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文档简介

MOS器件及单级放大器MOS器件物理基础 MOSFET的结构MOS器件物理基础 阈值电压：能够在漏极和源极之间形成导电沟道时， 栅极所需施加的最小电压。 I/V特性： 跨导gm：漏电流的变化量除以栅源电压的变化量。二级效应 单级放大器 WHY?有些信号不能驱动负载、不能克服噪声、不能为数字电路提供逻辑电平，所以需要进行放大。 最终目的 为了提高增益、改善线性度、输入输出阻抗等。共源级放大器其他负载的共源级 二极管连接的负载（栅漏相连，故总在饱和区） 电流源负载 尽管没有电压增益，但是有电流增益，用它可以 提供较大电流去驱动低阻抗的负载电阻。其他负载的共源级 工作在线性区的MOS为负载：一般都要求负载工作在深线性区，此时就相当于一个电阻 带源极负反馈：提高线性度、增大输出电阻 辅助定理：线性电路中，Av=-Gm*Ro，Gm为输出与地短接时电路的跨导；Ro为输入电压为0时的输出电阻源跟随器（共漏） “缓冲器”作用，为了降低驱动低阻抗负载而产生的损耗。特点：高的输入阻抗和中等的输出阻抗；但非线性和电压余度减小了。共栅级 在共栅极放大器中，体效应会使共栅级的等效跨导变大，所以增益也就变大了。共源共栅级 输出阻抗很高，输出电压摆幅减小，既能放大电压又能放大电流，起到提高增益的作用。 屏蔽特性 将输入器件“屏蔽”，使它不受输出结点电压变化的影响器件

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