TMS320VC55x系列DSP在线烧写方法研究

1、tms320vc55x系列dsp在线烧写方法研究随着数字信号处理技术的迅速进展，越来越广泛地应用于各种数字信号处理系统中。因为tms320vc55x系列dsp的内部存储器没有可供用户用法的flash，而终于开发的系统要想脱离器运行。必需将程序代码存储在非易失性存储器中，所以要对dsp外接存储器。flash存储器以其大容量和可在线编程等特点已成为dsp系统的一个基本配置。如何将程序烧写入flash，并在上电时加载到dsp内部的ram，是flash在dsp系统中应用的两个基本技术问题。以基于ti公司的tms320vc5502和sst公司的sst39vf200开发的系统为背景，具体介绍了系统引导相关

2、的硬件设计，烧写软件设计以及自举引导等实现办法。2 tms320vc5502的自举引导21 tms320vc5502的存储区以及bootloadertms320vc5502的存储区是统一分配地址，即对程序和数据的拜访在相同的物理空间。tms320vc5502的存储区共分为4个区，即ce0，cel，ce2，ce3，其字节地址分离为000000h-3fffffh，400000h7fffffh，800000hbfffffhc00000h"ffffffh。片内存储器共48 k字节，可分为32 k的16位字的ram和16 k的16位字的rom，片内ram的字节地址为000000h00ffffh

3、，位于cel区；片内rom的字节地址为ff8000hffff00h。片内rom从ff8000h开头的区域包含bootloader，该程序在系统上电或复位后可以将用户代码自动搬移到片内ram运行。22 自举加载模式挑选tms320vc5502的引导模式挑选是通过3个模式挑选引脚bootm0：2配置完成的。bootm0：2引脚分离与gpl00，gpl01，gpl02相连。自举加载模式挑选如表1所示。tms320vc5502每次上电复位后，在执行完一系列初始化工作后，按照预先配置的自举模式，通过固化在rom内的bootloader程序举行程序引导。系统设计中，采纳emif(外部存储接口)并行引导模式

4、(16位数据宽度)，只需将bootm2：0设置成011即可。23 tms320vc5502的引导表bootloader允许应用代码存放在慢速非易失性的外部存储器中，然后再将代码搬移到高速的片内存储器执行。应用代码以一种bootloader能够理解的特别格式编码，这种格式就是自举加载表。boofloader在引导程序时，程序代码是以自举加载表形式加载。自举加载表包含了将要搬移的代码段、程序段，以及这些段将要被搬移到的地址和加载完成后程序要执行的地址(即程序入口地址)和其他一些配置信息。tms320vc55x系列dsp的自举加载表结构如表2所示。其中，程序入口地址是自举加载表加载结束后用户程序开头

5、执行的地址；寄存器配置数目打算了后面有多少个寄存器需要配置：惟独当延时标记为0xffff时，延时才被执行；延时长度打算了在寄存器配置后延时多少个cpu周期才举行下一个动作；段长度、段起始地址和数据则为用户程序中定义的各个段的内容，并且可以重复添加；最后以0x00000000(32个01作为引导表的结束标记。若要生成引导表，可用ccs终于编译生成的out文件通过ccs自带的hex55exe转换程序得到。将hex55exe文件、out文件、cmd文件放在同一个文件夹中，通过dos指令调用hex55exe和cmd文件，即可完成out文件到hex格式的引导表文件的转化。cmd文件用于提供引导表的相关配

6、置信息，以下为一个cmd文件实例。boot：表示生成一个自举加栽表v5510：2：生成c55x格式的自举加载表parallell6：加载模式是16位外部异步存储器a ：要求的输出格式是ascii格式o mvbsohex：指明输出文件名bsoout：指明输入文件名经hex55exe文件转化后的hex格式的自举加载表文件是不能挺直导入ccs中，ccs只支持将特殊规定的dat格式文件通过ldaddata导入内存。所以在导入之前必需先将自举加载表转化成dat格式文件，这个工作可以用vc编写容易的转化程序实现。24 tms320vc5502和flash的衔接emif为外部存储接口，通过emif接口可灵便

7、地和各种同步或异步存储器件无缝衔接。通过emif接口可以将tms320vc5502的存储空间扩展到128 mbit。存储空间被分为ce0"ce3四个区每区占用不同的地址。在emif的并行引导模式下，rom固化的bootloader程序是以字地址0x200000为首地址开头加载程序。ox200000即为cel空间的首地址，所以flash必需接在dsp的cel空间上。tms320vc5502的emif有内部和外部两种地址。内部地址总线为a21：2，外部地址总线为a19：0。emif按照所用的存储器数据线大小自动将内部地址总线移位，以便与外部地址总线衔接。外存储器的地址总线应当总是衔接在e

8、mif、的以a2开头的地址线上。例如一个8，16或32位的异步存储器的地址总线an：0(其中n表示外存储器的地址线个数)应当衔接emif的地址线an+2：2。图1给出tms320vc5502和flash的衔接实例。表3为tms320vc5502的内部总线和外部地址总线的映象关系。3 并行flash的烧写31 数据烧写程序设计flash的数据可挺直读取，但对flash的编程和擦除操作则需要通过一系列指令才干举行。sst39vf200的写操作只能将1变成0，而o变成l必需通过擦除操作举行。所以每次写flash之前必需举行片擦除，使存储单元值变成0xffff才干举行编程。擦除指令需要6个周期，编程指

9、令需要4个周期，操作指令如表4所示h。编程和擦除操作都需要一定周期的时光(sst39vf200的单字编程时光是14s，整片擦除时光是70 ms)。用户可以通过查询标记数据线dq6和dq7确定编程或擦除是否完毕。当器件正处于编程或擦除状态时，延续读随意单元的值，d06的值将向来在o、l之间交替变幻。当编程或擦除结束时，读dq6则得到一个恒定值。这里即通过此办法推断操作是否结束。按照flash的编程和擦除指令，编写了相应的c语言程序，其中在tms320vc55x系列1)sp中，对外接存储器的拜访要调用库函数far_poke()和far_peek()。这2个函数包含在extaddr.h头文件中，并且寻址的地址为字地址。以下给出擦除程序，写操作与此类似。表5为对外接存储器读写的库函数。32 程序的烧写实现系统在ccs仿真环境下对flash举行在线编程。先建立一个flash的烧写工程，并在工程中将要烧写进flash的自举加载表文件通过ccs的loaddata功能挺直加载进dsp的内存。按照加载的首地址和数据长度，在仿真环境下烧进flash中。固然也可以挺直在程序中定义一个数组，将dat文件中的数据赋值给该数组的元素，然后将该数组的每个元素写入flash。在运行烧写程序之前，要先对emif举行设置，由于emif默认的是接8