集成电路CMOS题库

1、、选择题B）Moore在1965年预言：每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。（C）A. 体B. 衬偏C .沟长调制D .亚阈值导通3. 在CMOS!拟集成电路设计中，我们一般让 MOS管工作在区。（D）A. 亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区管一旦出现现象，此时的 MOST将进入饱和区。（A）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽5. 表征了 MO辭件的灵敏度。（C）A. ro B. gmb C. gm D. uncox6. Cascode放大器中两个相同的NMO管具有不相同的。（B）A. ro B. gmb C. gm D. un

2、cox7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。（C）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOSf匹配 D.电路制造中的误差8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。（ CA.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器负载Casocde差分放大器9. 镜像电流源一般要求相同的。（ DA. 制造工艺 B. 器件宽长比 C. 器件宽度 W D. 器件长度 L10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。（）正电跟随A. 电 子B. 空 穴C.荷D.负电荷11. 下列结构中密勒效应最大的是。（A）A. 共 源 级 放 大 器B. 源 级C.

3、共 栅 级 放 大 器D. 共 源 共 栅 级 放 大12.在NMO中，若Vsb 0会使阈值电。（A）A.增大B.不变C.减小D.可大可小13.模拟集成电路设计中可使用大信-号分析方法的是。（C）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻14.模拟集成电路设计中可使用小信-号分析方法的是。（A）A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置15. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算 该()A B.第15题R(1 A).R(1 1 A)11 A16. 不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。A. 电阻负载载C.电流源负载载17. 模拟集成电路设计中的最后一步是

4、。（B）A. 电 路 设 计计C.规格定义（C）B.二极管连接负D.二极管和电流源并联负B. 版 图 设D.电路结构选18.在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优电路的等效输入电阻为。B）管的导电沟道中依靠导电。（B）B. 电 子B. 空 穴C.正电荷D.负电荷20. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。（D）A. 增 大 器 件 宽 长 比B. 增 大负载电阻C. 降 低 输 入 信 号 直 流 电 平 D. 增 大 器 件 的 沟 道 长 度 L21. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是。（ D）A. 为 放 大 器 管 提 供 固

5、 定 偏 置 B. 为 放 大 管 提 供 电 流 通 路C. 减 小 放 大 器 的 共 模 增 益 D. 提 高 放 大 器 的 增、人益22. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗。（D）A. 低 B. 一 般 C. 高 D. 很高23. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义来表示电压转换电流的能力。 （A）A. 跨 导B. 受 控 电 流 源C. 跨阻 D. 小信号增益 管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是。（C）A. 电 导B. 电 阻C. 跨导 D. 跨阻25.随着微电子工艺水平提高 ,特征尺寸不断减小 ,这时电路的工作电压会 （ D）D.不断降低A. 不 断

6、 提 高 B. 不 变 C. 可 大 可 小26.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。（B）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源27.模拟集成电路设计中的第一步是。(C)A.电路设计B.版图设计C.规格疋义D.电路结构选择管中，如果VB变得更负，则耗尽层。（C）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变29.模拟集成电路设计中的最后一步是。(B)A.电路设计B.版图设计C.规格疋义D.电路结构选择30.不能直接工作的共源极放大器是（C ）共源极放大器。A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载31.采用二极管连接的CMOS因漏极和栅极电势

7、相同，这时晶体管总是工作在。( )A.线性区B.饱和区C. 截止区D. 亚阈值区32.对于MOS管，当 W/L保持不变时，MOS管的跨导随过驱动电压的变化是( )A.单调增加 B.单调减小C.开口向上的抛物线 D.开口向下的抛物线33. 对于MOS器件，器件如果进入三极管区（线性区），跨导将（ ）A.增加 B. 减少 C. 不变 D.可能增加也可能减小34. 采用PMOS二极管连接方式做负载的 NMOS共源放大器，下面说法正确的( )A. PMO和NMO都存在体效应，电压放大系数与 NMOSS PMOS勺宽长比有 关。B. PMOS口 NMO都存在体效应，电压放大系数与NMO和PMOS勺宽长比

8、无关。C. PMOS口 NMOS不存在体效应，电压放大系数与 NMOS口 PMOS勺宽长比无 关。D. PMOS口 NMO不存在体效应，电压放大系数与NMOS口 PMOS勺宽长比有关 。35. 在 W/L保持不变的情况下，跨导随过驱动电压和漏电流变化的关系 是 ()A.跨导随过驱动电压增大而增大，跨导随漏电流增大而增大B. 跨导随过驱动电压增大而增大，跨导随漏电流增大而减小。C. 跨导随过驱动电压增大而减小，跨导随漏电流增大而增大。D. 跨导随过驱动电压增大而减小，跨导随漏电流增大而减小。36. 和共源极放大器相比较,共源共栅放大器的密勒效应要。()A.小得多B.相当C.大得多D.不确37.

9、MOSFETS的阈值电压具有温度特性。D.B.可正可负。C.38.在差分电路中,可采用恒流源替换”长尾”电阻这时要求替换”A.越高越好B.越低越好C.没有要求D.可高可低器件中，保持VDS不变，随着VGS的增加，MOS件A.从饱和区一一 线性区一一 截止区B.从饱和区一一 截止区一一 线性区C.从截止区一一 饱和区一一 线性区D.从截止区一一 线性区一一 饱和40. 对于共源共栅放大电路，如果考虑器件的衬底偏置效应，则电压增益会（）A.增大 B. 不变 C. 减小 D. 可能增大也可能减小41. 在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。（）42. 保证沟道宽度不变的

10、情况下，采用电流源负载的共源级为了提高电压增益，可以。（）A. 减小放大管的沟道长度，减小负载管的沟道长度；B. 减小放大管的沟道长度，增加负载管的沟道长度；C. 增加放大管的沟道长度，减小负载管的沟道长度；D. 增加放大管的沟道长度，增加负载管的沟道长度。43. 随着微电子工艺水平提高，特征尺寸不断减小，这时电路的工作电压会。（ ）A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低44. NMO管中，如果Vb电压变得更负，则耗尽层。（）A.不变 B. 变得更窄 C. 变得更宽D.几乎不变45. 在CMO差分输入级中，下面的做法哪个对减小输入失调电压有利（）A.减小有源负载管的宽长比B.提高静态工作

11、电流.C.减小差分对管的沟道长度和宽度D.提高器件的开启（阈值）电压、简答题1. CM0S莫拟集成电路中，PMO管的衬底应该如何连接？为什么？（5分）解：在CMO工艺中，由于PMO管做在N型的“局部衬底”也就是N阱里面，因此 PMO管的局部衬底接局部高电位。2. 什么是N阱？ （ 5分）解：CMOS：艺中，PMO管与NMOST必须做在同一衬底上，若衬底为 P型，则 PMO管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的 N型“局 部衬底”叫做N阱。3. 解释什么叫沟道长度调制效应？ （5分）解：MOS!体管存在速度饱和效应。器件工作时，当漏源电压增大时，实际的反 型层沟道长度逐渐减小

12、，即沟道长度是漏源电压的函数， 这一效应称为“沟道长 度调制效应”4. 何谓MOSI的跨导？写出NMO管在不同工作区域中的跨导表达式。（10分）解：漏电流的变化量除以栅源电压的变化量称之为跨导。讥4Mfltf饱和区:放大区: 截止区：电流为0无跨导 设计常用软件有哪些？（ 10分）解：Cade nee Men tor Graphics 和 Syn opsys模拟集成电路中，NMO管的衬底应该如何连接？为什么？（5分）解：NMO衬底接最低电位；目的是为了让衬底 PN结反偏，限制载流子只在沟道里 流动。7. 简单说明模拟集成电路芯片一般的设计流程。（5分）8. 何谓MOS?的跨导？写出PMO管在不

13、同工作区域中的跨导表达式。（10分）解：漏电流的变化量除以栅源电压的变化量称之为跨导放大区：gm=y p截止区：电流为0无跨导9. 以NMO为例，忽略高阶效应，写出器件工作的三个状态的条件，并写出三个状态下的I-V特性方程，推导不同工作状态下的跨导表达式。（10分）解：其各段工作情况为：当 VVth0时，管子导通，此时，若 VdSVgs-Vth时，管子处于 线性放大区，或者三角区，或者线性区；若 VdAW&Vth时，管子处于饱和区，漏 电流基本保持不变。- - 2（GS - 卩）-啄线性区：2L1 W.Id =；亿（陀5 -V田丫饱和区：-厶10. 简单描述N阱CMO工艺的主要流程步骤，画出N

14、阱CMO工艺下的CMO器件剖面示意图。（10分）解：主要工艺流程步骤为:晶圆准备；杂质注入扩散；氧化；光刻；腐蚀；淀积;5iep tJchndl mdl pMmmMion Uya udmtr ttoratam pudiM2 2 _.Mctd tCMO器件剖面示意图为:11. 分析差分电路中器件不匹配对差分对性能所造成的影响。 （5分）12. 给出下图电路中的 Vout表达式。（R1=R2（5分）13.写出NMOS管构成的基本电流镜在忽略沟道长度调制情况下的输出电流lout和参考电流的关系式I ref 0(5分)解：NMOS管构成的基本电流镜I out/l ref=(w/l) 2/(W/l) 1

15、14.图(a)是什么结构？图(b)忽略了沟道调制效应和体效应。如果体效应不能忽 略，请画出Vin和Vout的关系曲线，并出解释。(10分)丸 43 不角殆桩丈保V* . Vrti q義工猜痛愎Q ”詡0岌瘠蝕工，枫2邙必蚀知出仏严4八仪，命義,：工*佇?严*必* 仏_禺） 虽忍血零不奚九#力鱼，屁他蚩丄M小*W）霍么 么亠云俎爆樓舛-松卑皿七荻您-心磁朋厨必和，幺闻山并字初礬5仓州*毎仏我/即加仔（如 痛也电弹七緒）壌务制屉诡炼15.画出下图的小信号等效电路，推导 Rin的表达式。（10分）r= Vg 莪斤D16. 什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？ （5分）解：理想情况下是假设晶体管

16、的衬底和源是短接的， 实际上两者并不一定电位相同, 当VB变得更负时，VTH增加，这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管的阈值 电压。17. 带有源极负反馈的共源极放大电路相对于基本共源极电路有什么优点？（ 10分） 解：由带有源极负反馈的共源极放大电路的等效跨导表达式1匕驰从 得， 若RS1/gm则G叶1/RS,所以漏电流是输入电压的线性函数。 所以相对于基 本共源极电路，带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性。三、计算题1.M0S管的跨导对于由MOST构成的电路性能有重大的影响， 试分析以下三种情况，跨导随着某一个参数变化，而其他参数保持恒定时的特性，画出相应曲线（1）W/L不变时，

17、gm 与（Vg&Vth ） 的变化曲线；（2） W/L不变时，gm 与Id的变化曲线；（3） ID 不变时，gm 与（Vg&Vth ） 的变化曲线。（共15分）2.对于下图所示的两个电路,分别求解并画出Ix和晶体管跨导关于Vx的函数曲线草图，Vx从0变化到 V（20 分）图（a）图（b）解：（b）V t H=0*7VI 1 | * 畑V耳IV时，MOST?的源漏交换冷 L工作在线性区，则A -以kU-X】-洛）-03（1-抒士-払临半-洛屮七）ILjLWW程二比亠了怡=祁二了 a-叮）vvx 冷必遥f-他-i）2=-c*o-4-vr）a；-D wwJf =扎 4 了=几 4 丁 W -1IJK

18、a _ - *AA=0,Vr*0.7Vr. 0.45V2 為9V%O3vt - Vm（ + r（/2Of= o.7 +0.45（ Jo.9+Ko第1题4. 画出带隙基准的构成原理框图，说明带隙的含义，并设计一个带隙基准实现电路。（20分）解：带隙基准的构成原理图如下图所示:它是利用Vbe的负温度系数和V的正温度系数相结合，从而实现0温度系数的电压参考。 根据以上原理图，可以得到jiEF 隔十必（片也克），因为竺丸-ISmVI0 K在室温下,然而，我们可以令，选择使得a2 (In )(0.087wr K =K,也就是125(F),刚好即可得到零温度系数，则此时等于硅的带隙能量，所以称为带隙基准。实现电路如图所示。5、试分