传感器与测试技术作业参考答案

1、第一次作业答案 1,2,3><4>< 5X 6X7X 8V9V10V 1、敏感元件、转换元件2、电容式3、被测构件4、线性度5、Wj6、输出、输入7、传感器的分辨率、分辨率8、高精度9、电压、电流10、直流电桥和交流电桥三、,模拟信号的如电阻式传感器、电容式传感器等,数字信号的如光电式编码器2 .p41页,常用的分类方法有按选频作用进行分类低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器、根据构成滤波器的元器件类型进行分类CR LC或晶体谐振滤波器、根据构成滤波器的电路性质进行分类有源滤波器、无源滤波器、根据滤波器所处理信号的性质进行分类模拟滤波器和数字滤波器3 .电阻应

2、变片的工作原理是基于应变一电阻效应制作的,即导体或半导体材料在外力的作 用下产生机械变形时,其电阻值相应的发生变化,这种现象称为应变电阻效应.电阻应变片的工作原理是基于应变效应.电阻应变片的测量原理为：金属丝的电阻值除了与材料的性质有关之外,还与金属丝的长度,横截面积有关.将金属丝粘贴在构件上,当 构件受力变形时,金属丝的长度和横截面积也随着构件一起变化,进而发生电阻变化.dR/R=Ks* £ 其中,Ks为材料的灵敏系数,其物理意义是单位应变的电阻变化率,标志 着该类丝材电阻应变片效应显着与否.e为测点处应变,为无量纲的量,但习惯上仍给以单位微应变,常用符号科表示. 由此可知,金属丝

3、在产生应变效应时,应变e与电阻变化率dR/R成线性关系,这就是利用金属应变片来测量构件应变的理论根底.4 .课本74页5.课本71页6.当金属线材受到单位拉力时,由于整根金属线的每段都受到同样大小的拉力,其应变也是相同的,故线材总电阻的增加值为各微段电阻增加之和.但整根金属线材弯折成栅状, 制成应变片后,在应变片的灵敏轴向施以拉力,那么直线段局部的电阻丝仍产生沿轴向的拉伸应变,其电阻式增加的,而各圆弧段,除了有沿轴向产生的应变外, 还有在与轴向垂直的方向上产 生的压缩应变,使得圆弧段截面积增大,电阻值减小.虽然金属丝敏感栅的电阻总的变现为 增加,但是,由于各圆弧段电阻减小的影响,使得应变片的灵

4、敏系数要比同样长度单纯受轴向力的金属丝的灵敏系数小, 这种由弯折处应变的变化使灵敏系数减小的现象称为应变片的 横向效应.乩的士电也冉口.此用哥I£.庆,. 一心两相对桥壁的阻抗的乘积相等8.课本23页基体图1金属电阻应变丝的结构保护层金属电阻应变理,引姓10.课本第80页s是发生金属丝单位应变所引起的电阻值得相应变化. 课本72页me, r wcu的电阻成文川葡作用 蝌理力轲的隼二:H装在凌舞状件外表上晚2®空震黑黑戒变之比,野 南向方引起的府奥叶中阻桁时密化3®与其削强的遇忤引拒交片的立微新0,通需用舟无自呷；口竿, ¥片的电蜃件"*指:,行

5、片炭优劣的赭要舸* X求富 层却且无黑KW；速形变的火中沟交件的横向龙因武的影河应盥片的灵域系数&'国附的灵联解数A：式3-4.K值一般是由生产工拿给出.！,s 二1陈1 513152黑您部看.» .第二次作业答案xW 4课本116页输出阻抗X 5 v7 6电动势式传感器X 7X8X9,1热电效应2热电效应3汤姆逊电动势4弱、高5电源U、电容器Ca6电荷发生器7逆压电效应8压电效应9超声波换能器10.开磁路、角速度1 .并联和串连,并联的特点为：输出电容为单片电容的两倍,输出电压等于单片电压.极板上的电荷为单片电压的两倍.串连接法的特点：输出电荷等于单片电荷, 输出电

6、压为单片电压的两倍,总电容为单片电容的一半.2 .根据压电式传感器的等效电路,其输出可以是电压,也可以是电荷.其前置放大器也有两 种形式：电压放大器和电荷放大器3输出电荷与输入压强成正比关系课本1204耐度定律:洞的两种吟体材料组成热电偶轲用,其接点温度分用为T,、门f加图4-M所士德电劫势为已J丁总当接点温度为八,兀时,热电动静为,“ F. T4泊弱度为、/时.热动电势为八4. 7),那么有；onn)="y-meg-)M 二鼠X二 一*“申MttMW在由A、B两种导体组成的热电偶回路中,将冷端断开,接入第三体或更多种导体,只要保证接入端的温度相同,那么回路的总电动势不变,又被称为第

7、三导体定律.一|5有标准电极6和7而副玩伴可果同瑞市域恒任驱动,扣命-11幅.巨三勖蛔单回辑级差,螭精度要求不士前用合;贿蓟建通频1,镒性交 玮,主要原需同犍手朝箱汽电由盘鼓雅W三妇需姆恒就动雌髓帽高,翘飕附.谢I作下,脑t新件筋电 巨桐胺区般见自例里硝信隹比恒区工作府塞府联幼式空腮A,反解工嘎埼国吃把.创图771霍耳元件驱动电路恒流婴力小)恒压驱动8、135页查K型热电偶分度表得eAB可得eAB (T,0) = eAB (T,T0) + eAB (T0 Mv由K型热电偶分度表反查得 T=610oC9热电偶电动势的大小是热端温度和冷端温度的函数差,为保证输出热电动势是被测温度的单值函数,必须使

8、冷端温度保持恒定；热电偶分度表给出的热电势是以冷端温度0摄氏度为依据的,否那么会产生误差.10课本138页丁 Ai 4 37所示的半导体薄,1 假设. 商安通以限制电漉L在薄片的垂直方向上施 7式事可施度火火的磁场,那么在薄片的另外 为倒会产生一个芍限制电流/和磁啸应强度K F：震租成比例的电动势乙,这个电动外称为由 尔电动势,这一现象称为雷尔效应,该半导体 薄片称为霞尔元件.第三作业答案1,2,3,4*5,6*说的不全面,共有三种,电离室,闪烁探测器和 G-M计数管7、X温 度8、,9、,10、,11、X是伽马丫射线 12、,13、X光电效应14、X精度高15、X球心做阳极、1、金属探伤、密

9、度 2、红外辐射量、电量 3、光电效应4、外光电效应5、CCD图像传感器6、半导体的光电效应 7、中红外区和近红外区 8、光栅栅距、移动方向和位移量课本159页9、P193页三种,分别为电离室、闪烁探测器和G-M计数管10、P181页,交变,交变11、P159页,移动方向和位移量 12、P186页弱、强13、P186页高、短、不明显、好14、P147页光敏电阻、15、P148页光电池16、P151页光纤传感器 17、P155页光电编码器 18、P155页数字信号、计算机和显示装置、19、P158页标尺光栅、光路系统 20、P158页莫尔三、1、P151页光纤传感器是近几年来迅速开展起来的一种新

10、型传感器,他具有抗电磁干扰、电绝缘性好.灵敏度高等一系列优点,而且还有广泛的应用前景.怆勺娈化转施狗光特性强度3带.偏振态.化纤传感器是近比卜年来迅速发危标的二种新型传感器,它具便型七曳里纥堤点艘岛3系列更名口域那么J包0t干痴国原子辅射的性能,径细、质软泛的应用前事 光舒兵有很多优异的性徽 如抗 械性能,葩缘、无除应的电气性能,时水、时高温、耐腐蚀的化学性能等因此.能够在人达不钊的地方即高温区或者i寸人小害的地区如核辐射区, 人的感官所感受不到的外界信息起到人的耳目的作用,而旦还鹿蚀越人的生理界理.接收坦北导纤维町传光特性,将蹩迪里里 嬴丁改改"用&舞就是光纤传噌器2、P1

11、68电荷耦合元件也可以成为 CCD图像传感器.CCD是一种半导体器件,能够将光学影像转化成数字信号,CCD上植入的微小光敏物质成为像素,一块CCD上包含的像素数越多,其提供的画面分辨率越高.CCD的作用好比胶片,但它将图像像素转换为数字信号.3、 P148就拽苴热T白偃将生催网缸助电峥HMtW.光电池的工.作原理及符号如同 所示口硅光电池是在一块N型或P到硅片上,用扩散的方法掺入一些P型或M 杂质.而形成的 个大面积的PN结.当人射坨照在PN结上时,形成P区为正、区力 的先生电动殍 假设将】不结与负载相连接,那么在电路L：右电流通过1 光o 0p o4、P146 一是先将非电量的变化装换成光电

12、量的变化；二是通过光电器件的作用,将光量的变化转化成电量的变化.这样就实现了将非电量的变化转化成电量的变化的目的.一5、 P146根据光电效应现家的不同糖怔,可将光电效应分为3类士外光电效应口外光电效应是指在光线的照射下' 使电子从物体龙面逸出的观史如光电管.光电倍增管等都属于这类光电器件2内光电效应内光电效应是指在光线的照射卜二使物体的电阻率发生改支的现象. 如光敏电阳等就属于这类光电器件.3光生伏特效应,光生伏特效应是指在光线的照射下,使物体产生一定方向的电窈 势的现象,如光敏二极管、光敏三极管,光电池等都属于这类光电器件,6、A PZT热电元件 B FET管场效应管是电压限制元件

13、,而晶体管是电流限制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管；而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.C滤光器7、 P181 页ST X小由取二?：岛,短率陋强.嵬的 美热除防*"题史.4 £4 f|! H I r f pi jt JU k E11% Ar *B M. iti /a ri 力心0i .!十川骋哂评跣电体来受现总前的 铁电体的嵌化表度单值. 税上的电荷与通度福共力红外制射骐射到已解糙ft的镁电体河片外表后时,会引起苒 制度升高,使梭化蠲度阵传,表血电前戏少.这ttffi当于伊戚r一事分电荷,如果梆班帙电阻,铁电体薄片相

14、速*那么里我电同Lt会产生一个也熠4输出.,出信号的大小取携J：肆时 温度变化的快慢,从而上映出时灯外解射的胥强 由此中尼碧X电报器的申一用布而F 第四次作业正比F A酎辆射在化的速章 当刊定的打斗闹射照射小热降电测胖f H1,挥油器没由电信 号输出,四为只有工铁电体温度处F娈化过程中才会检Hi电信号a Jff或,乜叁史K渡行,制,便恒定轴射变或交变阻射,不断地引起晚电体的温哄突化.才1S尊ft热雅电产 宜mir小之空怙号 -"''''奠口 油指储一、1X2,P205页,这种出现较晚,3、,P207页4、XP209页5、XP211页加速度传感器6、VP

15、212 7、X P234页电信号 8、,P248 页 9、,P250 10、X P250开发时间少二、1、CCEW本P234页2、检测和识别 课本P236页3、课本P239页冷热和软硬4、气 敏传感器阵列和分析处理器课本的P240 5、金属氧化物半导体传感器课本P240页6、种类和浓度 课本P241 7、味觉传感P242 8、硬件、软件平台课本P248 9、模糊传感器、网络传感器10、声波、电信号课本P244页三、1、课本P245页a 5.2语音识别系筑让机牌耕传密器斗斗的濡干彳百信号通过识别和理解过程转变为相应的U赢统杆图加图8 - .小川、标灌快板的相征ill门特定人忆业支福普;特祉提取3

16、1-比拟渊距离捏高JM的过程如下1'''目从谢假设波形中提取随时间变化的遴旨特征序列."特征的提7HI 1,升好征册垠的H纥 ：.诲M征的姓取出是.个偏奥夫修度班编的过程也是 普区别的三;音信号的时求特性,肺打提取心缎在一小段语音值号上班行.二一信乩是语音也别系统中用隹蛙的局部由学M愠盘那 二最一:板一七 较计算卮知梯的构征矢*刑*,.之间 做“用薪皿珅:喘特;鹿田匹 的诳付网"柳?:用语帝俄作府小柝.嚼冉娟常韵小便的出憎境的网应'址倡对耶荏的过程由:m；棘为岫帧耳醐之例的偏移讷忖限帧氏的或-3.拌封信 即被认为是平稳的分新:n藉免酊时的音段

17、边绕的热色. 号进行提弁高朝的虻理.A3巩例衲辱感?法 inriiii#* *2、包括数值型、布尔型 、字符串型、枚举型、动态数据类型；数值型数据类型用于表示各种不同类型的数字,3、信号发生和信号的调理课本P267页n信号发生很多情况能要在.设有硬件的条件下时系统进行仿内或验证系蜕也有尼硼,在炭些情况 可能还需要逋过D/、变换间硬件输入波形n这时候就需嬖用波形友生函数来模孤 '龙的波形f O信号按不同的需求既“I以用波形数据类型表示,也可以用一堆寸波形数据的Y分.就是一维题名 同期.采样率=1,山|节信息:山实解上,民不果蟀构鼓曲板,j因此,LahlEW行两“数据类型展示的波/信号 1

18、曲的且时前出超期生薯的 工VI函数用户很容弼就时以得到需要的个函数面板上的' 募,.I .“山_ 般1t 一展址怅总值司 Mmiuki匕成“面板用F产力事“波形斗:成“面板用维数组表示的波形信号种生用以,讣储11-、i函效拉m2信号徜理信号理的目的是尽量减少干扰信号的影响,提育信号的信噪比,它会直接影响分析各 果口因此,一般来说,信号是信号分析前需要的必要步孤常用的信号调理方法有W 茂、故大和加窗等,信号调理的相关雨敷面板位于“函数面板的“信号处理面板'.4、信号调理的目的是尽量减少干扰信号的影响,提升信号的信噪比,他会直接影响分析结果.因此,一般来说,信号调理是信号分析前需要

19、的必要步骤.常用的信号调理方法有滤波、放大和加窗等.5、交会即是两个航天器,在预定时间,抵达一定的轨道和空间；对接即是使两航天器连接 在一起.在整个过程中,重要技术是利用由摄像敏感器和接近敏感器组成的测量系统精确的 测量两个航天器的距离、 相对速度和姿态,其中应用了大量的测量传感器技术,如电波交会雷达.激光交会雷达、卫星导航测量系统和CC班学成像系统等.1、 传感器的传感元件通常情况下直接感受被测量；V C XC2、3、 对于所有的二阶传感器,总是希望其固有频率越高越好；V ' x '4、5、 一般情况下,设计弹性敏感元件时,假设提升灵敏度,那么会使其线性变差、固有频率提高；,

20、广 X广6、7、 应变片的基长越长,那么应变片的动态特性越好；VX8、9、 变磁阻式电感传感器属于互感型的电感传感器；V ' X .10、11、压电式传感器不能测量恒定不变的信号；V ' X '12、13、惯性式振幅计,在设计时尽量使其固有频率低.V ' x '14、15、传感器的重复性误差是属于系统误差；V ' X16、 17、传感器的敏感元件通常情况下不直接感受被测量;18、19、传感器实现波形测试不失真的条件是：传感器的幅频特性和相频特性均是常数；VX20、21、传感器弹性敏感元件的固有频率越高,那么传感器的灵敏度越低, 线性度越差；VX2

21、2、23、应变式传感器采用半桥连接时,假设供桥电源波动的误差为2%那么由此引起的电桥信号输出波动的误差为 1% o V 'X '24、25、压电片采用并联连接后,更适合于测量快速变化的信号；V ' X '26、27、圆柱形弹性元件受力产生的应变大小与圆柱的长度无关；V ' X ,28、29、驱动电缆法实际上是一种等电位屏蔽法；V C X C I30、31、差动变压器采用差动整流电路后,次级电压的相位和零点剩余电压都不必考虑；V广 X32、33、希望压电传感器的电阻率高,介电常数小；V ' X .34、35、半导体光吸收型光纤温度传感器是属于传光型

22、光纤传感器；V ° X C I36、37、传感器的动态灵敏度就是传感器静态特性曲线的斜率；V ' X '38、39、根据能量关系分类传感器可分为结构型传感器和物性型传感器；V ' X '40、41、激波管产生激波压力的恒定时间越长,那么可标定的下限频率越低；VXC |42、43、 压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小；VX44、45、光导摄像管是一种固态图像传感器；V .X '46、47、 热释电型红外传感器必须进行调制.V .X '48、49、传感器的幅频特性为常数,那么传感器进行信号的波形测量时就不会失真.VrX50、51、

23、等截面梁的不同部位所产生的应变是不相等的.V ' X52、53、 一般来说,螺管型差动变压器的线性范围约为线圈骨架长度的二分之一.V 055、 r56、57、58、59、 r60、61、 r62、63、64、65、66、67、68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、压电常数d32所表示的含义是：沿着z轴方向受力,在垂直于y轴的外表产生电荷；VrX涡流式电感传感器属于互感型的电感传感器；V ' X ''金属丝的电阻应变效应中,引起电阻改变的主要原因是

24、电阻率的改变；V ' x压电常数dij中的下标i表示晶体的极化方向,j表示晶体受力的性质；V C x压电常数dij中的下标i的取值范围是16. J © x 0时间常数.越小越好.V ' x '红外传感器在使用时必须进行调制.V C x电容式传感器采用差动结构可以提升灵敏度、减小非线性.Vx '涡流渗透的深度与所加的信号频率成正比.V C x C IIEEE1451定义了智能化网络传感器的相关内容.V . X为了改善一阶传感器的动态特性,可以增大其时间常数.V ' X .等强度梁的不同部位所产生的应变是不相等的.V ' x '感应

25、同步器中,感应正弦信号的绕组称为余弦绕组.V ' x '对于所有的二阶传感器,总是希望其固有频率越高越好.V ' x '压电式传感器不能测量静态信号.V ' x '金属丝的灵敏度Ks恒小于同一材料金属应变片的灵敏系数Ko Vx透射式涡流传感器所加鼓励电源的频率越高越好.V ' x '热电偶的热接点尺寸越大,那么其动态响应特性越好.V C x C I传感器的非线性误差属于随机误差.Vx '热电偶回路热电势的大小只与材料和端点温度有关,与热电偶的尺寸形状无关.95、红外探测器是红外传感器的核心,常见两大类：热探测器和光子探测器

26、 V . Xr96、97、把两种相同导体或半导体两端相接组成闭合回路,那么回路产生热电势,这种现象称热电效应.Vx98、99、功能型光纤传感器,光纤不是敏感元件.V . X100、101、将温度变化转为热电势变化的传感器称为热电阻传感器.V C X C I102、103、红外线与可见光、紫外线、X射线、微波以及无线电波一起构成了完整的无限连续的电磁波谱.V ' X '104、105、红外辐射在大气中传播时,由于大气中的气体分子、 水蒸气等物质的吸收和散射作用,使辐射在传播过程中逐渐衰减.V ' X ,106、107、热敏电阻型红外探测器的热敏电阻是由镒、馍、钻等氧化物混

27、合烧结而制成的,热敏 电阻一般制成圆柱状,当红外辐射照射在热敏电阻上时,其温度升高,内部粒子的无规那么运动加剧,自由电子的数目随温度升高而增加,所以其电阻增大.,C x C |108、109、当光辐射照在某些材料的外表上时,假设入射光的光子能量足够大,就能使材料的电子逸出外表,向外发射出电子,这种现象叫内光电效应或光电子发射效应.V C x110、111、辐射出射度表征辐射源单位面积所发出的辐射功率.V C X C I112、113、当恒定的红外辐射照射在热释电传感器上时,传感器才有电信号输出.V . xC114、115、使用光电导传感器时,需要制冷和加上一定的偏压,否那么会使响应率降低, 噪

28、声大.响应波段窄,以致使红外传感器损坏.V C x c I116、117、当红外辐射照射在某些半导体材料的 pn结上时,在结内电场的作用下,自由电子移 向P区.空穴移向n区.如果pn结开路,那么在 pn结两端便产生一个附加电势,称为光生电动势.Vx118、119、光磁电传感器不需要致冷,响应波段可达7 dm左右,时间常数小,响应速度快. ,广 X广120、1、选择二阶装置的阻尼比I=0. 707,其目的是.A.阻抗匹配 B.增大输出量 C.减小输出量D.接近不失真条件2、用脉冲锤激振时,为了获得较宽的激振频率,可A.增加敲击力B.增加锤头硬度C .增大锤重D .减小冲击力3、 测量不能直接接触

29、的高温物体温度,可采用温度传感器.A.热电偶 B.亮度式 C.半导体三极管D.半导体二极管4、 电容式湿度传感器只能测量湿度.A .相对 B.绝对 C.任意 D.水分5、 电桥测量电路的作用是把传感器的参数变化转为的输出.A .电阻 B .电容 C .电压 D .电荷6、 压电式加速度传感器是信号的传感器.A.适于测量任意B.适于测量直流C.适于测量缓变D.适于测量动态7、 对于电涡流传感器的谐振测位移电路,当无金属导体靠近时,其输出电压 A .最大 B.最小 C.随机变化D.中间点8、 电涡流式传感器激磁线圈的电源是I.A .直流B.工频交流C.高频交流D.低频交流9、 变间隙式电容传感器的

30、非线性误差与极板间初始距离d0之间是I.A.正比关系B.反比关系C.无关系10、 单色光的波长越短,它的.A.频率越高,其光子能量越大B.频率越低,其光子能量越大C.频率越高,其光子能量越小D.频率越低,其光子能量越小11、 热电偶可以测量I.A压力 B电压 C温度 D热电势12、 目前我国使用的钳热电阻的测量范围是I.A -200 850 cB -50 850 cC -200 150 cD -200 650 c13、 以下被测物理量适合于使用红外传感器进行测量的是A.压力B.力矩 C.温度 D.厚度14、 属于传感器动态特性指标的是A.重复性B.线性度 C.灵敏度 D.固有频率15、 根据工

31、作原理分类,固体图象式传感器属于A.光电式传感器B.电容式传感器C.压电式传感器D.磁电式传感器16、 测量范围大的电容式位移传感器的类型为A.变极板面积型B.变极距型C.变介质型D.容栅型17、 利用相邻双臂桥检测的应变式传感器,为使其灵敏度高、非线性误差小 A.两个桥臂都应当用大电阻值工作应变片B,两个桥臂都应当用两个工作应变片串联C.两个桥臂应当分别用应变量变化相反的工作应变片D.两个桥臂应当分别用应变量变化相同的工作应变片18、 影响压电式加速度传感器低频响应水平的是A.电缆的安装与固定方式B.电缆的长度C.前置放大器的输出阻抗D.前置放大器的输入阻抗19、 固体半导体摄像元件 CCD

32、是一种A . PN结光电二极管电路B. PNP型晶体管集成电路C. MOS型晶体管开关集成电路D. NPN型晶体管集成电路20、 将电阻R和电容C串联后再并联到继电器或电源开关两端所构成的RC吸收电路,其作用是A.抑制共模噪声B.抑制差模噪声C.克服串扰D.消除电火花干扰21、 函数xt的傅里叶变换为X f,那么函数 yt=2x3t的傅里叶变换为 LA . 2X (7)C. 3 X (f)D. 2X (f)22、 周期信号的自相关函数必为A.周期偶函数C.周期奇函数B.非周期偶函数 D.非周期奇函数23、 属于传感器动态特性指标的是A .迟滞B.过冲量C.稳定性D.线性度24、 传感器能感知的

33、输入变化量越小,表示传感器的A.线性度越好B.迟滞越小C.重复性越好D.分辨力越高25、 感应同步器的作用是测量一A .电压B .电流C.位移D.相位差26、 以下测力传感器中,属于发电型测力传感器的是A.自感式传感器B.磁电感应式传感器C.电容式传感器D.应变式传感器27、 热敏电阻式湿敏元件能够直接检测一A.温度 B,温度差C.相对湿度D.绝对湿度28、 假设周期信号彳力的周期为T,那么其基波角频率为竺 1H1A.亍 B . ? C.赤 D.亍29、信号汇&与信号尸3完全不相关,那么该二信号的互相关系数满足A, b .一C.<D.； 30、 金属在受到外力作用时,会产生相应的

34、应变,其电阻也将随之发生变化,这种物理现象称为JA.霍尔效应B.光电效应C.应变效应D.压电效应31、在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称A.光电效应 B.光生伏特效应C.内光电效应 D.外光电效应32、 在扩散硅压力传感器,其敏感元件周边固定圆膜片,当 I具有最大负应力.A. r=0 B. r=r0c. r= 0.635 r0D. r= 0.812 r033、 在霍尔元件的主要指标中,Kh是指灵敏度.A .磁 B ,乘积C .电流 D .电势34、 在压电材料的主要特性参数中,是衡量材料压电效应强弱的参数,它直接关系到压电输出的灵敏度.A.压电常数B ,介电常数C.居里点 D.

35、弹性常数35、 光纤按分,有玻璃光纤和塑料光纤.A .传输模式B .纤芯和包层 C .折射率 D.敏感元件对光强制36、 某些电介质,当在电介质极化方向施加电场,它会产生变形,这种现象称为A.逆压电效应B.正压电效应 C.负压电效应 D.无压电效应37、 半导体热电阻式传感器简称.A.热敏晶体管 B.热电偶传感器C.热电阻 D.热敏电阻38、 当光敏元件加一定电压时,光电流 I与光敏元件上光照度E之间的关系,称为 .A,温度特性 B.光照特性 C.光谱特性 D.伏安特性39、 在检测技术中,主要采用的是压电型换能器,发射超声波利用压电材料的I,而接收信号那么用.A.多普勒效应 B.多普勒频移

36、C.逆压电效应 D,正压电效应40、 变面积式自感传感器,当衔铁移动使磁路中空气缝隙的面积增大时,铁心上线圈的电感量J.A .增大 B .减小C.不变41、 红外线是位于可见光中红色光以外的光线,故称红外线.它的波长范围大致在()至ij 1000 dm的频谱范围之内.A. 0.76nm B. 1.76nm C. m D. m42、 在红外技术中,一般将红外辐射分为四个区域,即近红外区、中红外区、远红外区和().这里所说的“远近是相对红外辐射在电磁波谱中与可见光的距离而言.A .微波区 B .微红外区C . X射线区 D .极远红外区43、 红外辐射在通过大气层时,有三个波段透过率高,它们是m、

37、35(im和(),统称它们为“大气窗口.A. 814 匹 B. 715 皿 C. 818 Mm D. 7m44、红外探测器的性能参数是衡量其性能好坏的依据.其中响应波长范围(或称光谱响应),是表示探测器的()相应率与入射的红外辐射波长之间的关系.A.电流 B.电压 C.功率 D.电阻45、 光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化.通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱.光子效应所 制成的红外探测器.A.光子效应B.霍尔效应C.热电效应 D.压电效应46、 当红外辐射照射在某些半导体材料外表上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状

38、态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫( ).A.光电效应B.光电导现象C.热电效应D.光生伏特现象47、 研究发现.太阳光谱各种单色光的热效应从紫色光到红色光是逐渐增大的,而且最大的热效应出现在()的频率范围内.A.紫外线区域 B. X射线区域C.红外辐射区域 D,可见光区域48、 实验说明,波长在()之间的电磁波被物体吸收时,可以显著地转变为热能.A. 814 匹 B. 715 皿 C. 2. 614 D .100049、 利用温差电势现象制成的红外传感器称为()红外传感器,因其时间常数较大,响应时间较长,动态特性较差,调制频率应限制在10Hz以下.A.热电偶型B.热释电

39、型C.热敏电阻型D.热电动型50、 d传感器是利用气体吸收红外辐射后,温度升高,体积增大的特性,来反映红外辐射的强弱.A.热电动型B.热释电型C.高莱气动型 D.气热型51、 传感器在正、反行程中输出输入曲线不重合称为.A.非线性 B.迟滞 C.重复性 D.灵敏度误差52、 应变式传感器是一种 的测量装置.A.只能测量应变B.只能测量电阻的相对变化C.可以测量能转化为应变的被测量D.可以测量所有的被测量53、 差动电容传感器采用差动脉冲调宽电路时,其输出电压正比于 .A.B .- J1GC.一,；：,. 11 D . I I-54、 直流电桥的平衡条件可以概括为 .A.对臂阻抗之积相等B.对臂

40、阻抗之比相等C.相邻臂阻抗之积相等D.相邻臂阻抗之和相等55、 电容式传感器在结构上加等位环的目的是为了.A.补偿温度变化的影响 B.减小寄生电容C.减小边缘效应D.可以测量静态信号56、 微机电系统的英文缩写为.A . PSD B. PVDFC. PZT D. MEMS57、 应变式传感器采用半桥差动等臂电桥转换电路时,假设电源电压为"时,其输出电压 明为.A.= B.=- C,= -： D,=58、 热电阻传感器的测量引线采用3线制是为了I.A.消除引线电阻的影响B.消除接触电动势的影响C.减少绝缘电阻的影响D,减少寄生电动势的影响59、 气敏传感器中的加热器是为了I.A.去除吸

41、附在外表的气体B.起温度补偿作用C.去除传感器中的水分 D.去除吸附在外表的油污和尘埃60、 栅线密度为50线/mm的光栅,其栅线间距为I.1、2、3、4、5、A. 50mm B. 0.05 mm C. D . 2mm传感器又称为在采用正弦输入研究二阶传感器频域动态特性时,常用特性和特性来描述传感器的动态特性,其重要指标是和对于丝式应变片主要由 成.应变片的主要参数有6、7、 电感式传感器是建立在 上,利用线圈 或 的改变来实现非电量电测的.电感式传感器可以分为、 等几大类型.8、9、 涡流式传感器的信号调理电路主要有 、几种形式.10、11、电荷放大器的作用是 、等.其突出优点是.12、13、 机器人外界检测传感器可以分为、;机器人触觉传感器包含的内容有14、15、 热电偶的