微波魔T的课程设计_第1页
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文档简介

1、魔T的设计一、设计目的由于关于微波的一些理论、概念都比较抽象,理解不深刻。为了把一些理论用形象的方法表现出来,出现了许多关于微波的仿真软件。本次设计就是在这些软件的基础上进行的。其目的就是通过学习基于有限元的微波EDA仿真软件HFSS软件,加强对相关知识的理解和掌握,提高在射频领域的应用能力。本设计基于微波元器件的理论级熟练掌握HFSS仿真软件基础上,设计一个魔T,查看魔T的S参数并分析场分布图。二、设计方案 从设计目的出发,本文主要是研究魔T的S参数并分析场分布图。因此对于这个课设,可以在一个魔T设定多个端口,以确定魔T的内部的分布特性。三、设计原理魔T是波导分支器的一种,是一种功率分配器元

2、件。E面T分支、H-T分支也是波导分支器。E面T分支是在主波导宽面上的分支,其轴线平行于主波导的TE10模的电场方向。H-T分支是在主波导窄边面上的分支,其轴线平行于主波导的TE10模的磁场方向。将E-T分支和H-T分支合并,并在接头内加匹配以消除各路的反射,则构成匹配双T,如右图所示,它有以下特征:1.四个端口完全匹配.2.端口“、”对称,即有 3.当端口“”输入,端口“、”有等辐同相波输出,端口“”隔离。4.当端口“”输入,端口“、”有等辐反相波输出。端口“”隔离。5.当端口“或”输入时,端口“、”等分输出而对应端口“”或“”隔离。6.当端口“、”同时加入信号时,端口“”输出两信号相量和的

3、1/倍,端口“”输出两信号差的1/倍。 端口“”称为魔T的H臂或和臂,端口“”称为魔T的E臂或差臂。由个散射参数可得魔T的S矩阵为总之:魔T具有对口隔离,邻口3DB摔减及完全匹配的关系。 四、设计步骤及内容1、打开HFSS软件,建立新的工程。并设置模型单位为mm和模型的默认材料为真空。2、创建魔T: 画出长方体,是其长边沿Z轴,并设其上表面为P1,在此面上设激励。 根据画出的长方体分别旋转到三个90度、180度、270度处。依次为p2、p3、p4口。然后进行组合,形成魔T。如图:3、为该问题设置求解频率计扫描范围,设置完成后,保存工程。4、求解该工程,然后进行操作处理,仿真后查看魔T的S参数和

4、场分布动态图。5、分别以其他三个端口为激励(设激励的端口命名为p1,随后画出的端口依次为P2、P3、P4口),仿真,查看S参数和场分布动态图。五、设计仿真结果及分析以端口4沿(Z轴正方向的端口)为P1口设激励其S参数显示如图:分析:s(p1,p1)在10DB以下,因为这是端口P1的自反射,因为端口匹配,所以自反射系数应该很小,但并不是完全没有反射。s(p1,p2),s(p1,p4)两线重合,这是因为在差支路进入时,p2、p4口输出等幅反向波,又因为存在3DB衰减,所以会出现在如图中的位置。s(p1,p3)口,魔T存在对口隔离的特性,但是和差两路的信号很难消到零,只能在-45到-60之间。其隔离

5、度还随着频率的变化出现相应的变化。其场分布图分析:这个图比较理想,在p3口处已经看不到有波输出,实现了对口隔离,而在P2、P4口有同样的输出,与理论一致。以端口1(沿Y轴负方向的端口)为P1口设激励其S参数显示如图:分析:蓝色的线表示s(p1,p1)自反射,随着频率的增大衰减几乎成为等斜率的直线,说明此端口匹配在这一频段随频率的增大而越来越好。s(p1,p2)、s(p1,p4)分别表示在和支路和差支路的输出情况,随频率的增高两者互相靠近(但都有3-5DB的衰减)。接近理论所述:等幅输出。s(p1,p3)作为对口本来是隔离,但是隔离度并没有那么大,在这一频段内最多-10DB,其隔离情况远差于和差

6、两端口的隔离。其场分布图动态场分布图:分析:从图中可以清楚的看出,尽管对口存在隔离,但并不是完全隔离,并不是理想的零输出。隔离程度不是很大,不如和差器的对口隔离好。以端口2沿(X轴正方向的端口)为P1口设激励其S参数显示如图:分析:比较此图与第一次的激励所处的图,可以发现自发射系数的衰减减小,对口隔离的一端衰减一直在-55到-60DB,几乎没有波在隔离端口输出。而在其他两端仍然是等幅度输出,并有一定的衰减。其场分布图动态场分布图:分析:可以看出在沿z轴的端口即对口处几乎无波输出,也就实现了对口隔离。(4)以端口3沿(X轴正方向的端口)为P1口设激励其S参数显示如图:分析:比较上图与端口一为激励

7、时的图,发现两图几乎相同,说明端口1,3有相同的特性。在此不再重述。其场分布图动态场分布图:分析:场分布与端口1相同。观察四个端口的激励,经过对比,总结如下:1、魔T实现对口隔离,但是和差支路的隔离明显比另外两个对口的隔离要好。前者在设定频段为-50到-60DB,而后者只在10db左右。2、魔T的端口1、3特性非常相似,S参数图和场分布图很接近。3、差支路的匹配比和支路好,前者自反射系数在-10DB,而后者在5DB左右。4、几个端口都能实现邻口3DB的耦合。只是由于其他原因衰减会大于3db。六、实验感想通过这次实验,学会了使用HFSS设计魔T。设计过程中,出现了很多问题比如说魔T的组合,由于有些块未被选中,结果不能显示相互之间的反射系数;对于换端口设激励时,要先画出激励端口,也是尝试很多次才知道的。对于这样一个简单的设计,却花费了我两天的时间,分析探索真的很不容易。不过很欣慰的是,我从自己的设计中的得出我以前不知道的结论,还有也自己验证了以前学过的理论。课

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