创新设计高考化学江西专用二轮专题复习配套物质结构与性质实用教案

1、最新考纲1原子结构与元素的性质(1)了解原子核外电子(h wi din z)的排布原理及能级分布，能用电子排布式表示常见元素(136号)原子核外电子(h wi din z)、价电子的排布。了解原子核外电子(h wi din z)的运动状态；(2)了解元素电离能的含义，并能用以说明元素的某些性质；(3)了解原子核外电子(h wi din z)在一定条件下会发生跃迁，了解其简单应用；(4)了解电负性的概念，知道元素的性质与电负性的关系。第1页/共67页第一页，共68页。2化学键与物质的性质(1)理解离子键的形成，能根据离子化合物的结构特征解释其物理性质；(2)了解共价键的形成，能用键能、键长、键角

2、等说明简单分子的某些性质；(3)了解原子(yunz)晶体的特征，能描述金刚石、二氧化硅等原子(yunz)晶体的结构与性质的关系；(4)理解金属键的含义，能用金属键理论解释金属的一些物理性质；了解金属晶体常见的堆积方式；(5)了解杂化轨道理论及常见的杂化轨道类型(sp，sp2，sp3)；(6)能用价层电子对互斥理论或者杂化轨道理论推测常见的简单分子或离子的空间结构。第2页/共67页第二页，共68页。3分子间作用力与物质的性质(1)了解化学键和分子间作用力的区别；(2)了解氢键的存在对物质性质的影响，能列举含有氢键的物质；(3)了解分子晶体与原子晶体、离子晶体、金属晶体的结构微粒、微粒间作用力的区

3、别。(4)能根据(gnj)晶胞确定晶体的组成并进行相关的计算。(5)了解晶格能的概念及其对离子晶体性质的影响。第3页/共67页第三页，共68页。考点一原子结构与元素性质的关系重温真题考情1原子核外电子的排布(1)基态Fe原子有_个未成对电子。Fe3的电子排布式为_。可用硫氰化钾检验Fe3，形成(xngchng)的配合物的颜色为_。 2014全国新课标，37(2)第4页/共67页第四页，共68页。 (2)Na位于元素周期表第_ _ _ _ _ _ _ 周期第_ _ _ _ _ _ _ _ 族；S 的基态原子核外有_个未成对电子；Si的基态原子核外电子排布式为_。 2014安徽理综，25(1) (

4、3)31Ga基态原子的核外电子排布式是_。 2014浙江(zh jin)自选模块25(1) (4)Cu基态核外电子排布式为_。 2014江苏化学，21A(1)第5页/共67页第五页，共68页。 (5)基态Si原子(yunz)中，电子占据的最高能层符号为_，该能层具有的原子(yunz)轨道数为_、电子数为_。 (2013新课标，37(1) (6)Ni2的价层电子排布图为_。 (2013新课标，37，改编)第6页/共67页第六页，共68页。第7页/共67页第七页，共68页。(3)Ga为31号元素，其基态原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1或Ar3d104s24p

5、1。(4)Cu是由Cu原子失去1个4s电子形成(xngchng)的。(5)基态Si原子中，有14个电子，核外电子排布式为1s22s22p63s23p2，电子占据的最高能层符号为M，该能层具有的原子轨道数为1个s轨道，3个p轨道，5个d轨道，其中3s轨道有2个电子，3p轨道有2个电子。(6)Ni原子的核外电子排布式为Ar3d84s2，Ni2的价电子排布式为3d8，画出价层电子排布图。第8页/共67页第八页，共68页。第9页/共67页第九页，共68页。2元素(yun s)的性质(高考题汇编)(1)第一电离能Si_S(用“”或“”填空) 2014安徽，25(2)(2)F、K、Fe、Ni四种元素(yu

6、n s)中第一电离能最小的是_，电负性最大的是_(填元素(yun s)符号)。(2013新课标，37(2)改编)(3)依据第2周期元素(yun s)第一电离能的变化规律，参照如图B、F元素(yun s)的位置，用小黑点标出C、N、O三种元素(yun s)的相对位置。 (2013福建，31(1)第10页/共67页第十页，共68页。 (4)请回答下列问题： N、Al、Si、Zn四种元素中，有一种元素的电离能数据如下(rxi)： 则该元素是_(填写元素符号)。电离能电离能I1I2I3I4Im/kJmol15781 8172 74511 578第11页/共67页第十一页，共68页。基态锗(Ge)原子的

7、电子排布式是_。Ge的最高价氯化物分子式是_。该元素可能的性质(xngzh)或应用有_。A是一种活泼的金属元素B其电负性大于硫C其单质可作为半导体材料D其最高价氯化物的沸点低于其溴化物的沸点2013浙江自选，15(1)(2)第12页/共67页第十二页，共68页。 (5)原子的第一电离能是指气态(qti)电中性基态原子失去一个电子转化为气态(qti)基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为_。 2012全国新课标，37(2)第13页/共67页第十三页，共68页。 解析(3)B的第一电离能最小，F的第一电离能最大，注意N的第一电离能比O的大。则第一电离能大小顺序为：

8、BCONF；(4)I4I3，所以该元素最外层(wi c n ) 有 3 个 电 子 ， 应 为 A l 。 G e 是 A 族 元 素 ， 其 原 子 的 电 子 排 布 式 为1s22s22p63s23p63d104s24p2，最高价氯化物分子式是GeCl4，Ge位于金属和非金属交界处，其单质可作半导体材料，GeCl4和GeBr4的分子组成相似，由于GeCl4的分子量小于GeBr4，故沸点GeCl4GeBr4。(5)同主族元素、从上往下元素第一电离能逐渐减小。第14页/共67页第十四页，共68页。答案(d n)(1)(2)KF(3)(4)Al1s22s22p63s23p63d104s24p2

9、或Ar3d104s24p2GeCl4CD(5)OSSe第15页/共67页第十五页，共68页。 高考定位 本考点在高考中常见的命题角度有原子核外电子(h wi din z)的排布规律及其表示方法、原子结构与元素电离能和电负性的关系及其应用、原子核外电子(h wi din z)的跃迁及其应用等。在高考试题中，各考查点相对独立，难度不大，一般为填空题。第16页/共67页第十六页，共68页。知能突破考点一、原子核外电子的排布1原子(离子)核外电子排布式(图)的书写(1)核外电子排布式：按电子排入各能层中各能级的先后顺序，用数字在能级符号右上角标明该能级上排布的电子数的式子。如Cu： ，其简化(jinh

10、u)电子排布式为：Ar3d104s1。(2)价电子排布式：如Fe原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d64s2，价电子排布式为 。价电子排布式能反映基态原子的能层数和参与成键的电子数以及最外层电子数。1s22s22p63s23p63d104s1 3d64s2 第17页/共67页第十七页，共68页。第18页/共67页第十八页，共68页。2基态原子、激发态原子和原子光谱(1)基态原子：处于 的原子。(2)激发态原子：当基态原子的电子 后，电子会跃迁到较高能级，变成激发态原子。(3)原子光谱：当电子从较高能量的激发态跃迁到较低能量的激发态乃至基态时，释放一定(ydng)频率的光子，这是

11、产生原子光谱的原因。不同元素的原子发生跃迁时会吸收或释放不同的光，可以用光谱仪摄取各种元素的电子的吸收光谱或发射光谱，总称原子光谱。最低能量(nngling) 吸收(xshu)能量 第19页/共67页第十九页，共68页。二、电离能和电负性的规律及应用1电离能(1)含义第一电离能：气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的 ，符号 ，单位 。(2)规律同周期：第一种元素的第一电离能 ，最后一种元素的第一电离能 ，总体(zngt)呈现 的变化趋势。同族元素：从上至下元素的第一电离能 。同种原子：逐级电离能越来越 (即I1 I2 I3)。最低能量(nngling) I kJmol1

12、最小 从左至右逐渐(zhjin)增大 逐渐减小 大 ”、“”或“”)图甲中1号C与相邻C形成的键角(jin jio)。 (3)若将图乙所示的氧化石墨烯分散在H2O中，则氧化石墨烯中可与H2O形成氢键的原子有_(填元素符号)。第34页/共67页第三十四页，共68页。 解析(1)石墨烯是层状结构，每一层上每个碳原子都是以3个共价键与其他碳原子连接，3个共价键中有一个碳碳双键和两个碳碳单键 ，故共有(n yu)3个键。 (2)图乙中1号碳形成了4个共价键，故其杂化方式为sp3；图甲中的键角为120，而图乙中1号碳原子与甲烷中的碳原子类似，都是饱和碳原子，其键角接近109.5。 (3)只有电负性较大的

13、非金属原子与氢原子才可形成氢键。 答案(1)3(2)sp3”或“”填空)。2014安徽理综，25(2)(2)石墨(shm)烯可转化为富勒烯(C60)，某金属M与C60可制备一种低温超导材料，晶胞如图所示，M原子位于晶胞的棱上与内部。该晶胞中M原子的个数为 _，该材料的化学式为_。 2014山东理综，32(4)第47页/共67页第四十七页，共68页。 (3)Cu2O在稀硫酸中生成Cu和CuSO4。铜晶胞结构如图所示，铜晶体中每个铜原子周围距离最近的铜原子数目为_。 2014江苏化学，21(5) (4)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以_相结合，其晶胞中共(zhn n)有8个原

14、子，其中在面心位置贡献_个原子。 2013新课标，37(3)第48页/共67页第四十八页，共68页。 解析(1)NaCl晶体为离子晶体，Si为原子晶体，熔点NaClSi。 (2)一个晶胞中M原子的个数为12912；一个晶胞中C60的个数为864，M与C60的个数比为3 1，故该材料的化学式为M3C60。 (3)由铜的晶胞结构示意图可知，晶胞为面心立方，每个铜原子周围(zhuwi)等距且最近的铜原子个数为12个。 (4)单质硅与金刚石都属于原子晶体，其中原子与原子之间以共价键结合，其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置贡献为61/23个原子。 答案(1)(2)12M3C60(3)12(4)共价键3

15、第49页/共67页第四十九页，共68页。2(1)某种半导体材料由Ga和As两种元素组成，该半导体材料的化学式是_，其晶体结构类型可能为_。维生素B1可作为辅酶参与糖的代谢，并有保护神经系统的作用。该物质的结构式为：以下关于维生素B1的说法正确(zhngqu)的是_。A只含键和键B既有共价键又有离子键C该物质的熔点可能高于NaClD该物质易溶于盐酸第50页/共67页第五十页，共68页。 维生素B1晶体溶于水的过程中要克服的微粒间作用力有_。 A离子键、共价键 B离子键、氢键、共价键 C氢键、范德华力 D离子键、氢键、范德华力 (2014浙江(zh jin)自选模块15节选)第51页/共67页第五

16、十一页，共68页。 (2)Cu2O为半导体材料，在其立方晶胞内部有4个氧原子，其余氧原子位于面心和顶点，则该晶胞中有_个铜原子。 Al单质(dnzh)为面心立方晶体，其晶胞参数a0.405 nm，晶胞中铝原子的配位数为_。 列式表示Al单质(dnzh)的密度_ gcm3(不必计算出结果)。 (2014新课标卷，37节选) (3)MgBr2、SiCl4、BN的熔点由高到低的顺序是_， PH3、NH3、H2O的沸点由高到低的顺序是_。 (2013重庆理综，3C、D改编)第52页/共67页第五十二页，共68页。 解析(1)由Ga和As组成的半导体材料，性质与单晶硅相似，故结构也与单晶硅相似，在Ga和

17、As形成的晶体中，每个Ga原子与4个As原子相连，每个As原子与4个Ga原子相连，故该晶体中Ga和As的原子个数比是1 1，晶体的化学式为GaAs，属于(shy)原子晶体。由维生素B1的结构简式可以得知分子中含有单键和双键，故分子中含有键和键，同时分子中还含有离子键，故A错，B正确；离子化合物的熔点高低取决于离子键的强弱，离子键越强，化合物的熔点越高，该物质的离子键是由Cl和非金属N的阳离子形成的，离子键弱于Cl和Na之间形成的离子键，故维生素B1的熔点低于NaCl，C错；由于该物质中含有NH2，故该物质能与盐酸反应，D正确。第53页/共67页第五十三页，共68页。第54页/共67页第五十四页

18、，共68页。第55页/共67页第五十五页，共68页。第56页/共67页第五十六页，共68页。 高考定位 本考点高考中常见的命题角度有晶体的类型、结构与性质(xngzh)的关系，晶体熔沸点高低的比较，配位数、晶胞模型分析及有关计算等，知识点相对集中，题型稳定，难度适中，以填空题为主，是高考的必考点。第57页/共67页第五十七页，共68页。知能突破考点(ko din)1晶体熔沸点的比较(1)不同类型晶体熔、沸点的比较不同类型晶体的熔、沸点高低的一般规律： 。金属晶体的熔、沸点差别很大，如钨、铂等熔、沸点很高，汞、铯等熔、沸点很低。原子(yunz)晶体 离子(lz)晶体 分子晶体 第58页/共67页第五十八页，共68页。大 高 稳定(wndng) 高 强 大 多 高 大 短 小 小 第59页/共67页第五十九页，共68页。 分子晶体： a分子间作用力越 ，物质的熔、沸点越 ；具有氢键的分子 晶体熔