怎样看懂内存条芯片的参数

1、整个 ddr sdram颗粒的编号，一共是由14 组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下：1 hy 是 hynix 的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2 内存芯片类型： （5d=ddr sdram）3 处理工艺及供电： （v：vdd=3.3v & vddq=2.5v；u：vdd=2.5v & vddq=2.5v；w：vdd=2.5v & vddq=1.8v；s： vdd=1.8v & vddq=1.8v）4 芯片容量密度和刷新速度：（64：64m 4k 刷新； 66： 64m 2k 刷新； 28：

2、 128m 4k 刷新； 56：256m 8k 刷新； 57 ：256m 4k 刷新； 12：512m 8k 刷新； 1g：1g 8k 刷新）5 内存条芯片结构： （44 颗芯片； 8 8 颗芯片； 1616 颗芯片； 3232 颗芯片）6 内存 bank （储蓄位）： （ 12 bank ；24 bank ；38 bank ）7 接口类型：（1=sstl_3 ；2=sstl_2 ；3=sstl_18 ）8 内核代号：（空白 =第 1 代； a=第 2 代； b=第 3 代； c=第 4 代）9 能源消耗：（空白 =普通； l=低功耗型）10 封装类型：（t=tsop ；q=lofp ；ffb

3、ga ；fc fbga （utc:8x13mm ） ）11 封装堆栈：（空白 =普通； s=hynix ；k=m&t ；j其它； m=mcp （hynix ） ；mu mcp（utc ） ）12 封装原料：（空白 =普通； p=铅； h卤素； r=铅+卤素）13 速度： （ d43 ddr400 3-3-3 ；d4=ddr400 3-4-4；jddr333 ；mddr333 2-2-2；kddr266a ； h ddr266b ；l ddr200 ）14 工作温度：（ i=工业常温（ -40 - 85 度） ；e= 扩展温度（ -25 - 85 度） ）由上面 14 条注解，我们不难发

4、现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13 等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代ddr sdram内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为l 的产品（也就是说，它只支持ddr 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。常见 sdram 编号识别维修 sdram 内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号） 、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存

5、条的规格以及特点。(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： hy hyundai - 现代 mt micron - 美光 gm lg -semicon hyb siemens - 西门子 hm hitachi - 日立 mb fujitsu - 富士通 tc toshiba - 东芝 km samsung - 三星 ks kingmax - 胜创(2)内存芯片速度编号解释如下: -7 标记的 sdram 符合pc143 规范 ,速度为 7ns. 75 标记的 sdram 符合 pc133 规范 ,速度为 7.5ns. 8 标记的 sdram 符合 pc125 规范 ,速度为 8ns. 7

6、k/-7j/10p/10s标记的 sdram 符合 pc100 规范 ,速度为 10ns. 10k 标记的 sdram 符合 pc66 规范 ,速度为 15ns. (3) 编 号 形 式hy 5a b ccc dd e f g h ii-jj 其中 5a 中的 a 表示芯片类别 ,7-sdram; dddr sdram. b 表示电压 ,v3.3v; u-2.5v; 空白 5v. ccc 表示容量 ,1616m; 65 64m; 129 129m; 256 256m. dd 表示带宽。f 表示界面， 0lvttl ； 1sstl （3） ； 2sstl_2. g 表示版本号，b第三代。h 表示

7、电源功耗，l 低功耗；空白 普通型。ii 表示封装形式，tc400mil tsop h. jj 表示速度， 7 143mhz; 75 133mhz;8 125mhz; 10p 100mhz(cl=2);10s100mhz(cl=3) 10100mhz( 非 pc100) 。例： 1） hy57v651620b tc-75 按照解释该内存条应为：sdram ， 3.3v, 64m, 133mhz. 2) hy57v653220b tc-7 按照解释该内存条应为：sdram ， 3.3v, 64m, 143mhz 全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾 )：序号品牌国家 /地区标识 备注1 三星韩国samsung 2 现代韩国hy 3 乐金韩国lgs 已与 hy 合并4 迈克龙美国mt 5 德州仪器美国ti 已与 micro