电子材料物理第三章

1、 第三章第三章 电子材料的电导电子材料的电导 本章概要本章概要: :本章讨论在电学领域广泛应用的无本章讨论在电学领域广泛应用的无机电子材料机电子材料( (半导体材料和电子功能陶瓷材料半导体材料和电子功能陶瓷材料) )的的电导特性电导特性, ,重点为离子电导重点为离子电导, ,电子电导和半导体材电子电导和半导体材料的界面电导料的界面电导. .作业作业 3.1, 3.2, 3.3, 3.7,3.10 3.1, 3.2, 3.3, 3.7,3.10 n主要内容主要内容n3.1 电导的物理现象电导的物理现象n3.2 离子电导离子电导n3.3 电子电导电子电导n3.5 半导体材料的界面电导半导体材料的界

2、面电导n3.6 超导体超导体n3.1.1 电导的主要参数电导的主要参数n1 电导率和电阻率电导率和电阻率n2 迁移率和电导率的一般公式迁移率和电导率的一般公式n3 体积电阻与体积电阻率体积电阻与体积电阻率n4 表面电阻与表面电阻率表面电阻与表面电阻率n5 电阻测量电阻测量-直流四端电极法直流四端电极法n3.1.2 电导的分类电导的分类n1 电导的分类电导的分类n2 电导的物理效应电导的物理效应-霍尔效应、电解效应霍尔效应、电解效应3.1 3.1 电导的物理现象电导的物理现象 3.1.1 3.1.1 电导的主要参数电导的主要参数1 1 电导率和电阻率电导率和电阻率 电介质并非理想绝缘体，在电场作

3、用下均有一定的电流通过，此即为电介质的电导VIRISJVLE1,(1LRSESRLEJ单位 J 安/米2 A/m2 欧米 m E伏特/米 v/m 西/米 s/m 2.2.迁移率和电导率的一般表达公式迁移率和电导率的一般表达公式nqvstnsvtqstQSIJEJ迁移率）EVunquEnqvEJ(迁移率）为电荷为载流子浓度电导率的一般形式：iiiiiiiiiuqnuqn,( 3.3.体积电阻与体积电阻率体积电阻与体积电阻率 体电阻的引入表面电流）（体电流SVIIISVRVRVRV为体电阻与材料有关）VSVRRRR(111 体电阻的计算)(42221rrhxhRvVV电极）忽律圆片样品：长度）内外

4、半径，管状样品：电极面积）厚度；板状样品：grshRlrrrrlxldxRshShRvVVvrrvVvV(1,(ln22:(21211221 4. 4.表面电阻与表面电阻率表面电阻与表面电阻率3.5(为电极长度）图为电极距离，板状样品：bLbLRSS处电极板长）为为内外半径，圆片样品：xxrrrrxdxRsrrsS2(2ln22, 112215 5直流四端电极法直流四端电极法电导率的测量方法电导率的测量方法测量原理（图3.7）： VIsl.（L.V内侧两电极间距离及电压，I为流过载面S的电流）四探测法（图3.8）)1111(2213231llllllVI （l1、l2、l3 为探测1.2，2.

5、3，3.4间距离，I为1.4间电流。V为2.3间电压）3.1.2 3.1.2 电导的分类电导的分类（1）分类分类：电子电导：电子（空穴），固态导体半导体，强电场下的绝缘体 离子电导：正负离子，液态导体半导体，弱电场下的绝缘体 （2）物理效应物理效应 电子电导霍尔效应，Ey= （x电场，z磁场，y向产生电压）。 为霍尔系数 离子电导电解效应，g=cQ（g电解物质量，Q电量，c为电化当量）HRHRZxHJ3.2 离子电导离子电导n3.2.1 载流子浓度载流子浓度n1本征电导本征电导n2 杂质电导杂质电导n3.2.2 离子迁移率离子迁移率n1 离子迁移的微观机制离子迁移的微观机制n2 离子迁移率离子

6、迁移率n3.2.3 离子电导率离子电导率n1 离子电导的一般表达式离子电导的一般表达式n2 扩散与离子电导扩散与离子电导n3.2.4影响离子电导率的主要因素影响离子电导率的主要因素n3.2.5 固体电解质固体电解质ZrO23.2 3.2 离子电导离子电导 离子电导本征电导：源于晶体点阵的基本粒子的运动（固有离子电导），高温下显著 杂质电导源于弱联系杂质离子的运动，低温下明显3.2.1 3.2.1 载流子浓度载流子浓度 1. 本征电导本征电导： （1）弗仑克尔缺陷（同时形成填隙离子和空位,其浓度相等） Nf=Nexp（-Ef/2kT） Ef：形成弗仑克尔缺陷所需的离解能 N：单位体积内的离子结点

7、数 （2）肖特基缺陷（同时形成正负离子空位） Ns=Nexp（-Es/2kT） Es：离解一个阴离子和阳离子并达到表面所需要的离解能 N：点位体积内的离子对数目结论结论 （1 1）热缺陷的浓度由温度和离解能决定，常温下）热缺陷的浓度由温度和离解能决定，常温下kTkT比比E E小小的多，所以高温下热缺陷的浓度才显著增加的多，所以高温下热缺陷的浓度才显著增加（2 2）离解能和晶体结构有关，一般肖特基缺陷形成能比弗）离解能和晶体结构有关，一般肖特基缺陷形成能比弗仑克尔形成能小很多仑克尔形成能小很多。2.2.杂质电导杂质电导： 载流子浓度取决于杂质数量和种类。无论替代式和间隙载流子浓度取决于杂质数量和

8、种类。无论替代式和间隙式质，式质，不仅使载流子数目增加，而且不仅使载流子数目增加，而且使晶格点阵畸变，使晶格点阵畸变，其离解能小，在低温下明显。其离解能小，在低温下明显。3.2.2 3.2.2 离子迁移率（离子迁移率（u u） 1. 1. 离子载流子迁移的微观机制（图离子载流子迁移的微观机制（图3.113.11） 离子扩散离子扩散2 2. .离子迁移率离子迁移率n离子在彭衡位置作热振动，当振动能量超过临近离子离子在彭衡位置作热振动，当振动能量超过临近离子对它的束缚势垒时，离子才能离开平衡位置而迁移，对它的束缚势垒时，离子才能离开平衡位置而迁移，每个方向单位时间越过势垒到新的平衡位置的离子数每个

9、方向单位时间越过势垒到新的平衡位置的离子数006uktnne n0 ：离子浓度，v：离子平衡位置的振动频率， u：临近离子对其的束缚势垒高度）在无外场情况下，在无外场情况下，由于沿所有方向由于沿所有方向的离子迁移的离子迁移几率均等，几率均等，所以总的迁移率等于零，所以总的迁移率等于零，无定向电流无定向电流 。 有外场作用（图3.12）：离子电荷q，电场沿x正向。沿X向的宏观飘移速度和迁移率为：0nnEeKTqKTU062KTUeKTqEV062V=; u=离子电导率离子电导率 离子电导的一般表达式（离子电导的一般表达式（ ）若为本征半导体（肖特基半导体）nq221exp()exp()26SSS

10、EUqnquNKTKTKT)exp()21(exp6221KTWAKTEUKTqNSSSSSSSEUW21KTqNAS621221迁移能），离解能=式中（电导活化能= exp2ssENNkT 对杂质电导（间隙，替位） 一般情况KTqNATBA6),exp(222222导离子电导一般为杂质电，但;121212TBTBeeBBNNiiiTBATBATBA)exp()exp()exp(2211其他：杂质电导本征电导11exp()exp(),WBAAKTKT本征电导的一般公式：1WBkA1：在温度变化不大时是常数扩散与离子电导扩散与离子电导 1） 离子扩散机制离子扩散机制 离子电导是在电场作用下的扩散

11、现象，主要有5种扩散机制： （1）易位扩散：正负离子直接易位，活化能最大 （2）环行扩散：同种离子相互易位，实际可能性小 （3）间隙扩散：对较大离子，困难 （4）准间隙扩散：较易 （5）空位扩散：活化能最小，最常见的方式 五种扩散机制中，易位扩散所需活化能最大；同种离子间的环形扩散也较难；空位扩散所需要的活化能最小。空位扩散是最常见的扩散机制！空位扩散是最常见的扩散机制！图3.13 扩散电流： xVEJnDJxnDqJ21)( ,漂移电流：菲克莱定律在热平衡条件下（扩散电流与位移电流必须相反。总电流为0）xVKTqnxnKTqvnnxvxnDqJt玻尔兹曼分布），则而(),exp(00两下式代

12、入上式，得：KTquDnquKTnqDxvxvKTnDq可得由能斯特爱因斯坦方程）(022 2 2） 能斯特能斯特爱因斯坦方程（离子电导与扩散系数间的关系式爱因斯坦方程（离子电导与扩散系数间的关系式）3.2.4 3.2.4 影响离子电导率的因素影响离子电导率的因素 温度温度 本征离子电导：本征离子电导： 杂质：杂质： 随着温度的升高，电导率指数规律增加（随着温度的升高，电导率指数规律增加（3.143.14）2 2 晶体结构晶体结构 电导率随电导率随活化能（包括电离能和迁移能）活化能（包括电离能和迁移能）w w指数变化，而活化能反映粒子指数变化，而活化能反映粒子的固定程度，与晶体结构有关：的固定

13、程度，与晶体结构有关： 熔点高的晶体熔点高的晶体晶体结合力大晶体结合力大活化能高活化能高- -迁移率低迁移率低电导率低电导率低 离子电荷大小与活化能有关离子电荷大小与活化能有关: :正离子电价高正离子电价高活化能高活化能高迁移率低迁移率低)exp()exp(1111TBAKTWA)exp(222TBAn3 晶格缺陷晶格缺陷n影响晶体缺陷生成和浓度的主要原因影响晶体缺陷生成和浓度的主要原因n（1）热激励）热激励 n弗伦克尔弗伦克尔 肖特基缺陷肖特基缺陷n（2）不等价固溶掺杂形成晶体缺陷）不等价固溶掺杂形成晶体缺陷n（3）离子晶体中正负离子计量比随气氛变化发生变化，）离子晶体中正负离子计量比随气氛

14、变化发生变化，形成非化学计量比化合物，因而产生晶体缺陷形成非化学计量比化合物，因而产生晶体缺陷n例如稳定型例如稳定型ZrO2由于氧脱离形成氧空位：由于氧脱离形成氧空位：n .iAAV.ABVV.2122oOOOVe3.2.5 固体电解质固体电解质ZrO2n固体电解质：具有离子电导的固体物质固体电解质：具有离子电导的固体物质n只有离子晶体才能成为固体电解质，共价键晶体和分子晶体都不能只有离子晶体才能成为固体电解质，共价键晶体和分子晶体都不能成为固体电解质成为固体电解质n离子晶体具有离子电导特性，必须具备离子晶体具有离子电导特性，必须具备n（1）电子载流子浓度小）电子载流子浓度小n（2）离子晶格缺

15、陷浓度大并参与导电）离子晶格缺陷浓度大并参与导电nZrO2固溶固溶CaO，Y2O3，固溶过程中产生如下反应生成，固溶过程中产生如下反应生成OV222323ZrOZrOOZrOZrOOCaOCaVOY OYVO n3.3 电子电导电子电导n3.3.1 电子迁移率电子迁移率n1电子的有效质量电子的有效质量n2 电子的迁移率电子的迁移率n3.3.2 载流子浓度载流子浓度n1 本征半导体载流子浓度本征半导体载流子浓度n2 杂质半导体载流子浓度杂质半导体载流子浓度3.3.3 电子电导率1 本征半导体电导率本征半导体电导率2 非本征半导体电导率非本征半导体电导率 3 散射的种类散射的种类3.3.4影响电导

16、率的因素影响电导率的因素1温度对电导率的影响温度对电导率的影响2杂质和缺陷的影响杂质和缺陷的影响3.3 3.3 电子电导电子电导 电子电导的载流子电子电导的载流子: :电子和空穴电子和空穴 主要发生在导体和半导体中主要发生在导体和半导体中电子由于晶格热振动，杂质，错位和裂缝等因素导致固体周电子由于晶格热振动，杂质，错位和裂缝等因素导致固体周期性的破坏，使其运动受阻，进而导致有限迁移率期性的破坏，使其运动受阻，进而导致有限迁移率。 电场周期破坏的来源是：晶格热振动、杂质的引入、位错电场周期破坏的来源是：晶格热振动、杂质的引入、位错和裂缝等。和裂缝等。下面我们仍从载流子的迁移率以及浓度两个方面来讨

17、论电子下面我们仍从载流子的迁移率以及浓度两个方面来讨论电子电导问题。电导问题。3.3.1 3.3.1 电子迁移率电子迁移率22122,1()()()4ggmdwEW pkVdkdvddwddEadtdt dkdt dkdpdkfdtdtd Emdk引入由量子力学德布罗意关系：及群速度（物质波矢）知电子有效质量1. 电子的有效质量电子的有效质量222()22epkmm Emm）负值（价带顶PmdkEd , 022区：区：区： 禁带区emmmdkEd正值，, 022场中电子运动的处理引入：可以简化对晶格m(1)自由电子自由电子 (2) 晶体中的电子晶体中的电子 由能态由能态(电子与晶格间的相互作用

18、电子与晶格间的相互作用)决定决定emmemmM变化见图变化见图3.16eEvamvemE电子平均速度：故电子迁移率：2. 电子迁移率电子迁移率电子和声子、杂质和缺陷相互碰撞而散射，设碰撞间隔电子和声子、杂质和缺陷相互碰撞而散射，设碰撞间隔为为t讨论：讨论：（1) 掺杂浓度和温度对迁移率有影响，本质上是对散射的影响。散掺杂浓度和温度对迁移率有影响，本质上是对散射的影响。散 射越弱，碰撞间隔越长，迁移率越高射越弱，碰撞间隔越长，迁移率越高（2）有效质量决定于晶格）有效质量决定于晶格 氧化物氧化物 碱性盐碱性盐 (3) 电子和空穴的有效质量不同电子和空穴的有效质量不同*(210)mm*0.5mmn3

19、 散射的种类散射的种类n（1）晶格散射：由晶格振动引起的散射）晶格散射：由晶格振动引起的散射n低掺杂半导体中低掺杂半导体中T迁移率迁移率n（2）电离杂质散射）电离杂质散射n电离杂质周围产生库仑场，当载流子经过时产生散射电离杂质周围产生库仑场，当载流子经过时产生散射n掺杂浓度掺杂浓度散射机会散射机会迁移率迁移率n温度温度载流子运动速度载流子运动速度散射作用散射作用迁移率迁移率n高掺杂时，迁移率随温度变化很小高掺杂时，迁移率随温度变化很小Tu晶格振动越强散射增强3.3.2 3.3.2 载流子浓度载流子浓度 晶体结构的能带模型：导带和价带晶体结构的能带模型：导带和价带一般情况：电子多处于价带中，导带

20、中的电子（参与导电）很少一般情况：电子多处于价带中，导带中的电子（参与导电）很少Electron energyVALENCE BAND(VB)Full of electronsat 0 K.EcEv0Ec+BSi crystal in 2-DBandgap = Eg(c)(b)CONDUCTIONBAND (CB)Empty of electronsat 0 K.hyborbitalsSi ion core(+4e)Valenceelectron(a)金属、半导体和绝缘体的能带结构图。对于绝缘体对于半导体体导体和绝缘体，对于导固体可以分为导体，半evEevEevevEggg2,02,0本征半导

21、体中载流子的浓度本征半导体中载流子的浓度(ne=nh)n本征电导：导带中的电子和价带中的空穴同时参与导电本征电导：导带中的电子和价带中的空穴同时参与导电n无外界作用时：价带中的电子不能跃至导带中无外界作用时：价带中的电子不能跃至导带中n有外界作用（热和光辐射）时：价带中的电子获得能量有外界作用（热和光辐射）时：价带中的电子获得能量跃至导带中，由此在导带中出现电子，在价带中留下空跃至导带中，由此在导带中出现电子，在价带中留下空穴，所以空穴导电也属于电子导电的一种穴，所以空穴导电也属于电子导电的一种n本征半导体的载流子由热激发产生，其浓度与温度成指本征半导体的载流子由热激发产生，其浓度与温度成指数

22、关系数关系导带中电子浓度导带中电子浓度电子为费米子，其能量分布函数为费米狄拉克函数： )1( )(1expefF EEEKT在室温下kT=0.025ev exp)(,kTEEFFkTEEfef则，导带电子状态密度为导带能级）ccecEEEmEG()()8(21)(2123222)322( )( )exp (22()ccFeceCEeCEEm kTNhnG E F E dENkT导带中的电子浓度为：式中为导带有效状态密度价带中的空穴浓度价带中的空穴浓度半导体中，价带中的空穴浓度和导带中的电子浓度相等，所以空穴的分半导体中，价带中的空穴浓度和导带中的电子浓度相等，所以空穴的分布函数布函数：只要只要

23、 ，便有便有ehFF1F1( )1()1 exphF EEEkT FEEkTFh()FexpEEkT()( )( )exp()VEFVhVhVEEnGE F E dENkT3/22*1/2281G ()()2hvvmEEEh价带的空穴状态密度 n由 得价带有效状态密度 3222(2/)VhNm kT hehnn11()ln22VFCVcNEEEkTN1/21/21/21exp/2/2ln/21exp()/exp ln2(/)exp()/2()exp(/2)vecccvcvccvccvccvcvgNnNEEEkTkTNNNEEkTNNNNEEkTN NEkT禁带宽度 gCVEEEexp()geh

24、EnnNkT331224222) ()CVehkTNN Nm m（）（为等效状态密度 杂质半导体中载流子浓度杂质半导体中载流子浓度 杂质半导体中的电子和空穴，杂质半导体分为杂质半导体中的电子和空穴，杂质半导体分为n型和型和p型半型半导体，见能级图导体，见能级图（图（图3.203.20）在在n型半导体中，施主能级离导带很近（型半导体中，施主能级离导带很近（0.05eV），施主能），施主能级上的电子很容易激发到导带中；级上的电子很容易激发到导带中；p型半导体中，受主能级型半导体中，受主能级离价带很近（离价带很近（0.045ev），价带中的电子很容易激发到受主），价带中的电子很容易激发到受主能级上能

25、级上1()11exp()21()11exp()2()1exp()/2()1exp()/2DDFDAAFAADDDDDFAAAAFAf EEEkTNEf EEEkTNNnN f EEEkTNpN f EEEkT电子占据杂质（施主）能级的几率为量子态密度为施主杂质浓度空穴占据受主能级的几率为量子态密度为受主杂质浓度施主能级上的电子浓度为：受主能级上的空穴浓度为：电离的施主()()(1()12(1()12DFFADDDDDDEEkTAAAAAAEEkTNnNnNf EeNpNPNf Ee浓度为：电离的受主浓度为：n 施主杂质几乎全部电离施主杂质几乎全部电离n 施主杂质基本没有电离施主杂质基本没有电离

26、 n 施主杂质有施主杂质有1/3电离。电离。2/3没有电离没有电离 讨论讨论（1）杂质能级与费米能级的相对位置明显反映了电子和）杂质能级与费米能级的相对位置明显反映了电子和空穴占据杂质能级的情况空穴占据杂质能级的情况FDDDEEnNFDDDEEnN13FDDDEEnNn（2）费米能级的求导）费米能级的求导n含有一种施主杂质的n型半导体（p型半导体可类似处理n施主杂质浓度施主杂质浓度 导带电子浓度导带电子浓度 n价带空穴浓度价带空穴浓度n整个半导体是电中性的，条件整个半导体是电中性的，条件DN 0n0p00Dqnqnqp00Dnnp将（3.62）和（3.64）代入有 ()()()12CFFVDF

27、E EEEDkTkTCVEEkTNN eN ee由此写出费米能级表达式比较困难，为简化分成不同的温度区域讨论n（i）低温区域）低温区域n因为在半导体中，杂质电离能比禁带宽度小很多，所以在低温区因为在半导体中，杂质电离能比禁带宽度小很多，所以在低温区域以电离杂质电导为主，本征激发可以不计域以电离杂质电导为主，本征激发可以不计n电中性条件电中性条件n（具体推导下）（具体推导下） 0Dnn128(1)1ln4DEDkTCFDNeNEEkT128(1)1ln4DEDkTCFDNeNEEkT为施主电离能 12281 ()DDDDEDkTCNnnNeNn讨论讨论n（1）当温度）当温度T很低时很低时n（2）

28、当温度增至）当温度增至n杂质全部电离，导带中电子浓度杂质全部电离，导带中电子浓度=施主杂质浓度，并与温施主杂质浓度，并与温度无关度无关-杂质饱和电离杂质饱和电离 DEkT1()ln()222DFCDCNkTEEEN12201/2(/2)1(/2)exp(/2)DEDkTDCDcDNnN NeNNEkT)(21DCFEEE0nT（T0，)DEkTln()DFCCNEEkTN0DnNn（ii）过渡区域）过渡区域n 同时考虑饱和电离和本征激发提供的载流子00()DDDnNpNn20000DnN np n200in pnehinnn少子）（多子）(42242220220iDDiiDDnNNnpnNNn

29、本征激发的载流子浓 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度则温度较低时，DiNn （少子）多子）DiDDiDNnpNNnNn2020(11 1/2(0)xxx 利用 （iiiiii）高温本征激发区）高温本征激发区12200.()giDEkTiVCnNnpnN Ne忽略杂质电离：本征激发占主导则3.3.3 3.3.3 电子电导率电子电导率本征半导体本征半导体 截距 2()gEkTeehhehn eun euNeuulnln() genENekTehnnln1/T直线斜率为 /2gEkln()ehNe见图3.21 非本征半导体非本征半导体由于杂质能级存在，电导率随温度的变化比较复杂见图3.22（a）一

30、种电子跃迁机构；（b）低温杂质电导、高温本征电导；（c）同时存在两种杂质时 Ln3.3.43.3.4影响电导的因素影响电导的因素 主要有温度、杂质和缺陷主要有温度、杂质和缺陷1.1.温度对电导的影响温度对电导的影响nqu 电子浓度n和迁移率均与温度有关 */em声子和载流子的碰撞驰豫时间与温度有关，所以电子电导（迁移率）与温度有关。迁移率受散射影响分两部分 （1）声子对迁移率的影响32luaT（2）杂质离子对迁移率的影响32IubTn结论结论n低温下杂质离子散射项起主要作用；高温下声子散射项起主要作低温下杂质离子散射项起主要作用；高温下声子散射项起主要作用（图用（图3.24）n虽然虽然 ，但一

31、般但一般 受受T的影响比电子浓的影响比电子浓度度n(T)受温度的影响要小得多，因此电导率对温度的受温度的影响要小得多，因此电导率对温度的依赖关系主要取决于浓度项依赖关系主要取决于浓度项 11nqLI13/213/2111LIa Tb Tnqu( )Tn2 杂质以及缺陷的影响（杂质缺陷、组分缺陷和晶格缺陷）杂质以及缺陷的影响（杂质缺陷、组分缺陷和晶格缺陷）n（1）杂质缺陷：由于掺杂产生非本征缺陷）杂质缺陷：由于掺杂产生非本征缺陷n杂质对半导体性能的影响是由于杂质离子（原子）引起的局部能级杂质对半导体性能的影响是由于杂质离子（原子）引起的局部能级（禁带中的杂质能级）（禁带中的杂质能级） n如如 +

32、微量稀土元素微量稀土元素价控半导体价控半导体 3BaTiO24232343223113()xxxxBa Ti OxYBaYTiTOxBa23222 2( )/2BaOY OYeOO g（2）组分缺陷：）组分缺陷：非化学计量配比化合物中，由于晶体化学组成的偏差，非化学计量配比化合物中，由于晶体化学组成的偏差， 形成离子空位或间隙离子等缺陷称为组分缺陷形成离子空位或间隙离子等缺陷称为组分缺陷 （阳离子空位，阴离子空位，间隙离子）（阳离子空位，阴离子空位，间隙离子） 3.5 3.5 半导体材料的界面电导半导体材料的界面电导n内容：内容：n3.5.1晶界效应晶界效应n1 压敏效应（压敏效应（Varis

33、tor Effect）n2 PTC效应效应n3.5.2 表面效应表面效应n1 半导体表面空间电荷层的形成半导体表面空间电荷层的形成n2 半导体表面吸附气体时电导率的变化半导体表面吸附气体时电导率的变化n5.5.3 P-n结导电结导电n1 p-n结势垒的形成结势垒的形成n2 偏压下的偏压下的p-n结势垒和整流作用结势垒和整流作用 3.5.1 晶界效应 1.压敏效应 概念：压敏效应是指对电压变化敏感的非线性电阻效应，即在某一临界电压以下，因电阻很大，几乎无电流流过，而当电压超过该临界电压（敏感电压）电阻迅速降低，有电流通过。（见图3.35， 压敏电阻特性曲线）可用公式 ZnOOZmmVVmmmAV

34、VCVICVInCCC对典型参数：电压值式样所施加的通过电流下（常取定义为某一）（压敏电阻器电压代替通常用）。为非线性函数（表示电压。表示电流，表示。,50,/1351)11)( 物理解释流增大。效应越过势垒，致使电际通时，势垒变窄，电子须流较小，而当电压较高基势垒而流过，因而电电子必须越过肖特）电压较低时，热激励见图处形成双肖特基势垒（压敏电阻在晶界面明，晶界效应，实验研究表压敏效应为陶瓷的一种36. 3OZn2.PTC2.PTC效应效应 PTC现象加的材料。部能级，是其导电性增从而出现的局分中离子电价的变化。掺入杂质，导致主要成指在基质材料中通过现象。价控型半导体是的现象称为个数量级）升产生突变，（增大附近）电阻率随温度上立方相相变点（居里点半导体材料的正方相价控型PTCOTBia1033