电力电子电路第1章 电力电子器件

1、第一章第一章本本章章主主要要内内容容1.1电力电子器件的特点与分类1.2功率二极管1.3晶闸管及派生器件 1.4门极可关断晶闸管(GTO)1.5 功率晶体管(GTR)第1章 电力电子器件1.6功率场效应晶体管1.8 其他新型电力电子器件1.7绝缘栅双极型晶体管(IGBT)1.1电力电子器件的特点 f(1) 电力电子器件往往工作在开关状态;f(2) 电力电子器件处理的功率较大，具有较高的导通电流和阻断电压;f(3) 电力电子器件的工作状态通常由信息电子电路来控制;f(4) 需要缓冲和保护电路.1.1电力电子器件的分类按照能够被控制电路信号所控制的程度按照能够被控制电路信号所控制的程度 半控型器件

2、半控型器件 主要是指主要是指晶闸管（晶闸管（ThyristorThyristor）及其大部分派生器件。及其大部分派生器件。 器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。 全控型器件全控型器件 目前最常用的是目前最常用的是 IGBTIGBT和和Power MOSFETPower MOSFET。 通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。 不可控器件不可控器件 功率二极管（功率二极管（Power DiodePower Diode） 不能用控制信号来控制其通断。不能用控制信号来控制其

3、通断。1.1电力电子器件的分类按照驱动信号的性质按照驱动信号的性质 电流驱动型电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 电压驱动型电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。根据器件内部带电粒子参与导电的种类不同根据器件内部带电粒子参与导电的种类不同 单极型单极型 器件内部只有一种带电粒子参与导电，如Power MOSFET。 双极型双极型 器件内有电子和空穴两种带电粒子参与导电，如GTR和GTO。 复合型复合型 由双极型器件与单极型器件复合而成的新器件，如IGBT。 1.2功率二极管1.2.1 功率二极管的主要类型 (1)普通

4、二极管 又称为整流二极管，开关频率不高，反向恢复时间较长，正向电流定额和反向电压定额很高，分别可达数千安和数千伏以上。 (2)快速恢复二极管 分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长；后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。工艺上通常分为PN结构和PIN结构； 其反向恢复时间比较短，正向压降很低。 (3)肖特基二极管 优点：反向恢复时间很短，其正向压降也很小(0.5V) ，开关损耗小。 缺点：当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合。同时，由于反向漏电流较大且对温度敏感，反向稳态损耗不可忽略，而且必须严格限制其工作温度。1

5、.2.2 PN结型功率二极管基本结构图1-1 功率二极管的外形、结构和电气图形符号1.2.2 PN结型功率二极管基本特性 图1-2 结型功率二极管的伏安特性 1.2.2 PN结型功率二极管基本特性 图1-3 结型功率二极管的开关过程1.2.4 功率二极管的主要参数(1) 额定电压URR 反向不重复峰值电压URSM是即将出现反向击穿的临界电压，URSM的80%称为反向重复峰值电压URRM。(2) 额定电流IFR IFR定义为在环境温度和规定的散热条件下，其管芯PN结的温升不超过允许值时，所允许流过的正弦半波电流平均值。(3) 最大允许的全周期均方根正向电流IFrms(4) 最大允许非重复浪涌电流

6、IFSM IFSM是二极管所允许的半周期峰值浪涌电流，它体现了功率二极管抗短路冲击电流的能力，其值比额定电流要大得多。 FRmm011sin()2IItI2Frmsmm011(sin)()22IItdtI1.3晶闸管-结构 图图1-5 晶闸管的外形、结构和符号晶闸管的外形、结构和符号 晶闸管就是硅晶体闸管也称为可控硅整流器。普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。1.3晶闸管-封装 1.3晶闸管-螺栓式1.3晶闸管-平板式1.3晶闸管-模块式模块式模块式1.3晶闸管-P1N1P2N2A阳极（Anode）G门极（Gate）K阴极（Cathode）结结 构构AGK电气符号电气符号1.3晶闸

7、管-EgSAGKEAR晶闸管导通与关断实验电路晶闸管导通与关断实验电路1.3晶闸管-AGKEgSEAR门极加负电压门极加负电压1.3晶闸管-门极加正电压门极加正电压AGKEgSEARIgIA1.3晶闸管-导通后门极加负电压导通后门极加负电压AGKEgSEARIA1.3晶闸管-导通后撤除门极电压导通后撤除门极电压SAGKEgEARIA1.3晶闸管-导通后减小阳极电流导通后减小阳极电流AGKEgSEAnRIAR1.3晶闸管-AGKEgSR导通后减小阳极电压或去除阳极电压导通后减小阳极电压或去除阳极电压EA1.3晶闸管-AGKEgSEAR导通后阳极加反压导通后阳极加反压1.3晶闸管-1.3晶闸管-导

8、通和关断条件 1、欲使晶闸管导通需具备两个条件： 应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压； 应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。2、晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管为半控型器件。3、为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。1.3晶闸管-工作原理图图1-6 晶闸管的双晶体管模型与工作电路图晶闸管的双晶体管模型与工作电路图b2C2C22b211C111=(=)(=)GbCbIIIIIIIIIN2N1P2AKGP1N1P21.3晶闸管-静态伏安特性图图1-7 1-7 晶闸管伏安特性曲线晶闸管伏安特性曲线 1.3晶闸管-

9、基本工作特性归纳晶闸管承受反向电压时，不论门极有否触发电流，晶闸管都不导通，反向伏安特性类似于二极管。(2)晶闸管承受正向电压时，仅门极有正向触发电流的情况下才能导通。导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿，压降在1V左右；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。(3)要使晶闸管关断，必须使晶闸管的电流下降到某一数值以下。(4)晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从阴极流出；为保证可靠、安全地触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区，既保证有足够的触发功率，又确保不损坏门极和阴极之间的PN结。1.3晶闸管-动态特性图图1-8 1-8 晶闸管开通和关断过程波形晶闸管开通和关断

10、过程波形1.3晶闸管-电压参数(6)通态平均电压UT(AV) 晶闸管阳极与阴极间电压降的平均值,管压降。 表1-1 晶闸管正、反向重复峰值电压等级1.3晶闸管-电流参数(1) 通态平均电流IT(Av) 在环境温度为+40和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170o的电阻性负载电路中，在额定结温时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。将该电流按晶闸管标准电流系列取整数值，称为该晶闸管的通态平均电流，定义为该元件的额定电流。（2）波形系数 各种有直流分量的电流波形都有一个电流平均值(一个周期内电流波形面积的平均)，也就是直流电流表的读数值；也都有一个有效值(均方根值)。现定义电流波形的有效值

11、与平均值之比称为该波形的波形系数，用Kf表示。如整流电路直流输出负载电流id的波形系数为fd=IKI式中，I负载电流有效值； Id负载电流平均值。1.3晶闸管-电流参数根据规定条件，流过晶闸管为工频正弦半波电流波形。设电流峰值为Im，则通态平均电流 该电流波形的有效值mmTavm1sin()( cos)22ooIIIItdtt2mTmm111cos2sind()()d()22222ooItIIttIt正弦半波电流波形系数Kf应有 TmfTavm/ 21.57/IIKII额定电流为100A的晶闸管，其允许通过电流有效值为1.57100=157 1.3晶闸管-电流参数 在实际电路中，流过晶闸管的波

12、形可能是任意的非正弦波形，如何去计算和选择晶闸管的额定电流值，应根据电流有效值相等即发热相同的原则，将非正弦半波电流的有效值IT或平均值Id折合成等效的正弦半波电流平均值去选择晶闸管额定值，即TTavTavdTfdf1.571.57IIIIIK IK实际选用时，一般考虑1.52倍的安全裕量 Tavdf1.57(1.5 2)IIK1.3晶闸管-电流参数例例1.1： 实际流过晶闸管的电流波形i1和i2如图，其峰值分别为Im1和Im2。计算结果如下：i10 /2 2 5/2 tIm1i2Im20 2/3 2 8/3 t 若不考虑安全裕量，求KP100型晶闸管中流过i1和i2电流时所能承受的最大平均电

13、流值。1.3晶闸管-电流参数（1）实际电流波形i1的平均值、有效值和波形系数i10 /2 2 5/2 tIm1平均值m1m1d122)d(sin21IttII有效值2221111111(sin)sin222242mmmItIItd( ttI2波形系数1fd12.222IKI1.3晶闸管-电流参数（1）若不考虑安全裕量，求KP100型晶闸管中流过i1电流时所能承受的最大平均电流值。i10 /2 2 5/2 tIm1TavTd1ff1.571.57 10070.7A2.22IIIKK考虑安全裕量Id1=70.7/(1.52)=35.3547.13A1.3晶闸管-电流参数（2）实际电流波形i2的平均

14、值、有效值和波形系数320m2m2d23)d(21ItII平均值有效值22m22m220112() d()22323mIIItI3波形系数2fd231.73IKI1.3晶闸管-电流参数TavTd2ff1.571.57 10090.7A1.73IIIKK（2）若不考虑安全裕量，求KP100型晶闸管中流过i2电流时所能承受的最大平均电流值。考虑安全裕量Id2=90.7/(1.52)=45.3560.46A1.3晶闸管-电流参数例1.2： 图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量时，各应选择额定电流为多大的晶

15、闸管？d1m1m1012sind()127.3AIIttI21m1m1011sind()141.4A2IIttI有效值f11=1.112 2K波形系数波形系数平均值1.3晶闸管-电流参数例1.2： 图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量，各应选择额定电流为多大的晶闸管？f11.11KTavd1f1d1Tavf1.57127.2 1.1190A1.571.57II KIIK（5，10，20，30，50，80，100，200，300，400，500，600，800，1000）d1127.3AId1f1Ta

16、v127.2 1.11(1.52)(1.52)135180A1.571.57I KI1.3晶闸管-电流参数例1.2： 图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量时，各应选择额定电流为多大的晶闸管？d2m2m2m2/313sind()0.47895.6A2IIttII22m2m2m2/3113sind()0.634126.8A38IIttII2f2d2=1.326IKI波形系数平均值有效值1.3晶闸管-电流参数例1.2： 图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与

17、波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量，各应选择额定电流为多大的晶闸管？f21.326Kd2f 2Tav95.6 1.32680.76A1.571.57IKI（5，10，20，30，50，80，100，200，300，400，500，600，800，1000）d295.6AId2f 2Tav95.6 1.326(1.52)(1.52)121.1161.5A1.571.57IKI1.3晶闸管-电流参数例1.2： 图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量时，各应选择额定电流为多大的晶闸管？/2m3d

18、3m301d()50A24IIIt2/2m33m301d()100A22IIIt3f3d3=2IKI波形系数平均值有效值1.3晶闸管-电流参数例1.2： 图中波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算各波形电流平均值、有效值与波形系数。若设Im均为200A，不考虑安全裕量，各应选择额定电流为多大的晶闸管？f32Kd2f 2Tav50263.7A1.571.57IKI（5，10，20，30，50，80，100，200，300，400，500，600，800，1000）d350AId3f 3Tav502(1.52)(1.52)95.55127.4A1.571.57IKI1.3晶闸管-

19、电流参数(2) 维持电流IH晶闸管被触发导通以后，在室温和门极开路的条件下，减小阳极电流，使晶闸管维持通态所必需的最小阳极电流。(3) 掣住电流IL晶闸管一经触发导通就去掉触发信号，能使晶闸管保持导通所需要的最小阳极电流。(4) 断态重复平均电流IDR和反向重复平均电流IRR额定结温和门极开路时，对应于断态重复峰值电压和反向重复峰值电压下的平均漏电流。(5) 浪涌电流ITSM在规定条件下，工频正弦半周期内所允许的最大过载峰值电流。 1.3晶闸管-动态参数(1) 断态电压临界上升率du/dt在额定结温和门极开路下，使晶闸管保持断态所能承受的最大电压上升率。(2) 通态电流临界上升率di/dt在规

20、定条件下，晶闸管用门极触发信号开通时，晶闸管能够承受而不会导致损坏的通态电流最大上升率。 (3)开通时间tON 开通时间tON由延迟时间td和上升时间tr组成。图1-9 门极控制开通时间1.3晶闸管-动态参数(4) 关断时间方tOFF 关断时间包括反向恢复时间trr和门极恢复时间tgr两部分。从通态电流降至零瞬间起，到晶闸管开始能承受规定的断态电压瞬间止的时间间隔。图1-10 晶闸管电路换向关断时间 1.3晶闸管-派生器件1、快速晶闸管普通晶闸管一般为数百微秒，快速晶闸管为数十微秒，而高频晶闸管则为10s左右。与普通晶闸管相比，高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。由于工作频率较高，

21、选择快速晶闸管和高频晶闸管的通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。2、双向晶闸管双向晶闸管与一对反并联晶闸管相比是经济的，而且控制电路比较简单，所以在交流调压电路、固态继电器和交流电动机调速等领域应用较多。 1.3晶闸管-派生器件3、逆导晶闸管逆导晶闸管具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点，可用于不需要阻断反向电压的电路中。4、光控晶闸管光控晶闸管目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。1.3晶闸管-型号例如，KP20015G的型号，具体表示为额定电流200A，额定电压为1500V，G表示通态平均电压(管压降)为lV的普通型晶闸管，共

22、有从A-I九级，对应0.4-1.2V管压降。 KK快速晶闸管KS双向晶闸管KA高频晶闸管1.4门极可关断晶闸管(GTO)图图1-15 GTO1-15 GTO的结构、等效电路及图形符号的结构、等效电路及图形符号 b2C2C22b211C111=(=)(=)GbCbIIIIIIIII1.4 GTO-开通机理GTO导通的必要条件是： 121aa此时注入门极的电流IG为： 12GA21 ()aaIIa1.4 GTO-开通机理12GA21 ()aaIIaKAGAc1c21 A2 KIIIIIIII因1.4 GTO-关断机理12GMATO2() 1aaIIaGTO关断条件： 1.4 GTO-失效机理产生原

23、因产生原因:(1)但由于制造工艺、材料质量等问题，很难保证一个大功率GTO内部所有小元的特性完全相同;(2)若这些小元性能不一致，就可能造成稳态工作时电流分配不均，开关时间不同;(3)造成部分先开通小元局部电流过大而烧坏，使器件永久失效。 解决方法解决方法:(1)一方面在工艺上应改善内部大面积扩散及载流子寿命的均匀性，以保证内部小元性能的一致； (2)另一方面，从电路上则应提高门极触发电流的强度和上升率，以改善内部小GTO元的开通一致性。1.4 GTO-静态特性当外加电压超过正向转折电压BUFO时，GTO即正向开通，这种现象称为电压触发。用90%BUFO值定义为正向额定电压，用90%BUR值定

24、义为反向额定电压。1.4 GTO-通态压降特性图1-18 GTO的通态压降特性图1-19 GTO的安全工作区1.4 GTO-动态特性(开通)延迟时间td：从门极电流iG上升开始,到阳极电流iA上升到10%的时间。上升时间tr：阳极可关断电流iA从10%上升到90%所需的时间。存贮时间ts：从门极关断电流峰值10%到阳极电流降至可关断电流90%时间。(2)下降时间tf：阳极可关断电流从90%下降到10%所需的时间。 (3) 尾部时间tr：阳极电流从10%IA回升，后衰减至断态漏电流的时间。 1.4 GTO-动态特性(关断)1.4 GTO-主要参数(3) 阳极尖峰电压UP：在GTO关断过程下降时间

25、末尾出现的极值电压。(4) 关断时间toff：toff定义为存贮时间和下降时间之和，即toff=ts+tf。1.4 GTO-主要参数(5) 阳极电压上升率du/dt：GTO的du/dt有静态和动态之分。(6) 阳极电流上升率di/dt：在阳极电压为额定电压1/2时，阳极电流为最大可关断电流条件下，开通过程中阳极电流从10到50的直线斜率。1.4 GTO IATO和off(1) 最大可关断阳极电流IATO GTO的阳极电流允许值受两方面因素的影响：一是额定工作结温，其决定了GTO的平均电流额定值；二是关断失败。所以GTO必须规定一个最大可关断阳极电流IATO作为其容量，IATO即管子的铭牌。(2

26、)电流关断增益off 电流关断增益off为最大关断电流IATO与门极负电流最大值IGM之比ATO2offGM12() 1IaIaaoff表示GTO的关断能力。当门极负电流上升率一定时，off随可关断阳极电流的增加而增加；当可关断阳极电流一定时，off随门极负电流上升率的增加而减小。 1.5功率晶体管(GTR)功率晶体管又称为电力晶体管（功率晶体管又称为电力晶体管（GTR），它是一种耐高压、大电），它是一种耐高压、大电流的双极结型晶体管。流的双极结型晶体管。GTR电气符号与普通晶体管相同，它具有电气符号与普通晶体管相同，它具有自关断能力、控制方便。自自关断能力、控制方便。自20世纪世纪80年代以

27、来，在中、小功率范年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前大多又被围内取代晶闸管，但目前大多又被IGBT和功率和功率MOSFET取代。取代。1.5GTR-基本结构cbCEOiiI1.5GTR-静态工作特性图1-26 GTR静态工作特性1.5GTR-动态工作特性GTR开通时间ton为延迟时间td和上升时间tr之和。td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的，增大IB1的幅值并增大diB/dt，可缩短td和tr，从而加快开通过程。 iBiB1.5GTR-动态工作特性GTR关断时间toff为储存时间ts和下降时间tf之和。ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子，是主要部分，减小导

28、通时的饱和深度以减小储存的载流子，或增大基极抽取负电流IB2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，加快关断速度。GTR开关时间在几微秒。1.5 GTR-主要参数(1) 最高工作电压最高工作电压UCEMGTR电压超过规定值时会发生击穿， 击穿电压跟晶体管本身特性和外电路接法有关。UCEM比UCEO (基极开路时集射极间的击穿电压)低得多。(2) 集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM电流放大倍数hFE降到规定值的1/21/3时所对应的IC为集电极最大允许电流。实际使用时要留有裕量，一般只能用到ICM的一半或稍多一点。(3) 集电极最大耗散功率集电极最大耗散功率PCM集电极最大耗散功率是指在最高工作

29、温度下允许的耗散功率，它等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。工作温度每增加20，平均寿命大约下降一个数量级，有时会因温度过高而使GTR迅速损坏。(4) 最高结温最高结温TJMGTR的最高结温与半导体材料的性质、器件制造工艺和封装质量有关。一般情况下，塑封硅管的TJM为125150，金封硅管的TJM为150170，高可靠平面管的TJM为170200。1.5 GTR-二次击穿现象与安全工作区1、二次击穿现象、二次击穿现象 当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，IC迅速增大，这种击穿首先出现的是雪崩击穿，又称为一次击穿。在实际应用中常常发现当一次击穿发生时，IC增大到某个临界点时会突然急剧上升

30、，并伴随电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。二次击穿是GTR特有的现象，持续时间很短，常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，对GTR危害极大，必须避免。2、安全工作区、安全工作区对于GTR而言，把不同基极电流下二次击穿的临界点连接起来，构成一条二次击穿临界线，临界线上各点反映了二次击穿功率PSB。为了保证GTR正常工作，GTR最大工作电流不能超过集电极的ICM，最大耗散功率不能超过集电极允许的PCM，工作电压不能超过最高电压UCEM，同时也不能超过二次击穿临界线。这些限制条件构成了GTR的安全工作区。1.6功率场效应晶体管(Power MOSFET)Power MOSFET是一种

31、单极型电压全控器件，具有输入阻抗高、工作速度快、驱动功率小且电路简单、热稳定性好、无二次击穿问题、安全工作区宽等优点，在各类开关电路中应用极为广泛。1.6 Power MOSFET-静态特性(1)当UGSUT， 当器件工作在器件饱和区时，随着UDS的增大，ID几乎不变，只有改变UGS才能使ID发生变化。(3)而在正向电阻区，功率MOSFET处于充分导通状态，UGS和UDS的增加都可使ID增大，器件如同线性电阻。正常工作时，随UGS的变化，功率MOSFET在截止区和正向电阻区间切 1.6 Power MOSFET-动态特性开通时间ton是延迟时间、电流上升时间与电压下降时间之和。延迟时间td(o

32、n)从驱动电压前沿时刻到iD达到稳态电流ID的10。 电流上升时间tri为漏极电流iD从10ID到90%ID的时间。电压下降时间tfv为漏极电流iD从90到UDS(管压降)降到0的时间。1.6 Power MOSFET-主要参数(1) 通态电阻Ron通态电阻Ron是影响最大输出功率的重要参数。功率MOSFET是单极性器件，没有电导调制效应，在相同条件下，耐压等级越高的功率MOSFET其Ron越大，这是其耐压难以提高的原因之一。另外Ron随ID的增加而增加，随UGS的升高而减小。(2) 漏极电压最大值UDSM这是标称功率MOSFET额定电压的参数，为避免功率MOSFET发生雪崩击穿，实际工作中的

33、漏极和源极两端的电压不允许超过漏极电压最大值UDSM。(3) 漏极电流最大值IDMIDM是标称功率MOSFET电流额定的参数，实际工作中漏源极流过的电流应低于额定电流IDM的50。1.6 Power MOSFET-防静电击穿保护 功率MOSFET最大优点是具有极高的输入阻抗，因此在静电较强的场合难于泄放电荷，易引起静电击穿。防静电击穿应注意：在测试和接入电路之前器件应存放在静电包装袋、导电材料或金属容器中，不能放在塑料袋中。取用时应拿管壳部分而不是引线部分。工作人员需通过挽带良好接地；(2) 将器件接入电路时,工作台和烙铁都必须良好接地，焊接时烙铁应断电；(3) 在测试器件时，测量仪器和工作台都必须良好接地。器件的三个电极未全部接入测试仪器或电路前不要施加电压。改换测试范围时，电压和电源都必须先恢复到零；(4) 注意栅极电压不要过限。1.7 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)IGBT是20世纪80年代中期问世的一种新型复合电力电子器件。由于它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和GTR的低通态压降、高电流密度的特性，这些年发展十分迅速。IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR。1.7 IGBT-工作原理由栅极电压来控制IGBT导通或关断。当IGBT栅极加上正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。当IGBT栅极加上负电压时，MOSFE