已阅读5页，还剩10页未读， 继续免费阅读
版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领
文档简介
第九章半导体异质结构,9.1 半导体异质结及其能带图,9.1 半导体异质结及其能带图,1 半导体异质结 两种不同半导体材料接触形成的结 反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体 单晶材料所形成的异质结 如p-Ge和n-GaAs 记为p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型异质结：导电类型相同的两种半导体材料所形 成的异质结 如n-nGe-Si, p-p Ge-GaAs ,p-pSi-GaP 一般把禁带宽度较小的半导体材料写在前面。,2. 理想异质结的能带图,形成突变pn异质结之前的平衡能带图,9.1 半导体异质结及其能带图,9.1 半导体异质结及其能带图,窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图,形成突变pn异质结之后的平衡能带图,由于p区和n区的电子亲和势和禁带宽度不同，使异质结在界面处的能带突变，EC和EV的出现将阻碍载流子通过界面，这种对载流子的限制作用是同质结中所没有的。,p-nGe-GaAs异质结的平衡能带图,9.1 半导体异质结及其能带图,热平衡状态下的一个典型的np异质结能带图,9.1 半导体异质结及其能带图,Nn异质结在热平衡状态下的理想能带图,9.1 半导体异质结及其能带图,n-AlGaAs, n-GaAs异质结的导带边缘图,本章小结,一 重要术语解释 1异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。 2反型异质结： 由导电类型相反的两种不同的半 导体单晶材料所形成的异质结。 如：p(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-n(Si)等。 3同型异质结：由导电类型相同的两种不同的半导 体单晶材料所形成的异质结。 如：n(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-p(Si)等。,二 知识点 学完本章后，读者应具备如下能力： 1会画理想突变反型异质结的能带图 2
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
评论
0/150
提交评论