北京理工大学模拟电子技术基础考研解析课件

1、,放大电路的频响,模拟电子技术知识结构,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,2,理硕教育专注于北理工考研辅导,本资料由理硕教育整理，理硕教育是全国唯一专注于北理工考研辅导的学校，相对于其它机构理硕教育有得天独厚的优势。丰富的理工内部资料资源与人力资源确保每个学员都受益匪浅，确保理硕教育的学员初试通过率89%以上，复试通过率接近100%。官网,第1章 半导体基础和二极管,一、杂质半导体与PN结； （P型、N型等基本概念） 二、半导体二极管的主要特性 单向导电性（习题1-8） 二极管伏安特性方程 2. 温度敏感特性、电容效应 三、半导体二极管的主要参数 四、半导体二极管的等效模型,第2章 双极型

2、晶体管和基本放大电路,一、双极型晶体管的种类、符号：PNP、NPN 二、放大电路的组成原理及正常工作条件 静态工作点Q 交流信号的正常引入与输出 三极管能否正常放大判断 工作状态判断（放大区、截止区与饱和区） （习题2-4，7）,三、放大电路的分析方法,（习题2-12，14，15,18,24） 静态工作点Q的求解（直流通路）： IBQ、UBEQ、ICQ、UCEQ 2. 动态分析（交流通路） 1）图解法：失真分析、最大不失真输出电压的估算 2）微变等效电路法 电压（源电压）放大倍数、输入电阻及输出电阻的估算,CE：B极输入，C极输出；输出与输入电压反相，具有电压及电流放大作用，输入电阻、输出电阻

3、适中。 静态工作点稳定电路（分压式偏置稳定）,四、晶体管基本放大电路的分析 （三种基本连接方式）,2. CC：B极输入，E极输出；射极输出器（射极跟随器）；输出与输入电压同相，放大电流；输入电阻大，输出电阻小。 3. CB：E极输入，C极输出；输出与输入电压同相，放大电压；输入、输出电阻均适中；频率特性好。,第3章 场效应晶体管和基本放大电路,一、场效应管 1.分类 结型、增强型MOS管、耗尽型MOS管； P沟道，N沟道 2. 各种场效应管的符号、特性曲线，电流控制关系及简单工作原理。,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,9,场效应管的符号及特性 76页,结型N沟道,结型P沟道,NMOS增强

4、型,NMOS耗尽型,PMOS增强型,PMOS耗尽型,（+）,（+）,（+）,（+）,（-）,（-）,（-）,（-）,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,10,3. 转移特性表达式（iD与uGS),耗尽型MOS及结型FET,增强型MOS：,二、场效应管放大电路,1、场效应管的工作状态及电路正常放大的条件（习题3-3，4）,结型场效应管,1) 可变电阻区,条件：|UGS | |UGS（off） | |UGD | |UGS（off） |,2) 恒流区（饱和区，放大区）,条件：|UGS | | UGS（off） |,3) 夹断区（截止区）,条件：|UGS | | UGS（off） |,北京理工大学模

5、拟电子技术基础考研解析,12,判断MOS管的工作状态,N沟道增强型： UGS（th） 0 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ， UGDUGS（th） ：可变电阻区,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,13,P沟道增强型： UGS（th） UGS（th） ：夹断区 UGSUGS（th） ：恒流区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：可变电阻区,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,14,2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD (习题3-7,8,10,11) 1）静态工作点的分析计算（联立方程求解时，一定要保证管子工作在放大状态 ） 。 2）动态性能指标的计算：微变

6、等效电路,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,15,共源放大电路,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,16,共漏放大电路,第4章 多级放大电路和集成运算放大电路,一、多级放大电路(习题4-3,5，7) 1、四种耦合方式及其特点 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合 2、多级放大电路的分析 1）静态工作点的求解,2) 动态性能指标的计算 电压放大倍数：等于各级放大倍数之积（将后级输入电阻作为前级的负载） 输入电阻：是第一级的输入电阻 输出电阻：是末级的输出电阻 特别注意：有共集的放大电路。,差动放大电路的工作原理 差动放大电路的4种接法： 静态工作点的计算 动态性能指标的计算：差模/共模

7、电压放大倍数、差模输入电阻、差模输出电阻、共模抑制比，输出电压的计算,二、差动放大电路 (习题4-8,13,14),北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,20,）静态时单端输出时 ）单端输出大约为为双端输出的一半， 但不同； ）c：双端输出c ， 单端输出c ； ）单入和双入相同； ）单出是双出的一半。,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,21,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,22,三、集成运算放大电路 1、集成运放的输入级采用差分放大电路；中间级采用共射放大电路；互补电路作为输出级；偏置电路的作用是设置各级放大电路的静态工作点。 2、两个工作区：线性和非线性工作区 3、理想集成运放的

8、特点,第5章 功率放大电路,一、晶体管的甲类、乙类和甲乙类工作状态 二、OCL电路的组成、工作原理 三、功率放大电路的主要参数：最大输出功率、直流电源提供的平均功率和效率 四、功率放大电路中晶体管的选择。,第6章 放大电路的频率响应,一、放大电路的放大倍数在低频段和高频段会数值下降且产生附加相移的原因。 二、中频电压增益、上限截止频率、下限截止频率、通频带及增益带宽积。 三、根据波特图及电压增益表达式得到电路的二中的参数。 四、多级放大电路的上、下限截止频率的近似估算。 要求：课后作业。,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,26,单管共射放大电路的频率响应,电压增益表达式：,第7章 放大电路

9、中的反馈,一、 反馈及其类型的判断(习题7-3，5，6，7),1）正/负反馈，直流/交流反馈,2）交流负反馈的反馈组态： 电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,28,相位关系、净输入端,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,29,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,30,二、深度交流负反馈的电压放大倍数的计算(习题7-1，14）,1）判断反馈组态。,2）深度负反馈放大电路的特点。,3）计算电压放大倍数。,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,32,深度负反馈放大电路的两大特点： （1）输入量 反馈量，即 （2）净输入量接近于零，即,（2）对并联型深度

10、负反馈电路,（1）对串联型深度负反馈电路,深度负反馈放大电路分析计算,三、反馈的正确引入（习题7-2, 16）,1）清楚各种反馈组态对放大电路性能的影响；,2）根据要求引入负反馈。 稳定电压/电流 输入/输出电阻 带载能力、信号源的类型,四、 产生自激振荡的条件,第8章 集成运算放大电路的线性应用,一、理想运放工作在线性区的两个特点：虚短、虚断； 二、基本运算电路：比例、求和、加减、积分、模拟乘法器（习题8-2，4，7，9，10，19） （组成、结论、一般电 路求解方法） 三、有源滤波电路：（习题8-21） 分类及电路结构形式，根据要求选择滤波电路。,节点电流法。 （1） 列出与输入和输出电压

11、有关系节点的电流方程，如N点和P点； （2） 利用虚短和虚断原则，整理输入与输出关系式。 2. 或根据单个运放输入和输出之间关系写出每个运算输出与输入关系式，得出多个运放输出与输入关系式。,线性应用集成运放分析方法：,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,36,第9章 波形发生电路和集成运放的线性应用,一、正弦波振荡电路（习题9-4，5，6，7，9） 分类：RC、LC、石英晶振 正弦波振荡电路的组成及振荡条件的判断。 1）RC桥式正弦波振荡电路的组成及起振条件。 2）判断放大电路能否正常放大。 3）利用瞬时极性法判断电路是否满足相位平衡条件组成及振荡条件,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,38,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,39,同名端同相， 异名端反相,若(1)/(3)交流接地，则(2)与(3)/(1)同相； 若(2)交流接地，则(1)与(3)反相。,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,40,二、电压比较器（习题9-16，17） 单限比较器、滞回比较器的工作原理； 阈值电压的计算；画电压传输特性； 已知输入波形，画输出波形。,北京理工大学模拟电子技术基础考研解析,42,三、非正弦波发生电路（习题9-22