技术报告_lvds差分电平标准技术报告_V10_20160329

1、版本：V1.0作者：贾兴刚日期：2016-3-29最后修改：2016-3-29LVDS电平标准技术报告LVDS标准电平技术报告共15页，第15页1 概述1.1 1.1LVDS简介现在的液晶显示屏普遍采用LVDS接口。LVDS（LowVoltageDifferentialSignal）即低电压差分信号，LVDS接口又称RS644总线接口，是20世纪90年代才出现的一种数据传输和接口技术。最基本的LVDS器件就是LVDS驱动器和接收器。LVDS的驱动器由驱动差分线对的电流源组成，电流通常为3.5mA。LVDS接收器具有很高的输入阻抗，因此驱动器输出的大部分电流都流过100的匹配电阻，并在接收器的输

2、入端产生大约350mV的电压。当驱动器翻转时，它改变流经电阻的电流方向，因此产生有效的逻辑“1”和逻辑“0”状态。LVDS技术在两个标准中被定义：ANSI/TIA/EIA644(1995年11月通过)和IEEEP1596.3(1996年3月通过)。这两个标准中都着重定义了LVDS的电特性，包括：低摆幅（约为350mV）。低电流驱动模式意味着可实现高速传输。ANSI/TIA/EIA644建议了655Mb/s的最大速率和1.923Gb/s的无失真通道上的理论极限速率。LVDS传输支持速率一般在155Mbps（大约为77MHZ）以上。低压摆幅。恒流源电流驱动，把输出电流限制到约为3.5mA左右，使跳

3、变期间的尖峰干扰最小，因而产生的功耗非常小。这允许集成电路密度的进一步提高，即提高了PCB板的效能，减少了成本。具有相对较慢的边缘速率（dV/dt约为0.300V/0.3ns,即为1V/ns）,同时采用差分传输形式，使其信号噪声和EMI都大为减少，同时也具有较强的抗干扰能力。所以，LVDS具有高速、超低功耗、低噪声和低成本的优良特性。LVDS的应用模式单向点对点（pointtopoint），这是典型的应用模式。双向点对点（pointtopoint），能通过一对双绞线实现双向的半双工通信。可以由标准的LVDS的驱动器和接收器构成；但更好的办法是采用总线LVDS驱动器，即BLVDS,这是为总线两端

4、都接负载而设计的。多分支形式(multidrop)，即一个驱动器连接多个接收器。当有相同的数据要传给多个负载时，可以采用这种应用形式。多点结构（multipoint）。此时多点总线支持多个驱动器，也可以采用BLVDS驱动器。它可以提供双向的半双工通信，但是在任一时刻，只能有一个驱动器工作。因而发送的优先权和总线的仲裁协议都需要依据不同的应用场合，选用不同的软件协议和硬件方案。为了支持LVDS的多点应用，即多分支结构和多点结构，2001年新推出的多点低压差分信号（MLVDS）国际标准ANSI/TIA/EIA8992001，规定了用于多分支结构和多点结构的MLVDS器件的标准，目前已有一些MLVD

5、S器件面世。LVDS技术的应用领域也日渐普遍。在高速系统内部、系统背板互连和电缆传输应用中，驱动器、接收器、收发器、并串转换器/串并转换器以及其他LVDS器件的应用正日益广泛。接口芯片供应商正推进LVDS作为下一代基础设施的基本构造模块，以支持手机基站、中心局交换设备以及网络主机和计算机、工作站之间的互连。LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。1.2 其他常用电平标准现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PEC

6、L、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用。注意事项。TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Volt

7、age TTL)。3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。2.5V LVTTL：Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片。TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。CMOS：Complementary Metal O

8、xide Semiconductor PMOS+NMOS。Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。3.3V LVCMOS：Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。2.5V LVCMOS：Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<

9、=0.7V。CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。PECL：Pseudo/Positive ECLVcc=5V；VOH=4

10、.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64VLVPELC：Low Voltage PECLVcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94VECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度

11、又推出LVDS电平标准。LVDS：Low Voltage Differential Signaling差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。 下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。如果感兴趣的话可以联系我。CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三

12、极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2V电源供电。Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75VPGTL/GTL+：Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8VHSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有V&not;CCIO=1.8V和V&not;&not;CCIO=1.5V。和上面的GTL相似

13、，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平(VCCIO/2)，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V&not;&not;CCIO=2.5V，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平1.25V，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。HSTL和SSTL大多用在300M以下。RS232和RS485基本和大家比较熟了，只简单提一下：RS232采用±12-15V供电，我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0，-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换，也可以用两个三极管加

14、一些外围电路进行反相和电压匹配。RS485是一种差分结构，相对RS232有更高的抗干扰能力。传输距离可以达到上千米。载波生成的基本原理载波生成由基准时钟、相位累加器、相位寄存器、相位/幅值查找表(ROM)组成。工作过程是预先在ROM中存入正弦或余弦波形的幅度编码，每来一个时钟信号，N 位的相位累加器将频率控制字K与相位寄存器的输出累加，同时，相位寄存器输出序列的高M位去寻址相位/幅值查找表，得到一系列离散的幅度编码。载波的输出信号频率为，频率分辨率为。TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，计算机处理器控制的设备内部各部分之间通

15、信的标准技术。TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输非常理想。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式。与CMOS管差异： 1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成2.CMOS的逻辑电平范围比较大(515V)，TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大(15mA/门) 5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当简单理解： TTL电平,TTL的电源工作电压是5V，所以TTL的电平是根据电源电压5V来定的。CMOS电平，CMOS的电源工作电

16、压是3V - 18V，CMOS的电源工作电压范围宽，如果你得CMOS的电源工作电压是12V，那么这个CMOS的输入输出电平电压要适合12V的输入输出要求。即CMOS的电平，要看你用的电源工作电压是多少，3v - 18V，都在CMOS的电源工作电压范围内，具体数值，看你加在CMOS芯片上的电源工作电压是多少。LVDS针脚定义20PIN单6定义：1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：地 8：R1- 9：R1+ 10：地 11：R2- 12：R2+ 13：地 14：CLK- 15：CLK+ 16空 17空 18空 19 空 20空每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右）20P

17、IN双6定义：1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：R1- 8：R1+ 9：R2- 10：R2+ 11：CLK- 12：CLK+ 13：RO1- 14：RO1+ 15：RO2- 16：RO2+ 17：RO3- 18：RO3+ 19：CLK1- 20：CLK1+每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右）20PIN单8定义：1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：地 8：R1- 9：R1+ 10：地 11：R2- 12：R2+ 13：地 14：CLK- 15：CLK+ 16：R3- 17：R3+每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右）30PIN单6定义：

18、1：空2：电源3：电源 4：空 5：空 6：空 7：空 8：R0- 9：R0+ 10：地 11：R1- 12：R1+ 13：地 14：R2- 15：R2+ 16：地 17：CLK- 18：CLK+ 19：地 20：空- 21：空 22：空 23：空 24：空 25：空 26：空 27：空 28空 29空 30空每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右）30PIN单8定义：1：空2：电源3：电源 4：空 5：空 6：空 7：空 8：R0- 9：R0+ 10：地 11：R1- 12：R1+ 13：地 14：R2- 15：R2+ 16：地 17：CLK- 18：CLK+ 19：地 20：R3- 21

19、：R3+ 22：地 23：空 24：空 25：空 26：空 27：空 28空 29空 30空每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右）30PIN双6定义：1：电源2：电源3：地 4：地 5：R0- 6：R0+ 7：地 8：R1- 9：R1+ 10：地 11：R2- 12：R2+ 13：地 14：CLK- 15：CLK+ 16：地 17：RS0- 18：RS0+ 19：地 20：RS1- 21：RS1+ 22：地 23：RS2- 24：RS2+ 25：地 26：CLK2- 27：CLK2+每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右）30PIN双8定义：1：电源2：电源3：电源 4：空 5：空 6：

20、空 7：地 8：R0- 9：R0+ 10：R1- 11：R1+ 12：R2- 13：R2+ 14：地 15：CLK- 16：CLK+ 17：地 18：R3- 19：R3+ 20：RB0-21：RB0+ 22：RB1- 23：RB1+ 24：地 25：RB2- 26：RB2+ 27：CLK2- 28：CLK2+ 29：RB3- 30：RB3+每组信号线之间电阻为（数字表120欧左右）一般14PIN、20PIN、30PIN为LVDS接口。2 LVDS工作原理及技术优势2.1 LVDS工作原理驱动器由一个恒流源（通常为3.5mA）驱动一对差分信号线组成。在接收端有一个高的直流输入阻抗（几乎不会消耗电

21、流），几乎全部的驱动电流将流经100的接收端电阻在接收器输入端产生约350mV的电压。当驱动状态反转时，流经电阻的电流方向改变，于是在接收端产生有效的“0”或“1”逻辑状态。图1 LVDS信号传输组成图LVDS信号传输一般由三部分组成：差分信号发送器，差分信号互联器，差分信号接收器。差分信号发送器：将非平衡传输的TTL信号转换成平衡传输的LVDS信号。通常由一个IC来完成，如：DS90C031差分信号接收器：将平衡传输的LVDS信号转换成非平衡传输的TTL信号。通常由一个IC来完成，如：DS90C032差分信号互联器：包括联接线（电缆或者PCB走线），终端匹配电阻。按照IEEE规定，电阻为10

22、0欧。我们通常选择为100，120欧。LVDS物理接口使用1.2V偏置电压作为基准，提供大约400mV摆幅。LVDS驱动器由一个驱动差分线对的电流源组成（通常电流为3.5mA），LVDS接收器具有很高的输入阻抗，因此驱动器输出的电流大部分都流过100的匹配电阻，并在接收器的输入端产生大约350mV 的电压。电流源为恒流特性，终端电阻在100120欧姆之间，则电压摆动幅度为：3.5mA * 100 = 350mV ；3.5mA * 120 = 420mV 。由逻辑“0”电平变化到逻辑“1”电平是需要时间的。由于LVDS信号物理电平变化在0。851。55V之间，其由逻辑“0”电平到逻辑“1”电平变

23、化的时间比TTL电平要快得多，所以LVDS更适合用来传输高速变化信号。其低压特点，功耗也低。2.2 LVDS技术优势（1）高速度：LVDS技术的恒流源模式低摆幅输出意味着LVDS能高速切换数据。例如，对于点到点的连接，传输速率可达数百Mbps。（2）高抗噪性能：噪声以共模方式在一对差分线上耦合出现，并在接收器中相减从而可消除噪声。这也是差分传输技术的共同特点。（3）低电压摆幅：使用非常低的幅度信号（约350mV）通过一对差分PCB走线或平衡电缆传输数据。LVDS的电压摆幅是PECL的一半，是RS-422的1/10；由于是低摆幅差分信号技术，其驱动和接收不依赖于供电电压，因此，LVDS可应用于低

24、电压系统中，如5V、3.3V甚至2.5V。（4）低功耗：接收器端的100阻抗功率仅仅为1.2mV。RS-422接收器端的100阻抗功率为90mV，是LVDS的75倍！LVDS器件采用CMOS工艺制造，CMOS工艺的静态功耗极小。LVDS驱动器和接收器所需的静态电流大约是PECL/ECL器件的1/10。LVDS驱动器采用恒流源驱动模式，这种设计可以减少1cc中的频率成分。从1cc与频率关系曲线图上可以看到在10MHz100MHz之间，曲线比较平坦；而TTL/CMOS以及GTL接收器件的动态电流则随着频率地增加呈指数增长，因为功率是电流的二次函数，所以动态功耗将随着频率的提高而大幅度提高（见图2）

25、。（5）低成本：LVDS芯片是标准CMOS工艺实现技术，集成度高；接收端阻抗小，连线简单，节省了电阻电容等外围元件；低能耗；LVDS总线串行传输数据，LVDS芯片内部集成了串化器或解串器，与并行数据互联相比，节省了约50%的电缆、接口及PCB制作成本。此外，由于连接关系大大简化，也节省了空间。（6）低噪声：由于两条信号线周围的电磁场相互抵消，故比单线信号传输电磁辐射小得多。恒流源驱动模式不易产生振铃和切换尖锋信号，进一步降低了噪声。2.3 差分信号抗噪特性从差分信号传输线路上可以看出，若是理想状况，线路没有干扰时，在发送侧，可以形象理解为：IN=IN+-IN-在接收侧，可以理解为：IN+-IN

26、-=OUT所以：OUT=IN在实际线路传输中，线路存在干扰，并且同时出现在差分线对上，在发送侧，仍然是：IN=IN+-IN-线路传输干扰同时存在于差分对上，假设干扰为q，则接收则：(IN+q)-(IN-q)=IN+-IN-=OUT所以：OUT=IN噪声被抑止掉。上述可以形象理解差分方式抑止噪声的能力。在实际芯片中，是在噪声容限内，采用“比较”及“量化”来处理的。LVDS接收器可以承受至少±1V的驱动器与接收器之间的地的电压变化。由于LVDS驱动器典型的偏置电压为+1.2V，地的电压变化、驱动器偏置电压以及轻度耦合到的噪声之和，在接收器的输入端相对于接收器的地是共模电压。这个共模范围是

27、：+0.2V+2.2V。建议接收器的输入电压范围为：0V+2.4V。抑止共模噪声是DS（差分信号）的共同特性，如RS485,RS422电平，采用差分平衡传输，由于其电平幅度大，更不容易受干扰，适合工业现场不太恶劣环境下通讯。3 应用发展LVDS信号在PCB上的设计由LVDS信号的工作原理及特点可以看出：LVDS信号不仅是差分信号，而且还是高速数字信号；因此LVDS传输媒质不管使用的是PCB线对还是电缆，都必须采取措施防止信号在媒质终端发生反射，同时应减少电磁干扰以保证信号的完整性。只要我们在布线时考虑到以上这些要素，设计高速差分线路板并不很困难。下面将简要介绍LVDS信号在PCB 上的设计要点

28、：1.布成多层板。有LVDS信号的印制板一般都要布成多层板。由于LVDS信号属于高速信号，与其相邻的层应为地层，对LVDS信号进行屏蔽防止干扰。另外密度不是很大的板子，在物理空间条件允许的情况下，最好将LVDS信号与其它信号分别放在不同的层。例如，对于四层板，通常可以按以下进行布层：LVDS信号层、地层、电源层、其它信号层。 2.LVDS信号阻抗计算与控制。LVDS信号的电压摆幅只有350 mV，适于电流驱动的差分信号方式工作。为了确保信号在传输线当中传播时不受反射信号的影响，LVDS信号要求传输线阻抗受控，通常差分阻抗为(100±10)。阻抗控制的好坏直接影响信号完整性及延迟。如何

29、对其进行阻抗控制呢? 、确定走线模式、参数及阻抗计算。LVDS分外层微带线差分模式和内层带状线差分模式两种，分别如图2、图3所示。通过合理设置参数，阻抗可利用相关阻抗计算软件(如POLAR-SI6000、CADENCE的ALLEGRO)计算也可利用阻抗计算公式计算。图2、图3为POLAR-SI6000阻抗计算软件计算阻抗值。阻抗计算公式计算阻抗。以上微带线和带状线种方式阻抗计算公式分别为：(i)微带线(microstrip)Z=87/sqrt(r+1.41)ln5.98H/(0.8W+T)其中，W为线宽，T为走线的铜皮厚度，H为走到参考平面的距离，r是PCB板材质的介电常数(dielectri

30、c Constant)。此公式必须在0.1<(W/H)<2.0及1<(r)<15的情况才能应用。(ii)带状线(stripline)Z=60/sqrt(r)ln4H/0.67(T+0.8W)其中，H为两参考平面的距离，并且走线位于参考平面的中间。此公式适应于双线，线间距与抗成正比，必须在W/H<0.35及T/H<0.25的情况才应用。由上面两公式可以看出，虽然其计算公式各不同，但阻抗值均与绝缘层厚度成正比，与介电常数、线的厚度及宽度成反比。、走平行等距线(如图4)。确定走线线宽及间距，在走线时要严格按照计算出的线宽和间距，两线间距要一直保持不变，也就是要保持

31、平行(如图4示)。平行的方式有两种： 一种为两条线走在同一线层(side-by-side)，另一种为两条线走在上下相两层(over-under)。一般尽量避免使用后者即层间差分信号，因为在PCB板的实际加工过程中，由于层叠之间的层压对准精度大大低于同层蚀刻精度，以及层压过程中的介质流失，不能保证差分线的间距等于层间介质厚度，会造成层间差分对的差分阻抗变化。困此建议尽量使用同层内的差分。3.紧耦合原则。在计算线宽和间距时最好遵守紧耦合的原则，也就是差分对线间距小于或等于线宽。当两条差分信号线距离很近时，电流传输方向相反，其磁场相互抵消，电场相互耦合，电磁辐射也要小得多。 4.走短线、直线。为确保信号的质量，LVDS差分对走线应该尽可能地短而直，减少布线中的过孔数，避免差分对布线太长，出现太多的拐弯，拐弯处尽量用45°或弧线，避免90°拐弯。 5.不同差分线对间处理。LVDS对走线方式的选择没有限制，微带线和带状线均可，但是必须注意要有良好的参考平面。对不同差分线之间的间距要求间隔不能太小，至少应大于35倍差分线间距。必要时在不同差分线对之间加地孔隔离以防止相互问的串扰。 6.LVDS信号远离其它信号。对LVDS信号和其它信号比如TTL信号，最好使用不同的走线层，如果因为设计限制