FBTC程序编写

1、基于DM642的FBTC程序的编写1、 引言在嵌入式系统开发过程中，把编写好的应用程序烧写进目标板的Flash以实现系统的上电自举是非常重要的一个环节。对于嵌入式DSP系统，我们常使用FlashBurn System来对Flash进行烧写。FlashBurn System由两部分组成，分别是FlashBurn应用软件（application）和FBTC（FlashBurn Target Component）程序（program）。FlashBrun的工作原理如图1所示：图1FlashBurn应用软件提供用户操作界面，把FBTC程序通过ccs和JTAG仿真器下载到DSP目标板中，由FBTC程序对

2、FLASH存储空间进行操作和管理，并把用户程序下载到FLASH存储器中。由此可见，FlashBurn应用软件就相当于厂房里的各种机器设备，而FBTC程序则是生产和操作规程。从某种意义来说FlashBurn是硬件，而FBTC是软件，在相同的FlashBurn里应用不同的FBTC会得到完全不一样的效果。事实上，当CCS、DSP目标板、仿真器、FlashBurn或FLASH芯片的型号不一样时，FBTC程序就应做相应的改变，以成功地将用户程序烧写到FLASH中。本文试着将这些改变剖析一下。二、需要说明的问题本文使用的各种工具有CCS3.3、DM642EVM开发板、XDS560 JTAG 仿真器、Fla

3、shburn 2.80，需要烧写的FLASH芯片是AMD公司的AM29LV033C。该FLASH的容量是4Mbytes(0X400000)，在DM642上对应的存储空间位于CE1 EMIF，其首地址是0X90000000。该款FLASH芯片的datasheet如图2：推荐精选 图2从上图可知：1）向flash的任意位置写入序列0xAA, 0x55, 0x80, 0xAA, 0x55, 0x10，表示擦出该位置的数据；2）写入0xf0表示将flash设置为读模式；3）序列0xAA, 0x55, 0xA0后加上一字节的数据表式将该数据写入到flash的某一位置上。本文所举的例子是在FBTC6416

4、程序的基础上修改而成的，该程序所在的文件可以在FlashBurn的安装文件中找到。之所以选择TEB6416，是因为它和DM642属于同一个ISA（Instruction Set Architecture）家族。三、得到FBTC642的步骤。（1）将FBTC6416文件夹复制到你自己的工作区域，将文件名和文件中所有的6416改成642。用记事本打开.pjt文件，将里面的TEB6416改成DM642，将ProjectDir="C:ccFlashBurnpitvobFlashBurnersrcFBTCTEB6416"引号里内容改成你现在的工程文件所在的路径。保存后，在ccs里打开

5、该工程文件，将build option 设置为Full Debug和 No Optimization后编译，链接。（2）修改FLASH的起始地址和大小。在文件dm642.h中：将“#define FLASH_SIZE0x80000” 改成“#define FLASH_SIZE 0x40000”将“#define FLASH_START 0x64000000”改成“#define FLASH_START 0x90000000”将“#define CE1_8 0xffffff03”改成 “#define CE1_8 0xF3A88E02”将 “#define CE1_320xffffff23”改成

6、 “#define CE1_32 0xF3A88E22”（3）FLASH的寻址。FlashBurn把flash image 当做是从下标为0开始的一个字节流，FBTC程序要做的就是把这一字节流和实际地址一一对应起来，这一任务由FBurnCmd.c里的相关函数实现，另外还需要编写一个新的函数推荐精选SetFlashPage()来设置FPGA的页寄存器。即在FBurnCmd.c里添加如下代码：void SetFlashPage(FLASH_IMAGE_INDEX_TYPE index) PTR_SIZED_INT addr = (u32)GetFlashBase() + index; *FLASH

7、_PAGE = (addr & 0x380000) >> 19;（4）把FLASH设置为读状态。这一功能由函数ResetFlash()实现。根据FLASH的datasheet，其代码应为：void ResetFlash() volatile FLASH_DATA_TYPE* volatile flashaddr; flashaddr = GetFlashAddr(0); /* Don't care what address is used */ *flashaddr = 0xF0;这里不用修改。（5）从FLASH中读取数据这一功能由函数GetNextFlashAdd

8、r，GetFlashVal(), SendFlashBufToHost()联合实现，第一个函数负责寻址，第二个负责取数，第三个负责传数。在文件FBurnCmd.c中：函数GetFlashVal()改成, u8 GetFlashVal(unsigned long addr)*FLASH_PAGE = (u8)(u32)addr & 0x380000) >> 19);return *(volatile u8 *)(addr & 0xffc7ffff);（6）擦除FLASH此功能由函数EraseFlash（）实现，由此型号的FLASH可知，其参考代码如下：void Era

9、seFlash(void) volatile FLASH_DATA_TYPE* volatile pBase = GetFlashBase(); /* Code to erase AMD29LV033C */推荐精选 *pBase = 0xAA; *pBase = 0x55; *pBase = 0x80; *pBase = 0xAA; *pBase = 0x55; *pBase = 0x10; CheckFlashErase(); ResetFlash(); return;（7）写FLASH此功能由函数BurnFlash（）完成，参考代码如下：void BurnFlash(FLASH_IMAG

10、E_INDEX_TYPE index, MSG_DATA_TYPE *data, u32 nBytes) u16 timeout; u8 c; volatile FLASH_DATA_TYPE* volatile flashaddr; FLASH_IMAGE_INDEX_TYPE i = index; volatile FLASH_DATA_TYPE* volatile pBase = GetFlashBase();#if DBPRINT printf("Burning %x bytes of flash at %xn", nBytes, flashaddr);#endif

11、 while(nBytes-) flashaddr = GetFlashAddr(i); SetFlashPage(i); *pBase = 0xAA; *pBase = 0x55; *pBase = 0xA0; /* Write a byte */ *flashaddr = *data;推荐精选 /* Spin here until programming completes */ c = *data+; timeout = 0; do timeout += 1; while(*flashaddr != c && timeout < (u16)0xffff) ; i+; ResetFlash();对于不同型号的FLASH，*pBase对应的值不同，对于不同的开发板就看是否有分页。这些修改完成之后，就可以将整个工程进行编译、连接，得到的FBTC642.out文件就可以应用在FlashBurn里面了。四、应用