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文档简介
1、CH2.場效應電晶體Field Effect Transistor,BJT電流控制電流之元件 NPN,PNP FET電壓控制電流之元件 JFET.EMOS,DMOS,JFET (Junction FET)接面場效電晶體,JFET 電壓控制通道寬度方式(教學以N-ch為例),利用逆向偏壓產生空乏區原理 壓縮通道寬度 進而控制電流,JFET VGS與通道變化之關係(N-ch),JFET VGS與通道變化之關係(N-ch),JFET ID-VDS特性曲線(N-ch),Pinch-off,JFET ID-VDS特性曲線(N-ch)(以虛線為界),恆流區(Constant-current) ID大小隨V
2、GS而變 VDS必須足夠大 又稱飽和區 歐姆區(Ohmic) ID大小隨VGS而變 此區為電壓控制電阻器 又稱三極體區,gm(互導 Transconductance),轉換特性曲線 (將VDS定為10V時),gm(互導 Transconductance),因ID受VGS控制,故改變VGS所產生ID之變化量為FET重要參數 gm定義為 於轉換特性曲線上的gm為,轉換特性曲線與負載線之關係,自給偏壓電路分析(直流分析)-VGS逆偏(IG=0),自給偏壓電路實例,共源極放大器(CS amplifier)(小訊號放大),共源極放大器 共汲極放大器 共閘極放大器,共源極放大器(CS amplifier)
3、(小訊號放大),訊號由閘極輸入、由汲極輸出,共源極放大器(CS amplifier)(交流分析),無輸入訊號時之輸出,共源極放大器(CS amplifier)(交流分析),正輸入訊號時之輸出,共源極放大器(CS amplifier)(交流分析),負輸入訊號時之輸出,共源極放大器(CS amplifier)(交流分析),共源極放大器(CS amplifier)(FET小訊號等校模型),因閘極對源極為逆向偏壓,故無閘極電流IG=0 由閘極看入之阻抗為 互導 交流等校電路假設 電壓源短路、電容短路,共源極放大器(CS amplifier),共源極放大器(CS amplifier)(FET小訊號等校模
4、型-由閘極看入),共源極放大器(CS amplifier)(FET小訊號等校模型-由源極看入),共源極放大器(CS amplifier)(輸入阻抗/交流等校電路),共源極放大器(CS amplifier)(輸出阻抗),共源極放大器(CS amplifier)(電壓增益),實驗2-1,利用JFET 2SK30完成電路 測量VG,VS,VD,VGS (VDD=15V) 測量ID,IS 請說明ID ,IS電流是否相同?,實驗2-1,2SK30A datasheet,實驗2-2,利用JFET 2SK30完成電路 示波器CH1,CH2均選擇DC檔位 將輸入訊號設定為1KHz,Sine wave 將輸入訊號振幅慢慢加大,調整至最大不失真之波形後,將波形記錄,並同時紀錄輸入訊號振幅 利用觀測結果,求得電壓增益 輸入訊號使用CH1,輸出訊號使用CH2 觀察輸入/出波形是否為反相,實驗2-2,+,-,實驗2-3,實驗2-3,上述實驗完成之後,將交流訊號移除,利用定義,請自行改變電路某部分零件,並量測出夾止電壓Vp(Vgs,off) 。,實驗2-4(at home),利用直流分析計算出理論值VG,VS,VD,VGS,ID並與實際值進行比較(請將演算公式清楚列
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