透射电镜的使用PPT课件

1、一. 透射电镜结构原理 电子光学系统 ； 自动操作程度控制及数据处理微机系统。 真空系统 104106乇；供电系统，高压稳定度； VIII. 透 射 电 子 显 微 镜 第1页/共34页电子光学系统： 1. 电子照明系统电子照明系统 (电子枪，会聚镜系统）电子枪，会聚镜系统） 2. 试样室 3. 成像放大系统4. 图象记录装置第2页/共34页电子光学系统： 1. 电子照明系统电子照明系统 *电子枪：*会聚镜系统： 第一会聚镜：md 11 第二会聚镜： 会聚光栏： 会聚光栏：(电子枪，会聚镜系统）10-5乇，以空气锁与试样室隔开控制 e 束照射区域及强度 强透镜短焦距，缩小束径,会聚在后焦面，

2、控制 e 束发散及柱体中的气体向电子枪区域扩散。 弱透镜，扩束为2d，ED用，散焦减小孔径角，平行束。 加上消像散器，可变50400m，降低球差，消除像散 第3页/共34页2. 试样室： 试样装入方式: 侧入式， 可作较大倾斜,双倾,平衡性稍差. 顶入式: 冷、热台，加压、拉伸 不能作倾斜，平衡性好. 空气锁的保证换样同时电镜柱体的真空度。第4页/共34页3. 成象放大系统： 物镜像平面中间镜前焦面 物物前前ffsamp 物镜后焦平面中间镜前焦面(ED) 中间镜像平面投影镜前焦面 调调节节透透镜镜的的激激磁磁电电流流 PmobMMMM物镜中间镜投影镜0maxmax1,300100ASMMobo

3、b ，通常等于通常等于 物镜光栏： 衬度光栏：衬度光栏：选区光栏： 4. 图象记录装置： 荧光屏照像装置ob极靴进口表面，缩小孔径角用。 ob后焦面上,可变。ob像平面上，可变 。第5页/共34页物镜成像原理 衍射花样成像二. 显微成像及衍射花样成像原理 ： 衬度光栏衬度光栏衬度光栏衬度光栏选区光栏选区光栏物镜中间镜AAAA A A A A显微成像 试样物镜成像原理 显微成像 衍射花样成像第6页/共34页*选区电子衍射 ：微晶结构及其形貌 如图，仅希望观察AA区B B AA A ABB dMd试样物镜衬度光栏衬度光栏选区光栏c: 调节I中 ,使f中 ,显微形貌观察a: 打开衬度光栏b: 调节选

4、区光阑尺寸，使之等于Md。观察ED花样至 f中前焦=f物后焦缩小衬度光栏至0级衍射AA第7页/共34页三. 成像衬度 散射衬度：透过试样不同部位时，散射与透射强度组成比例不同引起的反差 。 衍射衬度：透过试样不同部位时，衍射与透射强度组成比例不同引起的反差。 TEM衬度像： 被被光光栏栏挡挡去去散散射射部部分分过过光光栏栏透透射射部部分分束束透透过过试试样样Be第8页/共34页铁红金圈结晶釉的表面形貌复型像 复型衬度：复型衬度：1212,12 AA，tANGA 称为质厚衬度称为质厚衬度)11(2222ZVeZ 散射衬度一次复型二次复型试样 复型像 ：加加速速电电压压V：电子电量：电子电量e：原

5、子序数：原子序数Z一次复型二次复型(互补)(原貌)第9页/共34页 对薄晶体 当薄晶体中各部位(晶粒)符合Bragg条件不同时而产生的反差成为衍衬像。 衍衬像薄：可透过e 晶体：可衍射 各部位，即取向差：小角晶界，晶粒取向，缺陷近旁取向及晶面间距差等。 取向差：e 束为短的德布罗意波，对晶体可衍射，取向即为波与各位的差。 电子束散射能力强，所以ED强度XRD，几个数量级，所以衬度大 。第10页/共34页* 明场像： IDI0-ID 晶体中(hkl)与入射e束成, 衍射束与透射束聚焦在ob后焦面上 。利用衬度光栏挡去 DDIII 0 的的不不产产生生衍衍射射不不满满足足的的产产生生衍衍射射满满足

6、足束束穿穿越越薄薄晶晶BraggBragge 像像仅仅让让透透射射束束成成像像明明场场像像仅仅让让衍衍射射束束成成像像暗暗场场利利用用衬衬度度光光栏栏只有少数晶粒符合Bragg呈暗像； 多数晶粒不符合Bragg呈不同亮度 。 操作 ：,仅让I0-ID透射束成像。符合Bragg方程 发生衍射ID。ID第11页/共34页* 暗场像： 中心暗场像旁轴暗场像 位错、挛晶、电畴、共格相。试样物镜衬度光栏(1)倾斜电子束的方法。(2)移动衬度光栏的方法。使符合Bragg方程 发生衍射的晶粒成像。使符合Bragg方程 发生衍射的晶粒成像。第12页/共34页 SrTiO3陶瓷TEM暗场像 SrTiO3陶瓷TE

7、M明场像第13页/共34页0.9PMN-0.1PT中B位有序区明场像0.9PMN-0.1PT中B位有序区暗场像第14页/共34页 等厚条纹:厚度不同引起(孔洞、边缘) ID高，可再次衍射。 试样的厚度足以使电子束反复散射*条纹像： 试样不同深度处对入射电子束形成入射，衍射线强度交替变化。 强度衍射线强度入射线强度这个周期距离称为消光距离d。 形成两股相互交叉在入射、衍射方向上的电子束，dAlN陶瓷的TEM显微像d等厚条纹第15页/共34页 等倾干涉条纹：弯曲各部晶面与入射电子束不同，*条纹像： 强度入射电子束试样弯曲(受热或其他，薄片翘曲）衍射情况不同所出现的干涉条纹。符合Bragg条件不同，

8、AlN陶瓷的TEM显微像等倾干涉条纹第16页/共34页2 hklN0k0kgkhklhklgk/hklg爱瓦尔德作图法0kgkhklg )(hkl2 2 当晶体无限厚 四. 电子衍射 0kkgg kghkl (hkl)* 在倒空间是一倒易点 衍射峰窄小 OO第17页/共34页 不十分满足Bragg条件，因为晶体很薄，小于100埃，而Bragg公式是由无限厚晶体导出的。 爱氏球面几乎可近似为一平面，因为e束的德布罗意波长很短，故1/极大，尤其是与1. 薄晶体衍射原理 g倍倍约约1001g 14.03.01 Adg 1271037. 0100 AAKV 比。第18页/共34页爱瓦尔德作图法： 反射

9、球近乎是平面 所以，当晶体很薄时， 为满足爱氏作图法原理， 显然，倒易点 (hkl)*应该是具有一条倒易杆， 爱氏球(平)面才能与倒易杆相交发生衍射。 hklgkhklshklhklsgk gk0k Ohklgk Okhklggkhkls )hkl(0k即存在对的偏离：第19页/共34页近似结果： zzyyxxcgsSincNsSinsSinbNsSinsSinaNsSinVF 321 干涉函数 *偏离量值hkls与衍射强度关系，晶晶胞胞原原点点射射线线反反射射X射射线线反反射射X射射线线入入射射X射射线线入入射射Xi晶晶体体原原点点nrrir当晶体为薄晶体时，N3N2、N10 yxSS且且干

10、涉函数可简化为：zzcgscNsSinVF 3 因为 sz 是一个很小的量，所以，第20页/共34页zzcgscNsSinVF 3 那么，衍射强度 222)(sin)(zzCgStSVFI （） （试样厚度）（试样厚度）tcN 3 当S在比2/t区间为小时，强度仍然很高，gkhklgkhklstttt21120 1/t O杆与球面相截强度。 从符合爱瓦尔德作图法的意义上讲，相当于薄晶体的厚度方向(Z)倒易点阵的结点变成了“倒易杆”，第21页/共34页电子衍射原理： l l 反射球面视为平面 反射球面可以与同一倒易面上的一组倒易结点相交，形成一个倒易平面倒易点分布的二维放大图形。l l 倒易点倒

11、易杆PMN-PT陶瓷晶粒的ED花样电子衍射花样特征及标定： l l 单晶：斑点花样 反射球面可以与同一倒易面上的一组倒易结点相交，形成一个倒易平面倒易点分布的二维放大图形。第22页/共34页电子衍射花样特征： l l 多晶体：环花样 ( (同心圆) ) l l 玻璃：衍射荤环铁镍基合金内的纳米微晶区的显微像(左)及ED花样(右)堇青石玻璃陶瓷粉体的TEM图像第23页/共34页堇青石玻璃陶瓷粉体的TEM图像(a)及其ED花样(b)第24页/共34页由Bragg公式: 1/ 1/ 1/dOO*OLR 2 薄(单)晶体电子衍射几何：爱氏球薄晶体d 2即有： d/sin2 很小很小 很小很小d/ 02

12、1 d 2sin2 由图：LR 2d 2即：dLR L:投投中中物物MMfL 电子衍射几何：OR 倒易杆 试样至底片有效长度R:斑点至底片中心距离第25页/共34页由： OR dLR 那么： LRd 由底片测出R，若已知L ，可求d 。：仪仪器器常常数数 L 所以 e 束入射方向约等于由衍射晶面组成的晶带的晶带轴。 换言之，只有那些与e束入射方向为晶带轴所组成的晶带才能参与衍射。晶带定理： 0 wlvkuh 因为当很小时，e 束与衍射的晶面几乎是平行的第26页/共34页 由结晶学知识，已知由两个不共方向的倒易矢量即可确定一个倒易点阵，0 wlvkuh为两条不共方向、相邻的最短矢量。1g2g那么

13、： 123ggg O*1g2g3g 因此，衍射矢量之间有一定内在联系，满足一定的关系： 满足关系： 212122213)cos2( ggggg (1)(2) )(cos21211gggg 若和第27页/共34页由： 212122213)cos2( ggggg (1)(2) )(cos21211gggg ),(3333lkhg就就可可求求*c lbkahg 312312312,lllkkkhhh ),(),(22221111lkhglkhg，当当试试标标出出另有(3) O*1g2g3g第28页/共34页(4)任意确定某衍射点1的(hkl)；#薄晶(单)体电子衍射花样标定步骤： (1)测量各衍射点

14、与中心点之距离 R ;(2)求各衍射点的 ; RLd (3)对照JCPDS卡试标出各点的hkl；R1 O*R3 R2 hkl(5)用组成最小平行四边形，试标另2、3点的(hkl)； 之夹角 ，与Cos 的求值比较、验正标定结果的正确性；(7)按指数沿一定方向整数增大，标出其余各衍射点的(hkl)；21gg与与(8)用21ggB WVUB,1(hkl)R1 O*2g3g23 1g(220)(110)(6)测量求晶带轴第29页/共34页电子衍射花样标定：铁镍基合金中铁素体区内AlNiAlNi金属间化合物析出物的EDED分析第30页/共34页 SrTiO3陶瓷的HTEM晶格条纹像第31页/共34页 H-Nb2O5的HTEM晶格像第32页/共34页二. 以下是一篇科技论文对银纳米线材料的实验分析，右上图是银纳米线的TEM观察，图左上角为