电磁炉IGBT简介[1].

1、电磁炉常用IGBT管型号及主要参数目前，用于电磁炉的I GBT管主要由：AI RCHI LD(美国仙童)、I NFI NEON(德国英飞凌)、TOSHI BA(日本东芝)等几 家 国 外公司生产，各公司对 IGBT管的型号命名不尽相同，但 大致有以下规律：1 .管子型号前半部分数字表示该管的最大工作电流值，如：G40KXXX、20NXXXX就 分别表示其最大工作电流为40A、20A。2 .管子型号后半部分数字则表示该管的最高耐压值，如：GXXX 150XX、XX N120XXX就分别表示最高耐压值为1 . 5kV、1 . 2kV。3 .管子型号后缀字母含“ D”则表示该管内含阻尼二极管。但 未

2、标“ D”并不一定是无阻尼二极管，因此在检修时一定要用万用表检测验证， 避免出现不应有的损失。一只1 GBT管的技术参数较多，包括反向击穿电压(BVceo)、集电极最大连续电流(：1 C)、输岀功率、工作频率等参数。例：G40N150D反向击穿电压BVce o (V)15C10集电极最大连续电流Ic (A )40工作电压(V)10 00输出功率(w)2 00 0工作频率(k Hz)100栅板门限电压UGe。(V)5 .5集、射极间饱和电压Uce( v)3 .5集、射极间是否有阻尼保护二二极管内含阻尼，保护二极管但在实际修理 中，一般只需了解其反向击穿电压(BVceo，又称最高耐 压)、集电极最

3、大连续电流(lc，简称最大电流)及管内是否有阻尼二极管即可。管子型号最高耐压(V)最大电流Ic (A)管内是否含阻尼二极管20N120CND120020有K25T120120025有G40N150D150040有5GL40N150D150040有G4PH50UD150040有GT40q321130040有GT40T101100040无G40T101100040无GT40T301130040无SQB35JA150035有G30P120N120030无GPQ25101100025有GT153101100015无GT8Q19119008有GT50J101100050无GT50j102100050无G

4、T50J301130050无GT60M104100060无GT60M301130060无GT75AN-12120075无15Q101100015 二有25Q101100025有80J101100080无JHT20T120120020有SKW25N120120025有电磁炉为何要用IGBT管做功率管在电磁炉电路中，开关管扮演着非常重要的角色。当开关管导通时，+300V经加热线圈、开关管以大电流给加热线圈充电，电能转化为加热线圈中的电磁能。经测试，此时加在开关管上的电压约为 十250V，工作电流在20A40A之间。如此大的工作电流，什么样的 开关管才能安全稳定地工作呢？普通的Mos场 效应管，虽然

5、仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因内阻较大，管子发热快，难以长时间工作；大功率达林顿管虽然可以在高电压、大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。人们自然想到将场效应管与大功率达林顿管有机地结合的IGBT管，将场效应管作 为推动管，大 功率管作为输岀管,在高电压、大电流状态下长期安全工作，并表现 出极好的开关特性，输出功率可达1000W以上。电磁炉IGBT管的代换1、替换管的代用参数大些比小的好对于功率在 2 0 0 0 W以下的电磁炉可选用最大电流为2 0A 或 25 A的IGBT管，女口 2 5 Q1 0 1等； 对于功率等于或大于 2 0 0 0 W 的电磁

6、炉应选用最大电流为40 A的I GBT管，女口 GT40T301等。如果 一时没有大电流I GBT管，可用两只小电流的I GBT管并 联(两只管的c、e、G极分别连在一起)代用。2、注意内部是否含阻尼二极管在最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的I GBT管；若用不含阻尼二极管的IGBT 管代换含阻尼二极管的I GB T管时，应在新换管的c、 e极间加焊一只 快恢复二极管。型号如表所示：型号最高耐压(kv)最大电流Im (A)反向恢复时间trr(ns)BY2281 . 53500RU4DS1 . 52. 5400BY459-15001 . 5103503T

7、H411 . 531. 5usRS3FS1 . 522usERDO一 151 . 51. 5400S5J531 . 55500BY3281 . 43500BY 一 4281 . 345003、考虑圭寸装和放置位置如果封装不符，又受到散热板 上固定 螺丝孔的限制，就要考虑调整IGBT管的安装 位置； 适当 改动散热板。若安装难度确实太大，应考虑另选代换管。1.IGBT的基本结构绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为

8、源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和 P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subcha nn elregi on）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector ），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。为了兼顾长期以来人们的习惯，IEC规定：源极引岀的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。

9、这又回到双极晶体管的术语了。但仅 此而已。IGBT的结构剖面图如图 2所示。它在结构上类似于 MOSFET,其不同点在于IGBT是在N沟 道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个P+基板（IGBT的集电极），形成 PN结j1 ，并由此引岀漏极、栅极和源极则完全与MOSFET似。fK tL A W卉計骷驚i f1IXm 2 53 Nrt/jdU育虫*ft*希極楸能倬瞥站料I11T1SJZJ織bfl!冲帆it AWUKMH/ffl 2 54 1GHT的结沟B4血图N沟道IGBT结构2IGBT的结构剖面图由图2可以看岀，IGBT相当于一个由 所示。图中Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。 构。M

10、OSFE驱动的厚基区 GTR，其简化等效电路如图 3IGBT是以GTR为主导件、MOSFET为驱动件的复合结N沟道IGBT的图形符号有两种，如图对于P沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图4所示。实际应用时，常使用图2-5所示的符号。4所示。1财也1上IT圈卜尚lotn的简化耳毀电鵡图2-56 N 1GBT的图刑呼号IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通，此时，从 P+区注到N 区进行电导调制，减少N一区的电阻 Rdr值，使高耐压的IGBT也具有低的通态压降。 在栅极上加负电压时， MOSFET内

11、的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。正是由于IGBT是在N沟道MOSFET的N+基板上加一层 P+基板，形成了四层结构，由 PNP- NPN晶体管构成IGBT。但是，NPN晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使NPN不起作用。所以说，IGBT的基本工作与 NPN晶体管无关，可以认为是将N沟道MOSFET作为输入极，PNP晶体管作为输岀极的单向达林顿管。采取这样的结构可在 N 一层作电导率调制，提高电流密度。这是因为从P+基板经过N+层向高电阻的N 层注入少量载流子的结果。IGBT的设计是通过PNP-NPN晶体管的连接形成晶闸管。2.IGBT模块的术语及其特性术语说明

12、术语符号定义及说明（测定条件参改说明书）集电极、发射极间电压VCeS栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的 最大电压栅极发极间电压VGes集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最 大电压集电极电流I C集电极所允许的最大直流电流耗散功率FC单个IGBT所允许的最大耗散功率结温T元件连续工作时芯片温厦关断电流I CES栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。漏电流I GES集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加 上指定的电压时的栅极漏电流饱和压降VCE(sat)在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集 电极、发射极间的电压。输入电容Css集电极、发射极间处于交流短

13、路状态，在栅极、 发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时， 栅极、发射极间的电容3.IGBT模块使用上的注意事项1. IGBT模块的选定在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。a. 电流规格IGBT模块的集电极电流增大时，Vce（-）上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在150 C以下（通常为安全起见，以125C以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。一般来说，要将集电极电流的最大值控制在直流额定电

14、流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。b. 电压规格IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。其相互关系列于表1。根据使用目的，并参考本表，请选择相应的元件。元器件电压规格600V1200V1400V电源电压200V; 220V; 230V; 240V346V; 350V; 380V; 400V; 415V; 440V575V2.防止静电IGBT的VGe的耐压值为士 20V,在IGBT模块上加岀了超岀耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅极 -发射极之间不能超岀耐压值的电压，这点请注意。在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（珊极处

15、于开路状 态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10k Q左左的电阻为宜。此外，由于IGBT模块为MOS结构，对于静电就要十分注意。因此，请注意下面几点：1）在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。2）在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，请先不要接上模块。K15T120o *JC3）尽量在底板良好接地的情况下操作。4）当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电 放电后，再触摸。5）在焊接作业时，焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下6）装部件的容器，

16、请选用不带静电的容器。3.并联问题用于大容量逆变器等控制大电流场合使用IGBT模块时，可以使用多个器件并联。并联时，要使每个器件流过均等的电流是非常重要的，如果一旦电流平衡达到破坏，那么 电过于集中的那个器件将可能被损坏。为使并联时电流能平衡，适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件的VcE（sat）相同的并联是很重要的。4. 其他注意事项1）保存半导体原件的场所的温度，温度，应保持在常温常湿状态，不应偏 离太大。常温的规定为5- 35C,常湿的规定为45 75%左右。2）开、关时的浪涌电压等的测定，请在端子处测定。IGBT管好坏的检测I GBT管的好坏可用指针万用表的Rxl k挡来检测，

17、或用数字万用表的“二极 管”挡来测量 PN结正向压降进行判断。检测前先将I GBT管三只引脚短路放电， 避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的I GBT管（正常G、C两极与G、C两极间的正 反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IG BT管正常时，e、C 极间均有4k Q 正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表 的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3 . 5k Q l左右，则所测管为含阻尼二极管 的I GBT管，若所测值在50k Q左右，则所测I GBT管内不含阻尼二极管。对 于数字万用表，正常情况下，IGBT管的C、C极问正向

18、压降约为 O. 5V。综上所述，内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大如果 测得 IGBT 管 三个 引脚 间电 阻均 很小，则说 明该 管已 击穿 损 坏；若 测得 IGBT 管三个 引脚 间电 阻均 为无穷 大，说 明该 管已 开路 损坏。 实际 维修 中 IGBT 管 多为 击穿 损坏 。CY 8C24423勾成的电动车无刷控制器系统原文:PSoC在电动车无刷电机控制器上的应用作者 ：溧水县电子研究所 缪鹏程 马跃 来源：网络电动车作为一种新型的代步工具，已经实实在在地被人民群 众所接受。 尤其是在当前油价飞涨、 摩托车牌照发放受

19、限， 汽车的梦想可望而不 可即的情况下，电动车越来越受到老百姓的青睐。在中国这样一个“自行车王 国”，电动车的市场空间是值得期待的。业内人士预测，未来几年内，电动车的 容量几乎相当于自行车的市场容量， 全国 4.5 亿辆自行车用户中至少有 3 亿的用 户将成为电动车的用户。 随着电动车市场趋向成熟， 无刷电机电动车逐渐占据了 80%以上的市场份额，无刷电机控制器也在不断的技术进步中被广大用户所喜爱， 并且将会不断地推陈出新，以丰富的功能来适应市场的变化。PSoC微处理器是美国赛普拉斯半导体公司推出的一种现场可编程片上系统。片 内备有通用模拟和数字模块， 用户可根据开发需要， 随意调用模块， 实

20、现混合信 号阵列的动态配置。文中以 CY8C24423为例，介绍PSoC在电动车无刷电机控制 器上的应用，它将对电压电流信号的放大、处理、模数转换功能，以及PW信号输出功能全部集成到微处理器的内部完成， 减少了芯片的外围器件， 提高了系统 整体的集成性能和可靠性。可编程片上系统由美国赛普拉斯半导体公司倡导并推出的完全基于通用 IP 模块，由可编程选择 来构成产品SoC的设想，并把单片机的发展从MCUI动至U SoC的新阶段。这种可 编程的SoC取名为可编程片上系统(PSoC)，由基本的CPU内核和预设外围器件组 成，就是在一个专有MCI内和周围集成了 PSoC模块(可配置的模拟和数字外围器 件

21、阵列 ) ，利用芯片内部可编程互联阵列，可以有效地配置芯片的模拟和数字电 路资源，达至可编程片上系统的目的。与传统的MCI相目较，从根本意义上讲PSoC系列是一种微控制器，而且是一种可 编程片上系统微控制器，它的出现使设计者逐步摆脱了板级电子系统设计方法层 次而进入芯片级电子系统设计，减少了单片机的品种和规格，同时更有利于新品 开发和升级换代。与同种价位的普通单片机比较，其丰富的内部资源、新颖的设 计界面、灵活的设计方式、简单的编程技巧都使其极具特点。PSoC完全不同于以往的传统的微处理器。PSoC开发者不需要自己构建ADCDAC和其它外围设备， 可以通过PSoC的配置性进行资源调配，而且PS

22、oC为控制器成功的引入动态可重 新配置功能，真正实现在线可编程，由此可见，一个PSoC微控制器就能代替多种类型的单片机。PSoC的内部框图结构及资源赛普拉斯CY8C2* XX 29XXX系列的内部结构如图1所示。其资源包括:PSoC COREtfdtjpk? Clock SourcGShdudaslMa.LO.PLL.MEOa)DIGITAL SYSTEM |ANALOG SYSTEMPCfi md LVDHCSYSTEM RESOURCESi7 CoLtrmh6 BbchitDiOtkil Glock Air.fy(14 *5Ana logAndyi.liihply1 图1: CY8C244

23、2站部系统资源框图1. 处理器内核PSoC微处理器CY8C2X XX 29XXX系列器件使用强大的8位哈佛结构处理器 内核(M8C CPU)它具有独立的程序存储器和数据存储器总线，处理器速度可达 24MHz拥有丰富的M8C架构指令，并可进行I/O和内存上的操作。此外系统提供便捷的寻址方式CPU内核具有完善的快速乘加能力，PSoC系列所有处理器中都有一个乘法器/加 法器(MACK MACS统中作为一个独立的组件，并映射到特定的寄存器地址空间， 由输入寄存器和输出寄存器，能执行带符号的8X8乘法运算和32位的加法运算。 只要把数据传送到输入寄存器在下一个指令周期， 在输出寄存器就能得到运算结 果。

24、寄存器加速内存数据交换，大大提高了处理数据的速度。2. 内存储器PSoC系列器件拥有灵活的片内存储器，包括 416KB的快速程序存储器(Flash Program Memory)以及256字节的片内SRAM数据存储器，速内存可擦写 100,000 次，并可分块实时修改，不同的型号芯片闪存的容量不同。此外，系统具有串行 编程功能(ISSP)，即在程序头(Programme Pod)或者用户板上的闪存可通过串行 的方式，把程序固化到内部程序闪存存储器中。PSoC对片内存储器提供多种保护加密方式。 以保证用户敏感信息的安全。 这个功能允许用户有选择性的对内存 模块的读写操作加锁和写操作保护。 这允许

25、对部分代码进行升级， 而不会泄漏重 要数据。3. PSoC 模块在每一个PSoC芯片中共有若干个PSoC数字模块。PSoC片内的数字模块减少了 多种微控制器类型和外设元件的需求。数字 PSoC模块可以配置成各种各样的用 户模块，比如时间定时器、实时时钟、脉宽调制 (PWM和死区脉宽调制(DB PWM) 循环冗余核对模块、全双工(UARTS)串行主从通信(SPI)功能。PSoC软件开发 包提供了 PSoC莫块自动配置，用户只需简单地选择需要功能块，PSoC软件开发包就能产生正确的配制信息和器件数据手册。在每一个PSoC芯片中还有若干个模拟PSoC模块，芯片内的模拟PSoC模块可以 减少CPU复杂

26、的系列编号以及对外设的需求。模拟 PSoC模块可以配置许多外设 功能，譬如12个PSoC模块可以提供11位厶-刀模数转换、8位逐次逼近式模数 转换、 8位直接模数转换、 12增量式模数转换、可编程增益放大器、采样和保持 功能、可编程滤波器、差分比较器和片内温度传感器等。PSoC系统包含三种类型的模拟模块：连续时钟模块(CT)，A类和B类开关电容(SC)模块。4. 通用 I/OPSoC微控制器的通用I/O数量从6到44位不等，具体根据不同型号来确定。每 个 I/O 功能可编程选择。 在输出模式中可选择输出驱动方式， 模拟输出驱动可达 40mA通过内部上拉或者下拉电阻输出，强输出，可设置输出最大的

27、驱动电流达25mA所有引脚都能作为中断电源，通过引脚信号变化产生中断。并可选择位上 升沿触发终端、下降沿触发。引脚能与模拟模块相连。此外，还有用作斯密特触 发器的 TTL、 I/O 。5. 振荡器PSoC系列器件有多种振荡器可供选择，总能为 CPU寸钟、模拟PSoC莫块和数字 PSoC莫块的时钟，找到合适的振荡器。主要有内部达到24/48MHZ的主振荡器、一个32.768MHz外部晶体振荡器和内部低速振荡器。 主振荡器误差为土 2.5%,且 没有外部补偿，外部晶体振荡器可对 PLL选定精度，内部低速振荡器一般作为 PSoC莫块和看门狗/睡眠定时器的时钟。可使用时钟分频器，从而优化代码执行 速度

28、和减少功耗。6. 专用外设PSoC系列器件还提供一些专用外设，包括看门狗 /睡眠模式时钟 (Watchdog/Sleep Timer)、可设定电压阀值的电源低电压检测(LVD/POR)中断 控制器、采样抽取器(Decimator)、片内温度传感器和片内电压参考等。7. 静态 COM器件PSoC微处理器系列运用了先进 Flash工艺的全静态CMO器件，实现高度低电压 功能。通常电压保持在3.0到5.5V DC使用片内开关式电压汞可使工作电压降 低到 1.0V DC,工作于-40C+ 85C。电动车无刷控制器系统由CY8C24423勾成的电动车无刷控制器系统原理框图如图2所示348V覆块13V降压

29、5V3旳/4典无刷电机 三相期期图2:电动车无刷控制器系统原理框图要让图中所示的电机转动起来，首先控制部就必须根据电机霍尔感应到的电机转子目前所在位置，然后决定开启 (或关闭)MOSFET勺顺序,如上图中之A上、B上、C上（这些称为上桥功率晶体管）及A下、B下、C下（这 些称为下桥功率晶体管），使电流依序流经电机绕组线圈产生顺向（或逆向）旋转 磁场，并与转子的磁铁相互作用，如此就能使电机顺时 /逆时转动。当电机转子 转动到霍尔传感器感应出另一组信号的位置时，控制器又再开启下一组 MOSFET如此循环电机就可以按同一方向继续转动， 直到控制器决定要电机转子停止，此 时则关闭MOSFET要电机转子

30、反向则MOSFE开启顺序相反。一个最基本的电动车用无刷电机控制器所需要实现的功能包 括除了转把调速外，还应该包括欠压保护，过流保护，刹车断电等。另外近年来 还有一些实用且流行的功能如定速巡航、ABS刹车再生制动、1:1助力等等。从 上面的原理框图可以很清楚地看出，整个系统只用了一个PSoC芯片便实现了上述的所有控制功能。图3为本文设计的无刷控制器半成品实物图。图3:电动车无刷电机控制器半成品实物外形图除了上述功能外，本系统借助 PSoC芯片强大而灵活的配置资源，还具有普通控 制器所不具备的以下优点：1.超静音：启动及全程行驶过程中噪声极低，大大超越了传统的无刷控制器， 减小电机振动，大大延长电

31、机的寿命；2低发热：采用国际先进的同步整流技术，大幅度降低控制器的热损耗，提高 了整车的能量使用效率，延长了续驶里程；3. 多重限流保护：既做到平均值限流，又做到峰值限流。峰值限流在每个PWM周期中都对电流波形进行检测，防止超过 MOSFE 的最大允许电流，在任何情况 下不会烧毁；4. 平均值：限流使控制器能够在各种不同的电机上保持相同的限流值，而且轻、重负载，甚至堵转情况下限流值都不变。这样大大便于生产调试和整车厂检验；5. 防飞车功能：解决了无刷控制器由于转把或线路故障引起的飞车现象，提高 了系统的安全性；6. 堵转保护功能：电机堵转3秒以上控制器自动保护，防止烧毁电机；7. 短路保护功能

32、：电机三根相线输出端任意两端短路或三端全短路，控制器不 会烧毁。以上功能均不增加硬件成本，采用 PSoC可编程片上系将外围器件减到最少，大 部分功能由芯片内部来完成，大大降低了硬件成本，并且减少了故障点。本系统 中所用SoC芯片引脚及功能如图4所示。I?4PXf Kt 2-42t-2-irVICYKC24423XIDl、 JjIZH tit rhffll1 Ktfi、via ii T叵HI购心比人A4|1 1 出总 Hi(5?j 1 l J：( j- L )：辰庇St叵a+h hbri.-iihI ft欠Lkflt屮11檢田FSJ AUS fl i fcih riff, II?； hNJ 山：

33、.：im ： .星富StIk2 1*dill*；=桝1 1祗站网凸山f. j ir h :勺尸：JU辰I+11 卜忖”:；l.IP 1 HrKitHJ3Will-. L .|i -(IJ怀ut m；iL. V,% T73崔醞邀飢惆wifi.图4 CY8C24423在本系统中的引脚定义说明图而芯片内部模块结构如图5所示。働0厨回圍喳ADCM.l APUX4CMPPRGJ DAC6_1 PGA_1 PWMD88 Trnef8图5:本系统所用PSoC内部模块说明图由图5可以看出，本系统共采用了 7种类型的PSoC内部模块， 其中模拟模块包括AD转换器ADCINC_1可编程放大器PGA_1比较器CMP

34、PRG_1 四路模拟开关AMUX4_1数模转换器DAC6_1数字模块包括AD转换器ADCINC_18位带死区的PWM模块PWMDB8_8位定时器模块Timer8_1。这样很好地利用了 CY8C24423勺内部资源，也节省了很多原本要在芯片外部使用的外设芯片。本系统的控制软件流程如图6所示。阴始化述01趣转耙血IKffj檢出pxVhiTi号lI里捕MtlHL图6:控制软件基本流程由于PSoC的开发系统PSoCDesigner支持C语言编程，配有 功能强大的C语言编译器，所以主程序采用C语言编写，这样简单、直观、可移 植性好。本文小结通过本文介绍的电动车无刷电机控制器系统，可以略略窥见 PSoC芯

35、片的强大的可配置功能，在芯片内部配置连接就好像在设计一款新的芯 片一样。整个系统用的元器件极少，比其他的无刷控制器方案具有巨大的成本优 势。PSoC方便、快捷的设计界面，面向对象的设计开发系统， 混合信号阵列的模块化及动态可配置功能使其在嵌入式系统应用中拥有更为灵 活的设计方式，使设计人员能够随意创建新的系统功能。利用PSoC可以快速、便捷地完成相应程序的开发工作，缩短产品的研发周期，降低开发成本和生产成 本。通过片上系统的可编程混合信号阵列的集成应用及动态配置，极大提高了工作效率，使开发成本降低了 1/2、PCB的板级空间缩减了 1/3、生产成本降低了 1/5。直流无刷电机的原理与控制作者： micstone查看此篇文章时请先阅读文章底部的声明直流无刷电机在各个方面得到广泛的应用，处 处都可以见到它们的踪影， 种类也很繁多，因为本人从事的是电动车方面的行业， 故在