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第一章 半导体基本器件及应用电路 1.1 半导体材料及导电特性 1.2 PN结原理 1.4 双极型晶体管 1.3 晶体二极管及应用返回1.1半导体材料及导电特性1.1 .1 本征半导体1. 1 . 2 杂质半导体1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流引言返回1.1半导体材料及导电特性返回1.1 .1 本征半导体返回1.1 .1 本征半导体 ( intrinsic semiconductor)返回E g(二)本征激发和两种载流子 a:空穴带正电量b: 空穴是半导体中所特有的带单位正电荷的粒子,与电子电量相等,符号相反c: 空穴在价带内运动,也是一种载流子。在外电场作用下可在晶体内定向移动空穴:自由电子载流子:带单位负电空穴载流子 :带单位正电返回(三) 本征载流子( intrinsic carrier) 浓度本征激发 电子空穴E g1电子 空穴随机碰撞复合 (自由电子释放能量)电子空穴对消失23 本征激发动态平衡复合 是电子空穴对的两种矛盾运动形式。返回1. 1 . 2 杂质半导体 ( donor and acceptor impurities) 3.3X1012分之一返回( 一) N型半导体 ( N Type semiconductor )室温T=300k+ +5返回(二) P型半导体 ( P type semiconductor )- -返回( 三) 杂质半导体中的载流子浓度 本征半导体中载流子由本征激发产生: ni=pi掺杂半导体中( N or P) 掺杂越多 多子浓度 少子浓度 杂质半导体载流子由两个过程产生 : 杂质电离 多子本征激发 少子由半导体理论可以证明,两种载流子的浓度满足以下关系:1 热平衡条件: 温度一定时,两种载流子浓度积之,等于本征浓度的平方。N型半导体:若以 nn表示电子(多子), pn表示空穴(少子)则有 nn.pn=ni2P型半导体: pp表示空穴(多子) , np表示电子浓度(少子)Pp.np=ni22 电中性条件: 整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。N型: No表示施主杂质浓度 , 则: nn=No+pnP型: NA表示受主杂质浓度 , Pp=NA+np由于一般总有 Nopn NAnp 所以有 N型: nn No 且: pn ni2/NDP型: pp NA np ni2/NA多子浓度等于掺杂浓度 少子浓度与本征浓度 ni2有关,与温度无关 随温度升高而增加,是半导体元件温度漂移的主要原因多子浓度 少子浓度返回1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流半导体中有两种载流子:电子和空穴,这两种载流子的定向运动会引起导电电流。引起载流子定向运动的原因有两种:由于电场而引起的定向运动 漂移运动。(漂移电流)由于载流子的浓度梯度而引起的定向运动 扩散运动(扩散电流)(一)漂移电流 ( drift current)在电子浓度为 n,空穴浓度为 p的半导体两端外加电压 V, 在电场 E的作用下, 空穴将沿电场方向运动 , 电子将沿与电场相反方向运动 :EV 返回(二)扩散 电 流 ( diffusion current)光照N型半导体x n (x)p (x)载流子浓度热平衡值热平衡值x 返回 1.2 PN结原理1.2 .2 空间电荷区特点:1.2.1 PN结的形成及特点返回NP+- 1.2 PN结原理E返回1.2.1 PN结的 形成及特点一 PN结的动态平衡过程和接触电位消弱 内建电场 ENP+-E热平衡(动态平衡)返回1.2 .2 空间电荷区特点: NP+-E 电荷密度E电场强度 电位qU内建电位势垒(电子势能)qUP N返回1.3晶体二极管及应用1 3 2 二极管的电阻1 3 3 二极管的交流小信号等效模型1. 3. 4 二极管应用电路1 3 1晶体二极管的伏安特性 引言返回1 3 5 稳压管1 3 6 PN结电容1 3 7 PN结的温度特性1 3 8 二极管主要参数1.3 晶体二极管及应用NP+-E1.3.1 晶体二极管的伏安特性返回1. 正向偏置,正向电流RUNP+-UiDUU -U扩散iD+_返回NP+-2. 反向偏置,反向电流RUU iRUU +UiR+_返回Si( 二) 伏安特性Ge1.0iDuDUONUON返回Si( 二) 伏安特性iR=-IsGeSiGeU(BR) U(BR)1.0iDuD返回Si( 二) 伏安特性iR=-IsSiGeGeU(BR) U(BR)1.0iDuD二极管击穿后端电压几乎不变,具有稳压特性。返回ID QUDiDuDuD(忽略 R上的电压)1 3 2 二极管的电阻返回rd CJSi1.0iDuD在低频工作时, CJ可忽略。电路仿真1 3 3 二极管的交流小信号等效模型 返回uiui1.3.4 二极管应用电路1 整流电路ui0, 二级管导通, , uo=ui电路仿真2二极管限幅电路右图为双向的限幅电路如果设:二极管的开启电压 UON = 0.7V则有: |ui| UON , D1导通 D2截止,回路中的电流, 利用二极管正向稳压特性, uo= UON 。如果, ui0时, D截止, iD=0, 回路无法放电,使电容 C的电压保持uc=ui=2
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