 变容二极管工作时应加反向电压,其PN结的结电容随反向 电压变化而变化。 ( ) 10504082 发光二极管发光的颜色与它所用的材料无关。 ( )10505083光电三极管使用时集电极和发射极极性接反时,电路不能正常工作。 ()* 10505084 光电二极管
13、工作时加上正向电压,光电流随光照强度的增加 而上升。 ( )10505085光电二极管和发光二极管使用时都应接正向电压。()20101086按放大器中三极管的连接方式来分,有共射极、共基极和共集电极放大器等,其中只有电流放大作用而无电压放大作用的是共射极接法。() 20101087 放大电路中三极管连接方式可分为共射极,共基极二种。 ( )20102088在单管放大电路中若电源电压不变,只要变化集电极电阻的 值就可以改变集电极电流的值。()* 20102089 放大器不设静态工作点时,由于三极管的发射结有死区和三 极管输入特性曲线 的非线性会产生失真。 ( ) 20102090 合理设置放大器
14、的静态工作点,就可以防止电路产生失真现 象。 ( ) 20102091 放大器中晶体三极管静态工作点是指IBQ,ICQ和UCEQ。 ( )20103092共发射极放大电路中,集电极电阻的作用是将三极管的电流 放大作用以电压放大的形式表现出来。() 20103093 低频放大电路放大的对象是电压、电流的平均值。 ( ) 20103094 低频放大电路放大的对象是电压,电流的变化量。 ( ) 20103095 选择合适的基极偏置电阻RB就可以使三极管有合适的静态工 作点。 ( )* 20103096 在共发射极放大电路中,集电极负载电阻RC=0时,输出电压 不一定等于零。 ( ) 20103097
15、 共发射极放大电路中的耦合电容C1、C2的作用只有一个,就 是保证输入和输出信号畅通地传输。 ( )20104098共射极放大电路输出电压和输入电压相位相反,所以该电路 有时被称为反相器。()* 20104099 放大电路工作在动态时,为了避免失真,发射结电压直流分 量和交流分量应相等。 ( ) 20104100 共发射极放大电路输出电压和输入电压相位相反,所以它具 有倒相作用。 ( )20104101交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量, 直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。 ( ) 20201102 放大器的非线性失真是指其输出波形与输入波形的形态有 一定差异
16、。 ( )20201103在晶体管放大电路中,静态工作点过高出现截止失真,静态 工作点过低出现饱和失真,截止失真和饱和失真统称非线性 失真。 ()20202104可以通过分析直流通路来分析放大器的静态工作点。() 20202105 利用交流通路可以近似故算放电路的静态工作点。 ( ) 20202106 利用直流通路可估算放大器的输入电阻,输出电阻和放大倍 数。 ( ) 20202107 交流放大电路的基本分析方法主要有近似估算法和图解分析 法两种。 ( ) 20203108放大电路的电压放大倍数随负载L而变化,L越大, 电压放大倍数越小。( ) 20203109 放大器的交流通路就是将大器中的
17、直流电源和电容视为短路 时,交流信号流通的那部分电路。 ( )20204110放大器不设置静态工作点时,由于三极管的发射结有死区和 三极管输入特性曲线的非线性,会产生失真。()20204111晶体三极管放大电路的静态工作点过高时,会出现饱和失真, 此时可通过减小B使电路回到正常放大状态。( ) 20204112 放大电路的静态工作点偏高不容易产生失真,偏低容易产生 失真。 ( )* 20204113 放大电路中的饱和失真和截止失真,称为交越失真。 ( )20205114放大电路的输出端不接负载,则放大器的交流负载线和直流负载线相重合。( ) 20205115 运用三极管的特性曲线簇,通过作图的
18、方法,直观地分析放 大电路的性能的方法称图解分析法。 ( )* 20205116 放大器不带负载时电压放大倍数小,带了负载后电压放大倍 数就会增加 ( )* 20205117 放大器的输出端不接负载,则放大器的交流负载线和直流负 载线就相重合。 ( )* 20205118 放大器的交流负载线没有直流负载线陡。 ( )20301119 晶体管放大电路中,集电极电流ICQ随温度的升高而下降。 () 20301120 放大电路的静态工作点一经设定后,就不会受到外界因素的 影响。 ( )* 20301121 温度升高时,放大器的静态工作点就有可能下降。 ( )20302122放大电路的静态工作点一经设
19、定后,就不会受外界因素的影 响。() 20302123 要使放大器能正常工作,不但要有合适的静态工作点,还要 设法稳定工作点。 ( )20303124实际放大电路常采用分压式偏置电路,这是因为它能使 静态工作点稳定。() 20303125 分压式偏置电路的静态工作点稳定性好,所以这种电路被广 泛使用。 ( ) 20304126 放大电路的静态工作点过高容易引起截止失真。 ( ) 20304127 放大电路的静态工作点过低容易出现饱和失真。 ( )20305128分压式偏置电路中,如果不接发射极电容E,就会使放大电 路电压放大倍数下降。() 20305129分压式偏置电路中,为使工作点稳定,E的
20、值应足够大, B1和B2的值应足够小。() 20305130 分压式偏置电路UBQ不受温度影响,仅由电源电压和RB1的分 压电路决定。 ( )* 20305131 分压式偏置电路中,发射极电阻RE能抑制ICQ的变化,它对 交流信号无抑制作用。 ( )* 20305132 分压式偏置电路中,射极电容CE对静态工作点有一定影响。 ( )20401133分析多级放大电路时,可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。()20401134采用阻容耦合的前后级放大电路的静态工作点互相独立。 () 20401135 阻容耦合就是用电阻、电容把前后两级放大电路连接起来。 ( ) 20401136
21、阻容耦合放大电路的主要优点是效率高。 ( )20401137阻容耦合电路的主要优点是效率高。()20401138两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别为AV1、AV2,则这两个放大器连成两级放大器后总的放大倍数为AV=AV1+A ()* 20402139 某多级放大电路由三极基本放大器组成,已知每级电压放大倍 数是AU,则总电压放大倍数为3AU。( ) 20501140 反馈就是将放大器的输出信号的一部分或全部送回到放大器的输入端与输入信号相合成。 ( ) 20502141电压串联负反馈可提高放大器的输入电阻和电压放大倍数。()20502142负反馈使放大器的放大倍数减小,放大倍数的稳定性提高
22、。()20502143负反馈可以减小放大器的非线性失真。()20502144在放大器中引入负反馈是为了降低放大倍数。() 20502145 负反馈有削弱输入信号作用,所以一般不采用负反馈。 ( ) 20502146 负反馈不能提高放大器放大倍数的稳定性。 ( )* 20502147 负反馈可以消除放大器非线性失真。 ( ) 20502148 负反馈对输入电阻有影响,对输出电阻无影响。 ( ) 20502149 判别正反馈还是负反馈通常采用瞬时极性法。 ( )20503150电压反馈送回到放大器输入端的是电压。()20503151反馈到放大器输入端的信号极性和原来假设的输入端信号极 性相同为正反
23、馈,相反为负反馈。()* 20503152 串联负反馈使输入电阻增大,并联负反馈使输入电阻减小。 ( )* 20503153 电压负反馈能使输出电阻增大,电流负反馈能使输出电阻减 小。 ( ) 20503154 电压反馈能稳定输出电压,电流反馈能稳定输出电流。 ( )20504155射极输出器是共集电极电路,其电压放大倍数小于且接近于,输出电阻大,输入电阻小。()20504156为了利用输入阻抗高的特点,通常射极输出器不用分压式偏 置。()* 20504157 射极输出器反馈系数为1,所以它没有放大作用。 ( ) 20504158 射极输出器的输入电阻大,输出电阻小。 ( ) 20505159
24、 通过反馈元件可以把放大器的输出信号送回到输入端。 ( )20505160在射极输出器的射极偏置电阻上引入的是电流串联的负反 馈。它使输入电阻增大,输出电阻减小。() 20520161为提高放大器的放大倍数可以采用正反馈。()20601162OCL功率放大电路输入交流信号时,总有一只功放三极管工作 在截止状态,所以输出波形必然出现失真。() 20601163 因为OTL功率放大电路中的二个三极管工作在乙类状态, 所以也存在着交越失真的问题。 ( )20602164双电源的互补对称功率放大电路选用两个不同类型的功放 管,让它们在电路中交替工作。() 20602165 OCL功率放大电路中的二个三
25、极管一定是NPN型和PNP 型,并它们的特性和参数要求相同。 ( ) * 20602166 甲乙类功率放大器能消除交越失真是因为二只三极管有合适 的偏流。 ( )20603167在单管功率放大器有足够的输出功率,充许功放三极管工作在极限状态。()20603168功率放大器的电压与电流放大倍数都大于。() 20603169 功率放大器不仅要求有足够大的功率输出,而且要求效率高, 非线性失真小, 要考虑散热问题。 ( )20603170近似估算法同样可以应用于功率放大器。()20603171甲类功率放大器的效率低,主要是静态工作点选在交流负载线的中点。使静态电流C较大造成的。() 20603172
26、乙类功率放大器态时,c,所以静态功耗几乎为零,效 率高。 () 20703173 石英晶体振荡器的特点是频率稳定度高。 ( )20702174若要获得低频信号时,通常采用正弦波振荡器。()* 20702175 一般情况下,高频信号发生器采用RC振荡器。 ( ) 20703176电容三点式正弦波振荡器的输出波形比电感三点 式正弦波振荡器的输出波形好。()* 20703177 若要获得低频信号,可采用LC振荡器。 ( )20704178自激振荡器建立振荡的条件是u>。()20704179正弦波荡器是一种能量转换装置,它靠消耗直流电能产生交 流信号。 () 20704180 选频放大器和正反馈
27、电路是振荡器的两个基本组成部分。 ( ) 20704181 要使电路产生稳定的振荡,必须满足振幅平衡和相应平衡两 个条件。 ( )* 20704182 正弦波振荡器只有在外界信号的激励之后,才能产生振荡。 ( ) 20704183 正弦波振荡器中必须有选频网络。 ( ) 20704184 相位平衡条件是指由输出端反馈到输入端的电压相位必须和 输入信号相位相同。 ( )20705185正弦波振荡器中如没有选频网络,就不能引起自激振荡。 ()20705186正弦波振荡器的振荡频率取决于电路的反馈强度。 () 20705187 LC振荡器的振荡频率由LC的值决定;RC振荡器的振荡频率 由RC的值决定
28、。 ( )30101188为了保证直接耦合放大电路能正常工作,必须注意前后级间 静态电位要有合理的配置。() 30101189 在直接耦合放大电路中,用发射极电阻调节电位可以使放大 器前后级间静态电位得到合理配置。 ( ) 30101190 用二极管调节三极管发射极电位可以使直接耦合放大电路 中的前后级间静态电位得到合理配置。 ( ) 30101191 在直接耦合放大电路中,用稳压管调节三极管发射极电位, 可以使前后级间静态电位得到合理配置。 ( )* 30101192 采用PNP型三极管和NPN型三极管组成互补耦合放大电路 可以使三极管的静态工作点得到合理配置。 ( )30102193直接耦
29、合放大器级数越多,零漂越小。()30102194零点漂移是指输出端缓慢的不规则的电压变化。()30102195阻容耦合放大电路不存在零漂问题。()30102196零飘一般是折算到输入端来衡量的。()30102197直接耦合放大电路能放大直流信号但不能放大交流信号。() 30102198 直接耦合放大电路在输入信号为零时,输出电压偏离其起始 值的现象称为零点漂移。 ( )* 30102199 零点漂移,一般是折算到输出端来衡量。 ( )30201200差动放大电路对共模信号没有放大作用,放大的只是差模信 号。()30201201差动放大电路是利用电路的对称性来抑制零点漂移的。 () 302012
30、02 一个完全对称的差动放器电路,共模放大倍数AC为零。( )30201203 差动放大电路的共模放大倍数与差模放大倍数之比称为共 模抑制比,其值越大越好。() 302021204 在带调零电位器的长尾式差动放大电路中,通过调节RP可 以使IC1=IC2。 ( )* 302021205 长尾式差动放大电路中加入辅助电源UEE是为了使三极管 的动态范围变小。 ( )302031206实际差动放大电路中常利用公共发射极电阻E引入的电流负反馈来抑制零漂,E越大抑制零漂效果越好,因此E越大越好。()* 302031207 长尾式差动放大电路中利用共发射极电阻RE引入共模负反馈抑制零漂移。 ( ) 30
31、2041208 差动放大电路的差模放大倍数Ad等于差模输入时电路中每 一个单管的放大倍数。 ( ) 302041209 两个大小不等极性相反的输入信号称为差模信号。 ( ) 302041210 只要有信号输入,差动放大电路就可以有效地放大输入信 号。 ( ) 302041211 差动放大电路对差模信号没有放大作用,它放大的只是共 模信号。 ( ) 30301212集成运算放大电路是一种高放大倍数的多级阻容耦合放大电路。() 30301213 集成电路的元器件性能比较一致,对称性好,适于作差动放 大电路。 ( )* 30301214 数字集成电路主要用于处理连续的、离散的信号。 ( ) 3030
32、1215 集成运放的引出端只有三个。 ( ) 30301216 集成运放的图形符号中“w”表示放大器,三角所指方向为 信号传输方向。 ( )30302217集成运放符号中输入端“”表示同相输入端,输入端 “”表示反向输入端。另外还有一个输出端。所以集成运放的引出端只有三个。()30401218理想集成运放的差模输入电阻和开环输出电阻为无穷大。()30401219理想集成运放的两输入端之间存在着“虚短”和“虚断”现象。() 30401220理想集成运放两输入端电位相等且等于零,输入电流等于零。() 30401221 理想集成运放具有几乎不向信号源吸取能量的特性。 ( ) 30401222 理想集
33、成运放没有失调现象,即当输入信号为零时,输出信 号也为零。 ( ) 30401223 利用“虚短”“虚断”“虚地”等概念分析集成运放电路可简 化分析和计算过程。 ( ) 30401224 反相器既能使输入信号倒相,又具有电压放大作用。 ( )30402225 基本的比例运算放大电路是一种基本非线性放大电路。 ()30402226电压跟随器的闭环电压放大倍数等于。() 30501227 信号运算电路、信号变换电路、集成运放正弦波振荡器都属 于集成运放的线性应用。 ( )30501228加法运算电路有反相加法电路和同相加法电路两种。()30501229差动输入比例运算电路的输出电压反比于两个输入电
34、压之差。 ()30501230反相比例运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。()30501231同相比例运算放大器是一种电压并联负反馈放大器。() 30501232 电压比较器是集成运放的线性应用。 ( ) 30501233 加法运算电路只有同相加法电路,没有反相加法电路。 ( )* 30501234 利用电压比较器可将矩形波变换成正弦波。 ( )* 30501235 “虚短”概念在集成运放的非线性应用中依然成立。 ( ) 30501236 集成运放电路中有负反馈,说明集成运放工作在非线性区。 ( )30502237利用电压比较器可将正弦波变换为矩形波。() 30502238 过零电压比较器、
35、单门限电压比较器是集成运放的非线性应 用。 ( )30503239集成运放电路中如果引入深度负反馈,则它工作在非线性工 作状态。 () 40101240 将交流电变换成直流电的过程叫整流。 ( ) 401021241 整流器一般由整流变压器、整流电路、滤波电路组成。 ( ) 401031242 单相半波整流电路是利用二极管单向导电性在交流电的半 个周期内导通获得电的。 ( )40104243单相半波整流电路中,若变压器输出电压有效值U=10V, 则输出电压平均值U4.5V。()40105244单相半波整流电路中,若变压器输出电压有效值U=20V,负 载电阻R=2则输出电流平均值I4.5A。()
36、40106245整流二极管两端的最大电压出现在反向截止时,此最大电压的值等于变压器输出电压的最大值。()40107246 单相半波整流电路中,整流二极管只导通正弦交流电的半个周期,所以流过整流二极管的电流的平均值为负载电流平均值的一半。() 40108247单相桥式整流电路在输入交流电的每个半周内都有两 只二极管导通。 () 40109248变压器二次电压相同时,单相桥式整流电路输出的直流电压 平均值是单相半波整流电路输出的直流电压的二倍。( ) 40110249单相桥式整流电路中,输出电流平均值的计算公式为 I=0.45UR。()40111250 单相桥式整流电路流过每只二极管的平均电流只有
37、负载电流的一半。() 40112251 单相半波整流电路中,若变压器次级电压是100伏,则负载两端的直流电压是45伏。 ( )* 40113252 单相半波整流电路中,若变压器次级电压是100伏,负载电阻为1.5千欧,则输出平均电流为3毫安。 ( ) 40115253 单相半波整流二极管流过的电流等于流过负载上的电流。 ( ) 40116254 单相桥式整流是利用二极管在交流电压正负半周轮流导通, 并都有同一方向的电流流过负载获得直流电的。 ( ) 40117255 单相桥式整流电路中,若变压器次级电压是100伏,则负载 两端的直流电压为 90伏。 ( ) 40118256 单相桥式整流电路中
38、,若变压器次级电压是100V,负载电阻 为1.5K,则流过负载的平均电流为6mA。 ( ) 40119257 单相桥式整流电路中,每只整流二极管承受的最大反向电压 等于变压器次级交流电压的峰值。 ( ) 40120258 在单相桥式整流电路中,如负载电流是10A,则流过每只二 极管的电流是5A。 ( ) 40121259 因为单相桥式整流电路输出电压脉动小变压器利用率高,所 以广泛应用于仪器仪表通信,控制装置设备中。 ( ) 40122260 单相半波整流电路中,只要把变压器二次侧绕组的端钮对 调,就能改变输出直流电压的极性。 ( ) 40123261 凡是具有单相导电性的元件都可以作为整流元
39、件。 ( )* 40124262 在单相整流电路中,输出直流电压的大小与负载大小无关。 ( )* 40125263 单相整流电路中二极管承受的反向电压的最大值出现在二极 管导通转为截止时。 ( )* 40126264 直流负载电压相同时,单相桥式整流电路中二极管所承受的反 向电压比单相半波高一倍。 ( )40201265共阴极接法的三相半波整流电路中,正极电位最高的二极管导通。() 40201266 三相半波整流电路中的变压器利用率不高,而且通过二次绕 组的直流电会使变压器铁芯趋于饱和。 ( )40202267三相桥式整流电路中,每个整流元件中流过的电流平均值是 负载电流平均值的16 。()
40、40202268 三相桥式整流电路的特点是变压器利用率高,输出电压比三 相半波整流大一倍,且脉动小。 ( )* 40203269 带平衡电抗器的双反星形整流电路适用于低电压大电流负 载。 ( )40204270在变压器输出电压相等的情况下,三相半波整流电路输出电 压平均值是三相桥式流电路的二倍。() 40204271 带平衡电抗器的双反星形整流电路输出电压和三相半波整 流电路输出电压表达式相同,都是UL=1.17U2。 ( ) 40204272 三相桥式整流电路输出电压UL=2.34U2,而带平衡电抗器的 双向星形整流电路输出电压UL=1.17U2。 ( ) 40205273 带平衡电抗器的双
41、反星形整流电路中,每个二极管平均正向 电流IF=IL/6,而三相半波整流电路中每个二极管平均正向电 流IF=IL/3。 ( ) 40205274 三相桥式整流电路中每个二极管平均正向电流IF=IL/3,而带 平衡电抗器的双反星形整流电路中每个二极管平均正向电流 为IF=IL/6。 ( ) 40205275 三相半波整流电路和三相桥式整流电路中的每个二极管平均正 向电流都为IF=IL/3。 ( ) 40205276 三相桥式整流电路输出的电压波形比三相半波整流输出的 电压波形平滑得多, 脉动更小。 ( )* 40206277 三相半波整流电路输出的电压波形比带平衡电抗器的双反星 形整流电路平滑,
42、 脉动小。 ( )40206278三相桥式整流电路输出电压波形较三相半波整流电路平滑得多,脉动更小。() 40206279 三相桥式整流电路和带平衡电抗器双反星形整流电路中的每 只二极管承受的最大反向电压都为U2。 ( )* 40207280 三相半波整流电路和三相桥式整流电路中的每只二极管 承受的最大反向电压均为U2。 ( ) 40207281三相整流电路中二极管承受的最高反向工作电压都是 线电压的最大值。( )* 40207282 三相整流电路中,承受正向电压的二极管一定导通。 ( ) 40207283 三相桥式整流电路中每个整流管中流过的电流平均值是负载电流平均值的1/6。 ( ) 40301284 在电容滤波电路中,电容器能在电源电压升高时储存能量, 电源电压下降时通过负载释放能量使输出电压比较平滑。 ( )40301285单相整流电容滤波电路中,电容器的极性不能接错。()40301286整流电路接入电容滤波后,输出直流电压下降。()40301287整流电路接入电容滤波后,二极管的导通时间将变短。()40302288 电感滤波是利用电
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