半导体二极管和晶体管PPT学习教案

1、会计学1半导体二极管和晶体管半导体二极管和晶体管(1-2)二、工作原理（以P沟道为例）UDS=0V时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。第1页/共31页(1-3)PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时NNUGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。第2页/共31页(1-4)PGSDUDSUGSNNUDS=0时UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS 0V，漏极电流ID=0A。ID第3页/共31页(1-5)PGSDUDSUGSUGS0、U

2、GDVP时耗尽区的形状NN越靠近漏端，PN结反压越大ID第4页/共31页(1-6)PGSDUDSUGSUGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状NN沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。ID第5页/共31页(1-7)GSDUDSUGSUGSVp UGD=VP时NN漏端的沟道被夹断，称为予夹断。UDS增大则被夹断区向下延伸。ID第6页/共31页(1-8)GSDUDSUGSUGS0时UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。感应出电子VT称为阈值电压第18页/共31页(1-20)UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。

3、PNNGSDUDSUGS第19页/共31页(1-21)PNNGSDUDSUGS当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。第20页/共31页(1-22)PNNGSDUDSUGS夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。IDUDS增加，UGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。第21页/共31页(1-23)三、增强型N沟道MOS管的特性曲线转移特性曲线0IDUGSVT第22页/共31页(1-24)输出特性曲线IDU DS0UGS0第23页/共31页(1-25)四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加

4、反向电压才能夹断。转移特性曲线0IDUGSVT第24页/共31页(1-26)输出特性曲线IDU DS0UGS=0UGS0第25页/共31页(1-27) 10.7.2 场效应管放大电路下图是 场效应管的分压式偏置共源极放大电路 静态时，电阻 RG 中无电流，栅源电压为DSGDSDDG2G1G2GSIRUIRURRRU 式中 UG 为栅极电位。 当有输入信号时，由交流通路可得输出电压为C1+UDD+SGDRDRG1RGRG2TRSRLCSC2+ui+uo分压式偏置放大电路gsLmdLoURgIRU 式中gsmdUgI LDL/ RRR 第26页/共31页(1-28)SGDRDRG1RGRG2TRL

5、分压式偏置放大电路的交流通路dI+iU+oU电压放大倍数为LmgsoioRgUUUUAu 式中的负号表示输出电压和输入电压反向。放大电路的输入电阻为 )/(/)/(G2G1GgsG2G1GiRRRrRRRr 放大电路的输出电阻为DoRr 第27页/共31页(1-29) 例 1 在分压式偏置共源极放大电路中，已知 UDD = 20 V， RD = 5 k ， RS = 1.5 k , RG1 = 100 k， RG2 = 47 k, RG = 2 M， RL = 10 k，gm = 2 mA/V， ID = 1.5 mA。试求：(1)静态值；(2)电压放大倍数。解 (1)静态值V4.14V1.51.5204710047GS U V10.25101.5101.5)(520)(33DSDDDDS IRRUU(2) 电压放大倍数6.671051052Lm RgAu第28页/共31页(1-30)C1+UDDRG1RGRG2TRSC2+ui+uo源极输出器 下图是由场效