热发射扫描电镜技术规格及要求

1、热发射扫描电镜技术规格及要 求热发射扫描电镜技术规格及要求1、设备组成、布置方式及用途说明1.1 设备名称：热发射扫描电镜1.2 数量： 一套1.3 场发射扫描电镜主要由以下部分组成： 主机：热场发射扫描电镜 附件：电制冷能谱（EDS）与EBSD 体化系统；离子束镀膜仪； 精密切割机；半自动研磨/抛光机；振动抛光机。1.4 推荐布置方式：开放式布置。1.5. 电镜主要用于材料的微观形貌观察，要求该设备可以直接对导电（金属材料、半导体材料）和不导电的材料（陶瓷、塑料、玻璃等）进行观察，以 满足研究近似原始状态下相关样品的观察和分析需求；配上能谱仪，可对材料 的微区成分进行定性和定量分析及元素线扫

2、描和面分布分析；配上EBSD，可通过实时采集背散射电子以及标定背散射电子衍射花样，快速获取逐点的晶体学结构信息，分析研究材料的晶体取向、微观织构及其相关的材料性能等。1.6. 能通过程序控制实现自动化检测。2、技术指标要求2.1.场发射扫描电镜FESEM场发射扫描电镜作为最关键部件，要求选用 国际知名品牌产品。投标文件应对所选用场发射 显微镜品牌、特色及技术指标给予详细描述。1性能参数1.1分辨率二次电子像（SE）15KV1nm1KV1.6 nm分析模式（EDS或EBSD分析）15KV3nm背散射电子像（BSE）30KV2.5 nm1.2放大倍数30-800,00 OX放大倍数误差 50mm

3、； 丫 50mm ； Z 25mm ； T -5+70 ； R=360 连续旋转， 电脑控制全对中旋转控制，内 置样品防撞警报器3.2样品室最大可装载直径不小于150mm样品；兼容性高，预留了EDS、EBSD以及其他标准扩展接口。3.3重复性重复性：2 m ；3.4稳定性最小步长：90 nm ；漂移：在稳疋 20min后，在360 s内（样品台不倾斜）， 样品台漂移小于 40 nm ；3.5样品台控制样品台移动：在屏幕图形上用鼠标控制及操纵杆控制；灵敏度与放大倍数相 协调；样品台导航：由模拟样品台移动的Smart SEM图形来进行；扌警：与屏幕上的信息同时进行音响报警。接触报4检测器4.1镜筒

4、内二次电子检测器一个和背散射电子检测器各一个；样品室二次电子检测器一个和背散射电 子检测器各一个4.2样品室红外CCD相机一个5电脑控制、数字图像记录系统和标准应用软件5.1配置与EDS和EBDS的数据连接通道；具有自动控制功能：自动真空控制、自动调节饱和电流、透镜光阑对中、自动调焦、加速电压偏5.2压自动补偿、电子束大小电流自动调整、自动调整扫描速度（根据信噪比）、自动调整对比度 &亮度、自动消像散。5.3图像处理：最大像素不小于4096 X 3536像素。图像显示：单幅图像显示或4帧图像（SE和BSE,混合像，CCD像）同时显示，双分屏显示（显示电镜工作参数）;图像记录：TIFF, BMP

5、 或JPEG;几何量实时测量（任何倍率下误差低于3%以下）；标准配备多种测量软件工具；图像存取和管理软件；操作软件内建帮助软件，协助使用者查询相关操作步骤；具有产品控制和数据处理的其他 标 配功能。5.4电镜控制操作软件。6控制和数据处理系统6.1基于以太网架构的数据传输系统；In tel双核控制和操作计算机系统（要求标书需明确配置）；Win dows XP 操作系统；中央处理器：CPU : In tel P4 3.2GHz。内存：3.45G ;外界接口：串行、并行、SCSI、USB 2.0接口、网络；硬盘 1000GB ； CD、DVD刻录；显示器：19英寸LCD显示 器（标书需明确厂家与型

6、号）7真空系统7.1涡轮分子泵，离子泵，前级机械泵；换样时间：W300秒（高真空模式）；电子枪室真空度数量级；样品室真空度：高真空模式下10-4Pa数量级。10-7Pa8工作条件和安装要求3.1电源:220V/50Hz ;运行环境温度：15-25度； 运行环境：相对湿度 106 点/秒 (8*8 binning)1.3标定成功率任何扫描速度下，用以多晶镍（Ni）为标样，测量 99%的标定成功率。1.4（*）取向精准 度任何扫描速度下，获得优于0.3度的取向精准度，并可同时给岀数据可用性的量化指标；2（*）数据库系统具有专用的EBSD和ICSD数据库；具有人工建立数据库和添加源于XRD的通用数据

7、库功能。3（*）软件功能与能谱联合使用，具备图像采集系统：具有SEM成像功能，可支持多种SEM图像类型，图片尺寸不低于4096 X 4096 ；具备EBSD花样自由采集，无标样自动系统校准功能，拥有 极图与反极图，取向分布，相区分与鉴定，能够分析晶界织 构，以及EDS和EBSD的同步分析，离线数据再处理等软 件包；标书需详细提供产品功能的软件特点。4（）计算机提供通讯连接和高性能计算机工作站，保证解析的高速度； 标书需详细提供产品功能的特点。2.3. 附件：离子束镀膜仪功能：适用于不同材质的试样表面喷镀导电层。主要技术指标：1. 样品能够快速镀膜，只产生极小的热量；2. 控制样品旋转和摇摆速率

8、，确保样品镀膜均3. 样品载台适用于各种SEM样品；4. 配有测膜厚度装置（FTM,能够连续测量沉 积速率；5. 提供多种材质（C Pt、Au、Cr）的靶材；6. 隐藏在腔体内的耙材完全与溅射污染物隔 离；7. 可选配第二个耙材交换仪器即可再增加两个 耙材，可在保持真空的情况下极短时间内选择两 个可用耙材中任意一个。2.4. 附件：精密切割机功能：适用于不同材质的试样取样，包括陶瓷，金属，稀土材料，复合材料，生物材料等；能自 动完成试样的切割，并有良好的切割效果，试样 损伤小；对于失效分析的试样能精确定位切割。 主要技术指标：1. 工作功率：1/8 HP（92瓦）直流马达2. 刀片转速：0-9

9、75 RPM连续可调，步长1RPM3. 刀片尺寸：75mm（3英寸）-178mm （ 7英寸）4. 安装孔尺寸:1/2”（12.7毫米）5. 最大切割直径：40毫米6. 自动切割开关，滑动筹码配重系统（0-500g）7. 数字式样品定位系统，定位精度 0.1mm8. 带有可拆卸的防护罩，可进行全自动封闭切割9. 内装切割片精整装置10. 标准配置包含所有连接管线，工器具及操 作手册11. 耗材配置冷却液（950ml）及金刚石刀片（）。12. 工作环境:220V/单相2.5. 附件：半自动研磨/抛光机/抛光介质，完成从功能：通过选用不同的研磨 粗磨至精抛的样品制备过程 主要技术指标：13. 磨盘

10、工作功率：750瓦14. 自动工作头功率：116瓦15. 磨盘直径：250mm16. 底盘转速：10-500转/分钟，转动方向可 调17. 自动工作头转速：30-60转/分钟，转向可 调节，以在必要时增加切削速度18. 压力模式：同时具有单点力（5-45牛顿）和 中间力（20-260牛顿）两种模式19. 触摸面板控制20. 水流出口，出水大小/方向可调节21. 安全性能：紧急停车旋钮；22. 所有夹具可方便且快速的与工作头装配或 拆卸，以满足频繁的清洗和显微观察要求23. 气动压力控制，稳定安全24. 面板控制：压力模式，压力大小，工作头 转向，工作时间，水流开关25. 外形尺寸及设备重量:506 X621X653mm，175 磅（85KG）26. 工作环境：220V/50HZ，气压 85psi （6bars），清洁自来水26 附件：振动抛光机功能：完成金相试样的振动抛光，残余应力小， 适用于EBS