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文档简介
1、模拟电子技术模拟试题【文后附答案】得分阅卷 人、单项选择题(共20题,每题2分,共40分)1 .晶体三极管处于放大状态时,集电结和发射结的偏置情况为()0A发射结反偏,集电结正偏 B发射结、集电结均正偏 C发射结正偏,集电结反偏2 .电压跟随器是()的特例。A反相比例运算 B同相比例运算C加法运算3 .反相比例运算放大电路引入的是()负反馈。A串联电压B并联电压 C 串联电流4 .三极管作放大管时一般工作在()。A放大区 B 截止区C 饱和区5 .温度影响了放大电路中的(),从而使静态工作点不稳定。A 三极管 B 电容 C 电阻6 .场效应管是()器件。A电流控制B电压控制 C光电控制7 .差
2、分放大电路是为了()而设置的。A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移8 .场效应管按性能分为耗尽型和()。A绝缘栅型B 耗尽型 C 增强型9 .单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均在Uo=( )U2。A 0.45 B 0.9 C 1.210 .整流的目是()。A将交流变为直流 B将高频变为低频 C将正弦波变为方波。11 .射极输出器的输出电压与输入电压()。A 反相 B 同相 C 不确定12 .直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和()。A 温度升高 B零点漂移 C功率输出增大13 .理想运放同相输入和反相输入的虚短指的是()这种现象。A U+ =U- B U+=0 C I+=
3、I-14 .利用二极管的()可以交流电将变成直流电。A 放大特性 B稳压特性C单向导电性15 .滤波电路的作用是()。A减小直流电的脉动B 输出稳定电压 C 整流16 .三极管是电流控制器件,三极电流关系为()和IC=B旧。A IC =IB+IE B IE =IB+IC C IB =IE+IC17 .根据三极管结构的不同有 NPNff口 PNP两种,而根据材料的不同分为()两种。A 硅和磷 B 错和硼C 硅和错18 .输入电阻、输出电阻和()是放大器的主要性能指标。A电压放大倍数B 电源C 功率19 .引入负反馈后,不能改善的是()。A放大倍数的稳定性B减少小信号源的波形失真 C减少放大器的波
4、形失真20 .放大电路静态工作点在输出特性曲线()处,功率放大器为甲乙类工作状态。A IC=0 B中点 C IC =0 D IC w0得分阅卷 人(共20空,每空1分,共20分)1 .N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是(),PN结 具有()特性。2 .半导体三极管的三种工作状态是()、()、()。3 .三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。4 .三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()05 .多级放大电路的耦合方式主要有()、()、()和()。6 .差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称
5、为()信号。7 .理想运放的两个重要特点(即结论)是:() 和()。8.OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。三、判断题 (共10题,每题1分,共10分) 阅卷人1 .只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。2 .引入直流负反馈可以稳定静态工作点。3 .负反馈越深,电路的性能越稳定。4 .零点漂移就是静态工作点的漂移。5 .放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。6 .镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。7 .半导体中的空穴带正电。8 .P型半导体带正电,N型半导体带负电。9 .实现运算电路不一定非引入负反馈。10 .凡是引入正反馈的
6、集成运放,一定工作在非线性区。得分 四、分析题(共15空,每空1分,共15分) 阅卷人1.在一个放大电路中,三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示, 将每只管子所用材料(Si或GR、类型(NPN£ PNP及管脚为哪个极(e、b或c) 填入表内。得分阅卷 人1题,每题15分,共15分)管号T1T2T3管号T1T2T30.76.33电管脚 电位 (V)0610极533.7名称材 料类 型1 .如图所示电路,已知UCc=12v,UbeQ=0.7v,R B=300kQ ,Rc=3kQ ,Rl=3KQ ,Rs=3kQ , 0 =50试求:(1)试估算静态工作点;(5 分)(2)画出微变等效电路
7、; (5分)(3)电路的电压放大倍数 A; (3分)(4)输入电阻R和输出电阻R; (2分)+Us()Ui+Uo模拟电子技术模拟试题答案、选择题(共20题,每题2分,共40分)12345678910CBBAABCCCA11121314151617181920BBACABCABC二、填空题(共20空,每空1分,共20分)3.电流、电压4.正偏、反偏5.直接耦合、阻1.电子、空穴、单相导电 2.放大、饱和、截止容耦合、变压器耦合、光电耦合6.共模、差模7.虚短、虚断8.双、单三、判断题 (共10题,每题1分,共10分)1 X 2 Vz 3 X 47 V 8 x 9 x 10 x(1分)四、分析题(
8、共15空,每空1分,共15分)管号T1T2T3管号T1T2T3管脚0.76.33BEE电位0610电极EBC(V)533.7名称CCB材料SiGeSi类型NPNPNPNPN五、计算题(共1题,每题15分,共15分)1.解:(1)估算静态工作点根据KVL定律,基极回路的方程式为Uc(=I bQRb+UBeq( 1 分)I BQ=( U CC -U BE/R B=(12-0.7)/300=40 w A (1分)I CQ= 3 X I bc=50X 0.04=2mAUceq= U cc -I cqX Rs=12-2 X3=6 v(2)微变等效电路为:(2分)i bicUiUoi i(5分)(3)三级管的动态输入电阻(1分)rbe=300+(1+ 3 )
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