内存的发展与鉴赏2

1、内存发展与内存鉴赏,4.1 存储器组织结构 4.2 存储器类型 4.3 内存条性能指标与接口 4.4 常用内存 4.5 内存条选购,计算机主存储器（Main Memory），又称内部存储器，简称内存。内存是一组或多组具备数据输入、输出和数据存储功能的半导体集成电路芯片，或由这些内存芯片组成的内存模块（颗粒），以及由内存模块组成的内存条。 所有的程序和数据必须调人内存才能被CPU执行和操作。所以内存中除存放程序代码外，还有各种输入、输出数据和中间计算结果。内存中的数据只有存放到外部存储器中才能被保存。 内存是计算机硬件系统必要的组成部件之一，其容量和性能将直接关系到计算机系统的速度、稳定性和兼容

2、性。是除CPU外表明电脑档次的另一标准。,4.1 存储器组织结构,最初的8088构成的计算机和为此开发的DOS操作系统只能管理1MB的存储器。随着计算机的发展，内存容量不断扩大，为了DOS使用的延续性，286以上的CPU设计了两种工作模式： 1、实模式 内存管理和使用范围为1MB 2、保护模式 内存管理和使用范围大于1MB（由CPU定） 为此产生了内存管理程序，其思路是根据内存不同的使用方法，将内存划分为不同区域，分级管理。 概括起来，计算机在DOS环境下使用的存储器（RAM）可划分为三种类型：系统存储器、扩展存储器和扩充存储器。,4.1.1 系统存储器,系统存储器就是DOS所能管理的1MB地

3、址空间以内的存储器。由常规内存、和上位内存组成。 常规内存（Base） 0-640KB空间，为基本内存或实内存。其最低端为中断向量表、BIOS和DOS数据区，用户应用程序只能使用600K左右。 上位内存（UMB） 640KB-1024KB（384KB）空间，一般不能被用户应用程序使用，属保留内存只归系统使用，用于视频缓冲区、ROM BIOS驻留区（装载DOS常驻内存程序又称影子内存）。,4.1.2 扩展存储器（XMS）,1MB以上的存储器空间为扩展存储器。为了能在DOS平台使用扩展存储器，制定了扩展存储器XMS规范，编制了扩展存储器管理程序HIMEM.SYS。扩展存储器包括高端内存和扩展内存。

4、 高端内存（HMA） DOS 1MB边界上端第一个64KB区域。80286以上的CPU可通过激活A20地址线在实模式下访问。 扩展内存（EMB） 它是扩展存储器中除去HMA的剩余部分，只能在保护模式下访问。Windows操作系统具有完善的扩展内存管理功能。,4.1.3 扩充存储器（EMS）,扩充存储器是遵守EMS规范的内存，位于计算机正规内存之外，DOS不直接参与EMS的管理，而是由EMM386.EXE管理。 依据EMS规范，将扩充存储器板的实际物理存储器划分为16KB的“页面”，然后在保留内存（上位内存）中开辟64KB的空闲区域作为窗口，系统透过这个窗口访问扩充存储器页面。每次可以读、写4个

5、不同的页面，最多可以管理32MB扩页存储器（EMS4.0）。,XMS（扩展存储器）只能用于80286以上的CPU，绝大部分使用扩展内存的软件如WINDOWS、OFFICE等基本上都支持XMS规范。目前很少有软件支持EMS（扩充存储器）。,4.1.4 存储器容量单位,位（Bit）是存储器容量的最小单位。 例如：100=64(H)=0110,0100(B)。 一位二进制数对应于存储器中一个晶体管存储电路。 一位二进制数可表示0,1两个数，对应于晶体管存储电路饱和、截止两种工作状态。,字节（Byte）字节是存储器容量的基本单位（单元）。 一个字节由8位二进制数构成。 一字节表示最小值为0000000

6、0(B)，最大值为11111111(B)。所以一个字节可表示28=256个数字或256种信息。,4.1.5 存储器常用单位换算,千字节（KB）： 1KB=1024Byte 兆字节（MB）： 1MB=1024KB 千兆字节（GB）：1GB=1024MB 各单位的关系如下 1GB = 1024（MB） = 10241024（KB） = 102410241024（Byte） 例：256MB（兆字节）1024=262144KB 512MB（兆字节）1024=524288KB,4.1.6 存储器数据位宽度,存储器数据位宽度又称数据位数。指存储器一次读写数据的位数，也可以理解为内存一次与CPU交换数据的位

7、数。 微机内存根据CPU数据总线的宽度可分为： 8、16、32、64bit（位）几种。显然，16位内存可由两个8位芯片组成，32位内存需四个8位芯片组成，64位内存可以由八个8位芯片或四个16位芯片组成，依次类推。 在微机系统中，二级缓存一般为128或256位。通常意义上的内存为64位。,4.2 存储器类型,4.2.1 只读存储器 只读存储器ROM是电脑厂商预先将程序烧制在芯片中，用户使用时只能读而不能写，关机和掉电时其中的数据不会丢失，可以通过专用的设备和程序对其内容进行刷新（修改）。 ROM可分为两种类型： EPROM 紫外光擦除可编程只读存储器。紫外光照射15分钟一擦全擦，安全性高（指病

8、毒侵害）。 Flash ROM 电擦除可编程快闪只读存储器（闪存）。可按字节擦写，安全性较差。,ROM用来制造微机系统中的BIOS 芯片。,4.2.2 随机存取存储器,随机存取存储器RAM是指CPU根据需要，通过指令可以随机对其进行访问的存储器，既通常意义上的微机内存。 RAM既能读又能写，但在关机或掉电后其中信息随之丢失。 1、动态随机存储器DRAM DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）晶体管的结电容存储电荷来保存信息。由于MOS管结电容缓慢放电，造成数据丢失，所以工作时需不断刷新。DRAM速度稍慢、但价格低。,不论何种存储器，都是由大量基本存储单元构成的矩阵结构，这个矩阵结构就是一个完

9、整存储体(BANK)。 DRAM用于制造微机系统的内存主体，也称内存条。,2、静态随机存储器SRAM,SRAM的基本存储单元是一个包含4个或6个高速晶体三极管组成的双稳态电路（JS触发器），利用双稳态电路的两个稳态（0逻辑和1逻辑状态）保存信息。 由于改变双稳态电路的逻辑状态比改变结电容上的电荷要快得多，所以SRAM速度快，约为DRAM的3-4倍，且工作时不需刷新。 由于SRAM基本存储单元由多个晶体管构成，所以功耗高于DRAM，体积较大，价格相对也高。 SRAM用来制造微机系统的高速缓存和CMOS RAM。,4.2.3 存储器速度和容量组合方式,1、存储器(芯片)速度和容量 芯片速度 即芯片

10、读写数据的速度，一般反映在型号上。 例：4464-8或4464-80则速度均为80nS。 芯片容量 即芯片寻址范围，即存储芯片的存储单元数。 一个存储芯片完整的表示方法是：存储单元数数据位数。 例：一根容量为128MB，数据位宽是64位的内存条，可以表示为：128MB64(bit),2、存储模块和内存条,存储芯片按照一定的规格组合在一个芯片中构成存储模块（颗粒）。一般有512KB8bit、1MB8bit、16MB8bit、64MB8bit、64MB16bit、128MB8bit等多种规格。 存储模块（颗粒）按照要求安装在条形PCB（印刷电路）板上就构成内存条。,3、内存容量的组合方式 存储器芯

11、片或存储模块组合成内存，要满足三个要求： 组合后的存储器数据位数要满足内存要求 组合后的存储容量要满足内存要求 要考虑奇偶效验位（如果需要的话）,例：组成286微机的1MB16bit内存（包括奇偶效验位），需要41256芯片（256K1bit）几片？ 解：1、41256是1位芯片，故需16片才能构成16bit数据位。 2、因为每8bit需配1个bit作为奇偶效验，即16bit数据位宽需2片41256作为奇偶效验，故18片41256才能构成一个完整的组合（BANK）。一个组合为256KB16bit+奇偶效验。 3、故构成1MB16bit+奇偶效验内存则需4个组合。 所以共需要41256芯片为18

12、4=72（片）。,BANK（存储体）即为一个可独立使用的由大量基本存储单元构成的矩阵结构，存储体有时就是一个基本存储芯片。,4.3 内存条性能指标与接口,4.3.1 几个概念 1、奇偶效验 具有奇偶效验的内存在每一字节（8位）外增加一位（第9位）作为错误检测之用，称奇偶效验位。将一字节的8位相互相加，结果若是奇数，效验位就定义为1，反之则为0。 CPU读取数据时，都要将读取字节的8位数相加并与其效验位比较，当CPU发现二者不同时则死机。,例：有一数 10011101(B)， 8位数相加（1+0+0+1+1+1+0+1）=5， Parity（奇偶效验）=1。,2、ECC效验,ECC(Error

13、Checking)是用来检验RAM中的整体数据的一种电子方式。它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。 ECC效验也是通过外加数据位来实现的。如8位数据，奇偶效验需1位，ECC检验则需5位。这额外的5位是用来重建错误的数据的。当内存数据位数增加一倍，奇偶效验也增加一倍，而ECC只需增加一位。当数据为64位时ECC和奇偶效验位数相同（都是8位）。 在纠错时系统的性能将明显降低，但你不会发觉你的数据出过错。,3、SPD（串行存在检测）,SPD(Serial Presence Detect)是1颗8脚的SOIC封装的256字节的E2PROM芯片，型号多为24LC01/02。里面保

14、存该内存的容量、速度、电压、是否具备ECC校验和行/列地址带宽等参数信息，这些信息一般由内存条制造商写入SPD芯片中。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的信息，并以此设定内存的工作参数。它是识别PC 100以上的内存的一个重要标志。 现在几乎所有的主板BIOS都支持SPD，而对于内存上的假SPD来说，就会有不兼容或死机的现象出现，这是检测假冒内存条的好方法。当然，你可以通过CMOS设置关闭SPD功能，手动设置内存工作参数。,4.3.2 内存主要性能指标,1、TCK（内存时钟周期） TCK由系统时钟频率f决定，说明内存能运行的最大频率， TCK=1/f。系统工作在100MHz时，TCK10

15、ns。,2、TRCD（RAS to CAS Delay） 行地址有效到读/写命令（列地址寻址命令）发出之间的间隔，即RAS相对CAS的延时时间。 3、CL（CAS Latency） 指列地址选中后，经过触发数据传输，数据真正出现在内存I/O 端口所需的等待时间（列地址脉冲的反应时间）。一般为2个、3个或4个时钟周期。,4、TAC（内存存取时间）,指确定一个存储单元后，进行数据存取操作所需的时间。即在最大的CL时的最大的数据输出时间。如： 100MHz时，TCK10ns、CL=3、TAC6ns。 4、TRP（Row Precharge command Period） 从开始关闭现有的工作行，到可

16、以打开新的工作行之间的间隔（行预充电有效周期）。一般为2个、3个或4个时钟周期。,5、内存存取周期 内存存取周期=系统时钟周期CL模式数+存取时间。 例：某PC100内存的存取时间为6ns，设定CL模式数为2，则存取周期=10ns2+6ns=26ns。,4.3.3 内存条接口,内存条由内存颗粒（模块）、PCB印刷电路板、SPD芯片和内存条引脚（接口，由称金手指）几个部分组成。 内存条引脚和内存插槽构成了与外部进行数据交换的接口。内存条引脚数目（线数）由内存架构（类型）决定。内存条接口有三大类：,1、SIMM(Single In-line Memory Module)单边接触内存模组 30线SI

17、MM 支持FPM内存。单根8位，双根16位，用于286、386SX微机。 72线SIMM 支持EDO内存。单根32位，用于386DS、486DX微机。双根64位，用于586微机。,2、DIMM(Dual In-line Memory Module)双边接触内存模组,DIMM属于64位接口，一根DIMM内存条就能覆盖整个数据总线，DIMM内存条有三种接口: 168线DIMM 支持SDRAM内存，单根64位。 184线DIMM 支持DDR内存，单根64位。 240线DIMM 支持DDR内存，单根64位。,3、RIMM(Rambus Interface Memory Module)Rambus内存模

18、组 用于Rambus公司生产的RDRAM内存，有单/双通道两种接口: 184线RIMM 支持16位单通道RDRAM内存。 232线RIMM 支持32位双通道RDRAM内存。,4.4 常用内存,4.4.1 FPM RAM（快速页面模式内存） 这是较早的微机系统使用的内存，它每三个时钟脉冲周期传送一次数据，一次读/写操作需50-70nS。FPM RAM工作电压为5V，采用30线SIMM接口，常用于286和386微机中。,4.4.2 EDO RAM（扩展数据输出内存） EDO存储器在读写两个连续地址存储单元时，在前一个单元读写周期内便启动下一个读写周期（双存储体），因此减小了两个存储周期之间的时间间

19、隔，读写速度达到25-30nS。EDO RAM工作电压5V，采用72线SIMM接口，用于486和早期的586微机,4.4.3 SDRAM 内存（Synchronous DRAM）,SDRAM又称同步动态内存，是P时代普遍使用的内存类型。SDRAM采用双存储体结构，一个用于CPU读写数据，另一个则为CPU读写数据作准备，两者相互自动切换。 SDRAM以64位并行方式传送数据，且工作频率与CPU的外频同步，每一时钟周期上升沿传送一次数据，不存在延时或等待，速度比EDO提高13%。 SDRAM有PC 100/133/150几种规格，以PC 133为例，数据传输率为1.064GB/s。（133MHz6

20、4bit8=1.064GB/s） SDRAM工作电压3.3V，采用168线DIMM接口。从586开始至早期的P4，所有主板几乎都支持SDRAM。,4.4.4 DDR SDRAM 内存（Double Data Rate）,DDR又称SDRAM ，是P4时代普遍使用的内存类型。DDR是VIA（威胜）和AMD在SDRAM的基础上联合推出的双倍速率DRAM，DDR采用OCD（离线驱动调整）技术和一个称为DQS的特殊逻辑部件，提供完整的数据选通信号对数据精确定位，能够在一个时钟周期的上升和下降沿两次传送数据。 DDR内存以64位并行方式传送数据，但是数据传输率是SDRAM内存的两倍。DDR内存有DDR

21、266/300/333/400几种规格，工作电压为2.5V，采用184线DIMM接口。 以DDR 400为例，时钟频率为200MHz，因此数据传输率为200MHz264bit8=3.2GB/s。用于支持200/400MHz FSB系统。,双通道DDR是通过扩展内存子系统位宽来实现的，它依赖于主板芯片组的内存控制器发生作用，双通道DDR系统则有两个64位具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时并行运作，等同于一个128位的内存体系。 双通道DDR有DDR 400/500/533/600几种规格，数据传输率是普通DDR的两倍，工作电压为2.5-2.65V，主要

22、用于支持533/800MHz FSB系统。,如果主板上既有DDR内存插槽，又有SDRAM内存插槽。当你只使用DDR内存而不使用SDRAM内存时，必须将所有空着的SDRAM插槽插上“SDRAM接口终结卡”，否则系统不能启动。,DDR在不提升内存速度前提下提高内存整体数据传输率。 1、改进针脚设计 采用双向数据控制针脚，针脚有200、220、240（桌面系统）三种。 2、更低的工作电压 采用0.09微米工艺，工作电压1.8V。 3、更小的封装 普通DDR内存采用TSOP-封装，DDR改用更先进的FBGA（细间距球栅阵列）无铅封装技术。 4、增加cell(内存颗粒内部单元) DDR使用两个并行运行的

23、两位(bit)cell，采用4位Prefetch(数据预取)技术。 5、片内信号终结器 终结器由板载改为片内，减小驻波干扰。,DDR有DDR 400/500/533/600/800几种规格，主要用于支持533/800MHz FSB系统。,DDR属于八倍资料率同步动态随机存取内存。 一、特点 1、8bit预取设计（DDR2为4bit预取），这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 2、采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3、采用100nm以下的生产工艺，工作电压从1.8V降至1.5V。 4、新增了更为先进的CWD、Rese

24、t、ZQ、SRT、RASR功能。 二、与DDR2几个主要不同之处 1.突发长度（Burst Length，BL） 2.寻址时序（Timing） 3.DDR3新增的重置（Reset）功能,4.4.5 RDRAM 内存（Direct Rambus DRAM）,RDRAM又称存储器总线式动态内存，是RamBus公司开发的新型DRAM，采用铜线连接工艺，引入了处理器设计中的RISC思想，具有相互独立的行、列地址寻址总线。RDRAM能在很高的频率范围内通过一个高速串行总线在一个时钟周期的上升和下降沿两次传送数据。 单通道RDRAM以16位串行方式传送数据，实际一个时钟周期传送32位数据。常见的规格有PC

25、 600/700/800/1066几种。单通道RDRAM采用184线RIMM接口。 以PC 800为例，工作（时钟）频率400MHz，则数据传输率为400MHz16821.6GB/s。用于支持200MHz FSB系统。,双通道RDRAM以32位串行方式传送数据，实际在单个RIMM模组中一个时钟周期传送64位数据。常见的规格有RIMM 3200/4200/4800几种。双通道RDRAM采用232线RIMM接口。 以RIMM 4200为例，工作频率为533MHz，则数据传输率为533MHz32824.2GB/s。主要用于支持533/800MHz FSB系统。 RDRAM工作电压为2.5V，Inte

26、l公司在820、840以及850芯片组产品中加入对RDRAM的支持。,RDRAM工作于高速串行方式，使用时所有的内存插槽都必须用内存条插满。如有空槽，应该用专用的终结器将空槽插满，否则RDRAM将不能工作。,4.4.6 内存条命名,1、SDRAM内存命名 SDRAM按工作频率命名，如PC100或PC133，即按PC XXX 规范来命名。SDRAM内存工作频率就是时钟频率。 数据传输率=时钟频率648。(单位：MB/s),2、DDR SDRAM内存命名 DDR内存有两种命名方法，一种是以实际工作频率来命名，如DDR266，表示内存运行在133Mhz（时钟频率）。另一种是按照内存峰值带宽来命名，如

27、PC2700，表示内存最大数据带宽为2.7GB/S。两种命名方法的换算：PC XXXX8=DDR XXX 数据传输率=时钟频率2648。(单位：MB/s),3、RDRAM内存命名,单通道（16位）RDRAM内存条以实际工作频率来命名，如PC800、PC1066等，表示内存运行在400Mhz、533Mhz（时钟频率），这是RDRAM内存在一个时钟周期传送辆次数据的缘故。 数据传输率=时钟频率2168。(单位：MB/s),双通道（32位）RDRAM内存条按内存峰值带宽来命名，如RIMM4200、RIMM4800等，表示内存最大数据带宽为4.2GB/S、4.8GB/S。其数据传输率=时钟频率2328

28、。 由此不难算出双通道RDRAM实际工作频率。例如，RIMM4200的实际工作频率是：42004=1066MHz。,4.5 内存条选购,4.5.1 内存种类选择 根据主板前端总线频率（FSB）和芯片组考虑。 PC133 SDRAM（用于P）和DDR400 SDRAM（用于P4）是目前市场的主流。,4.5.2 内存品牌选择 应选择名牌产品，因名牌产品在性能上有一定的宽裕度。 内存模块（颗粒）品牌与内存条品牌有时不是一回事。 内存模块生产厂商有KingMax、三星、HY、LG、西门子等。进口内存条生产厂商有KingMax、三星、NEC、东芝等，国产内存条鱼龙混杂，台湾产品较好的有Kingston。

29、,版面光洁、色泽均匀。 焊接整齐、焊点光泽。 金手指光亮、标识清晰。 警惕拼装的次品内存条和Remark的内存条,4.5.4 解读内存标识 内存标识包括内存条标识和内存模块（颗粒）标识，它们从不同的角度反映了内存的性能参数。 内存标识是我们理解所购买内存性能的基本方法。 解读内存标识。,4.5.3 内存制造工艺,1、SDRAM内存条编号,一般表示为： PC xm-aabc-ddef x：代表时钟（工作）频率，100/133/150MHz等 M：模组类型，U（无缓冲）；R（有缓冲）；S（SODIMM） aa：最小的CL模式数，用时钟数表示，一般为2或3 b：最小的TRCD（RAS相对CAS的延时

30、）时间，一般为2 c：最小TRP（RAS预充电时间），一般为2 dd：最大TAC（内存存取）时间，多为6ns、7ns等数值 e：JEDEC SPD的版本号（如2则代表V1.2） f：f为模组的版本或是一个保留值为0 （JEDEC：电子工程设计发展联合协会）,2、DDR内存条编号,一般表示为：PC xm-aabc-efx：为内存条峰值带宽（MB/s）M：模组类型，U（无缓冲）；R（有缓冲）；S（小型化） aa：最小的CL模式数，用时钟数表示 b：最小的TRCD（RAS相对CAS的延时）时间 c：最小TRP（RAS预充电时间） e：为JEDEC SPD的版本 f：为模组的版本或是一个保留值为0,3

31、、Kingston（金士顿）内存条编号,一般表示为：KVRxxxXaaCbb/ddd KVR：代表kingston value RAMxxx：工作频率aa：64为没有ECC；72代表有ECCbb：最小的CL模式数，3、2.5或2/：分隔符号ddd：内存的容量 金士顿Value RAM SDRAM内存命名方式也和DDR一样。,4、LGS公司（LG-Semicon）内存模块（颗粒）编号,通式：GM72V ab cd e 1 f g T h ab：容量（MB） cd：数据位宽（bit） e： 包括的BANK数 f： 内核的版本号（越往后越新，可为空白） g： 若是“L”就是低功耗，普通型则为空白 T

32、： TSOP封装 h： TAC（内存存取时间）,通式：HYB39S ab cd 00 e T f -g ab：容量（MB） cd：数据位宽（bit） e： 内核的版本号（越后越新，可为空白） T： TSOP封装； f： 若是“L”就是低功耗，普通型则为空白 -g：TAC（内存存取时间）,5、Siemens（西门子）内存模块（颗粒）编号,1、根据使用的操作系统考虑 Win 98：最低16MB，基本32MB，最好64MB以上。 Win 2000：最低64MB，基本128MB，最好256MB以上。 Win XP：最低128MB，基本256MB，最好512MB以上。 2、根据使用的软件考虑 一般软件使

33、用256MB内存已足够，但运行图象（视频）处理软件最好使用512MB内存。 当内存容量足够大时，若再提高内存容量，则对计算机的性能已不产生多大的影响。,4.5.5 内存容量选择,4.5.6 了解系统内存需求,最简单的方法是：右键单击“任务栏”单击“任务管理器”，就可以直接观察到CPU和内存在不同的应用程序时的使用情况。,4.5.7 软件检测内存,内存检测的目的一方面是通过检测软件查看内存SPD芯片内的信息，了解内存的技术参数、辨别内存的真假。另一方面是检测内存动态性能（如内存带宽基准测试等）。 内存检测软件很多，一般常用下列两种： 1、CPU-Z CPU-Z软件是一个小巧但实用的基于CPUID

34、检测引擎的免费检测软件。可以用来检测内存的技术参数。 2、SiSoftware Sandra SiSoftware Sandra属于系统分析软件，可以检测内存的技术参数，也可以检测内存的动态特性。,END,计算机存储器组织结构示意图,扩展内存EMB,上位内存UMB,常规内存BASE,扩充存储器示意图,只读存储器（ROM）,EPROM,Flash ROM,Flash ROM构成的 BIOS 芯片,主板 BIOS 芯片 VGA（显卡）BIOS 芯片,动态存储器基本存储单元物理结构,动态存储器 （DRAM）,存储器芯片,存储器模块,静态存储器 （SRAM）,Cache,CMOS RAM,存储器分类,

35、存储器芯片与逻辑符号,芯片容量=寻址范围=210=1024（存储单元）= 1KB4bit 芯片速度=30nS,存储模块（颗粒）,古老的三种内存条,FPM DRAM,EDO DRAM,SDRAM,主板上的存储器芯片组合,这是486微机的L2 Cache,61256是256K8bit 芯片,4片构成一个完整组合（BANK）：256K（48）bit 两个BANK构成： 256K2（32bit）=512K32bit,SPD（串行存在检测）,内存条组成,内存引脚（金手指）,30线SIMM内存安装情况,72线 SIMM内存安装情况,168线 DIMM内存安装情况,184线 DIMM内存插槽,184线 DIMM内存安装情况,240线 DIMM 双通道内存插槽,184线 RIMM 16bit 单通道内存插槽,184线 RIMM内存安装情况,232线 RIMM 32bit 双通道内存插槽,FPM DRAM 内存,EDO DRAM 内存,SDRAM 内存,Cross point ofVREF & /DQS,After OCD Impedance,Cross point ofDQS & /DQS,Pull-up = Pull-down,DDR SDRAM 内存,双通道 DDR SDRAM 内存,双通道 DDR 内存条的两种安装形式,