第5章 集成逻辑门电路（高）

1、概述,第5章集成逻辑门电路,基本逻辑门电路,TTL集成逻辑门电路,CMOS集成逻辑门电路,TTL电路和CMOS电路的接口,本章小结,返回演示文稿目录,概述,主要要求：,了解逻辑门电路的作用和常用类型。,理解高电平信号和低电平信号的含义。,TTL即Transistor-TransistorLogic,CMOS即ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,一、门电路的作用和常用类型,按功能特点不同分,按逻辑功能不同分,按电路结构不同分,输入端和输出端都用三极管的逻辑门电路。,用互补对称MOS管构成的逻辑门电路。,二、高电平和低电平的含义,高电平和低电平为某规定范围

2、的电位值，而非一固定值。,高电平信号是多大的信号？低电平信号又是多大的信号？,由门电路种类等决定,3.6v,2.4v,0.8v,0v,0.3v,3v,在TTL电路中，2.43.6v范围均称为高电平，标准高电平常取3v。00.8v范围均称为低电平，标准低电平常取0.3v。阈值电压为1.4v。,1.4v,主要要求：,理解二极管的开关特性。,理解三极管的开关特性。,5.1基本逻辑门电路,了解分立元件基本门电路。,开关器件,具有闭合和断开两种工作状态。,理想开关特性,闭合接通电阻为0，断开电阻为无穷大，闭合或断开动作瞬间完成。,实际开关特性,闭合接通电阻不为0，断开电阻不为无穷大，闭合或断开动作有一定

3、延迟时间（称开关时间），承受功率有限。,5.1.1二极管、三极管及场效管的开关特性,1、二极管伏安特性,Uth为门限电压（硅二极管约0.5V,锗管约0.1V）。,一、二极管的开关特性,IR为反向电流（近似为0）。,UBR为反向击穿电压。反向击穿电压的大小与二极管的型号有关。,当输入uI为低电平UILUth，二极管反向截止（相当于断开）。,二极管通断的条件和等效电路,当输入uI为高电平UIHUth，二极管正向导通（硅二极管两端约0.7V，锗管约0.2V）。,2、稳态开关特性,电路处于相对稳定的状态下，二极管所呈现的开关特性。,3、瞬态开关特性,电路处于瞬变状态下，二极管所呈现的开关特性。,反向恢

4、复时间在高速开关电路中不能忽略。,开通时间相对较短，对开关速度影响较小，可以忽略,三极管为什么能用作开关？怎样控制它的开和关？,当输入uI为低电平，使uBEUth时，三极管截止。,iB0，iC0，C、E间相当于开关断开。,三极管关断的条件和等效电路,负载线,饱和区,放大区,二、三极管的开关特性,截止区,三极管截止状态等效电路,uI=UIL,Uth为门限电压0.5v,1、三极管的稳态开关特性,晶体管输出特性,饱和区,放大区,二、三极管的开关特性,uI增大使iB增大，从而工作点上移，iC增大，uCE减小。,截止区,三极管截止状态等效电路,S为放大和饱和的交界点，这时的iB称临界饱和基极电流，用IB

5、(sat)表示；相应地，IC(sat)为临界饱和集电极电流；UBE(sat)为饱和基极电压；UCE(sat)为饱和集电极电压。对硅管，UBE(sat)0.7V，UCE(sat)0.3V。在临界饱和点三极管仍然具有放大作用。,uI增大使uBEUth时，三极管开始导通，iB0，三极管工作于放大导通状态。,饱和区,放大区,二、三极管的开关特性,截止区,三极管截止状态等效电路,uI=UIH,三极管开通的条件和等效电路,当输入uI为高电平，使iBIB(sat)时，三极管饱和。,uOUCE(sat)0.10.3V0，C、E间相当于开关合上。,三极管饱和状态等效电路,iB愈大于IB(Sat)，则饱和愈深。,

6、由于UCE(Sat)0，因此饱和后iC基本上为恒值，iCIC(Sat)=,例下图电路中=50,UBE(on)=0.7V,UIH=3.6V,UIL=0.3V,为使三极管开关工作,试选择RB值,并对应输入波形画出输出波形。,解：(1)根据开关工作条件确定RB取值,uI=UIL=0.3V时,三极管满足截止条件,uI=UIH=3.6V时,为使三极管饱和,应满足iBIB(sat),所以求得RB29k，可取标称值27k。,(2)对应输入波形画出输出波形,可见，该电路在输入低电平时输出高电平，输入高电平时输出低电平，因此构成三极管非门。由于输出信号与输入信号反相，故又称三极管反相器。,三极管截止时，iC0，

7、uO+5V,三极管饱和时，uOUCE(sat)0.3V,上例中三极管反相器的工作波形是理想波形，实际波形为：,uI从UIL正跳到UIH时，三极管将由截止转变为饱和，iC从0逐渐增大到IC(sat)，uC从VCC逐渐减小为UCE(sat)。,uI从UIH负跳到时UIL，三极管不能很快由饱和转变为截止，而需要经过一段时间才能退出饱和区。,2、三极管的瞬态开关特性,uI正跳变到iC上升到0.9IC(sat)所需的时间ton称为三极管开通时间。,通常工作频率不高时，可忽略开关时间，而工作频率高时，必须考虑开关速度是否合适，否则导致不能正常工作。,uI负跳变到iC下降到0.1IC(sat)所需的时间to

8、ff称为三极管关断时间。通常toffton,开关时间主要由于电荷存储效应引起，要提高开关速度，必须降低三极管饱和深度，加速基区存储电荷的消散。,二极管、三极管作为开关，其开关的转换速度都与延迟时间有关。,2、三极管的动态开关特性,三、MOS管的开关特性,在数字逻辑电路中，MOS管也是作为开关元件来使用的。MOS管（金属氧化物半导体场效应管）有N沟道（NMOS）和P沟道（PMOS）两种，且每种还有增强型和耗尽型之分。一般采用增强型MOS管组成开关电路，并由栅源电压uGS控制MOS管的截止或导通。,NMOS增强型：当uGSUGS(th)N，管子导通，产生iDS当uGSUGS(th)P，管子截止，i

9、DS0。UGS(th)是管子的开启电压，即衬底半导体表面感生出导电沟道所需的栅源电压。,MOS管导通的条件,1.二极管“与”门电路,电路,(2)工作原理,输入A、B、C全为高电平“1”，输出Y为“1”。,输入A、B、C不全为“1”，输出Y为“0”。,0V,0V,3V,5.1.2分立元件门电路,2.二极管“或”门电路,(1)电路,0V,3V,3V,(2)工作原理,输入A、B、C全为低电平“0”，输出Y为“0”。,输入A、B、C有一个为“1”，输出Y为“1”。,5.1.3晶体管“非”门电路,“0”,“1”,“0”,“1”,4、与非门电路,二极管与门和三极管非门串接而成,实现与非逻辑功能。,5、或非

10、门电路,二极管或门和三极管非门串接而成,实现或非逻辑功能。,主要要求：,了解TTL与非门的组成和工作原理。,了解TTL集成逻辑门的主要参数和使用常识。,5.2TTL集成逻辑门,掌握TTL基本门的逻辑功能和主要外特性。,了解集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用。,体积大。,元件参数差异，工作稳定度差。,各种门的输入、输出高低电平差异大。,分立元件门电路的不足,开关转换速度慢。,5.2.1TTL与非门,一、概述,需要不同电源，功耗大。,二、TTL“与非”门电路,1.电路,多发射极三极管,输入级主要由多发射极管T1和基极电阻R1组成，用以实现输入变量A、B、C的与运算。VD1VD3为输入钳位二极管，

11、用以抑制输入端出现的负极性干扰。正常信号输入时，VD1VD3不工作，当输入的负极性干扰电压大于二极管导通电压时，二极管导通，输入端负电压被钳在-0.7V上，这不但抑制了输入端的负极性干扰，对T1还有保护作用。,中间级起倒相放大作用，T2集电极C2和发射极E2同时输出两个逻辑电平相反的信号，分别驱动T3和T5。,输出级由T3、T4、R4、R5和T5组成。其中T3和T4构成复合管，与T5构成推拉式输出结构，输出阻抗小，提高了负载能力。,(1)输入全为高电平“1”(3.6V)时,2.工作原理,4.3V,T1倒置，T2、T5饱和导通,钳位2.1V,E结反偏,截止,负载电流（灌电流）,输入全高“1”,输

12、出为低“0”,1V,输入高电平电流IIH,流入输入端，微安级很小0。,3.6V,2.工作原理,1V,T2、T5截止,负载电流（拉电流）,(2)输入端有任一低电平“0”(0.3V),输入有低“0”输出为高“1”,流过E结的电流为正向电流,5V,输入低电平电流IIL,流出输入端，毫安级0.2mA。,5.2.2TTL与非门的外特性及主要参数,1.电压传输特性和噪声容限,输出电压随输入电压变化的特性,uI较小时工作于AB段，这时V2、V5截止，V3、V4导通，输出恒为高电平，UOH3.6V，称与非门工作在截止区或处于关门状态。,uI较大时工作于BC段，这时V2、V5工作于放大区，uI的微小增大引起uO

13、急剧下降，称与非门工作在转折区。,uI很大时工作于CD段，这时V2、V5饱和，输出恒为低电平，UOL0.3V，称与非门工作在饱和区或处于开门状态。,下面介绍与电压传输特性有关的主要参数：,有关参数,标准高电平USH,当uOUSH时，则认为输出高电平，通常取USH=3V。,标准低电平USL,当uOUSL时，则认为输出低电平，通常取USL=0.3V。,关门电平UOFF1.1V,保证输出为USH的90%（2.7V)时，允许输入低电平的最大值。,开门电平UON1.6V,保证输出为USL（0.3V）时,允许输入高电平的最小值。,阈值电压UTH,转折区中点所对应的输入电压，又称门槛电平UTH1.4V。,U

14、SH=3V,USL=0.3V,UOFF,UON,UTH,近似分析时认为：uIUTH，则与非门开通，输出低电平UOL；uIUTH，则与非门关闭，输出高电平UOH。,USH（3V）的90%（2.7V)一般UOFF取0.8V，UON取1.8V.,指输入低电平时，允许的最大正向噪声电压。UNL=UOFFUIL,指输入高电平时，允许的最大负向噪声电压。UNH=UIHUON,输入信号上叠加的噪声电压只要不超过允许值，就不会影响电路的正常逻辑功能，这个允许值称为噪声容限。噪声容限越大，抗干扰能力越强。,2.输入负载特性,ROFF称关门电阻。RIROFF时，相应输入端相当于输入低电平。对STTL系列，ROFF

15、700。,RON称开门电阻。RIRON时，相应输入端相当于输入高电平。对STTL系列，RON2.1k。,为保证与非门关闭，RI增大到使uI上升到UOFF值时的RI值，称关门电阻。,为保证与非门开通，RI增大到使uI上升到UON值时的RI值，称开门电阻。,注意：对于不同的TTL门电路，RON和ROFF的值是不同的。,不同TTL系列，RON、ROFF不同。,相应输入端相当于输入低电平，也即相当于输入逻辑0。,逻辑0,因此Ya输出恒为高电平UOH。,相应输入端相当于输入高电平，也即相当于输入逻辑1。,逻辑1,因此，可画出波形如图所示。,解：图(a)中，RI=300ROFF800,图(b)中，RI=5

16、.1kRON3k,3.负载能力,负载电流流入与非门的输出端。,负载电流从与非门的输出端流向外负载。,输入均为高电平,输入有低电平,输出为低电平,输出为高电平,灌电流负载,拉电流负载,不管是灌电流负载还是拉电流负载，负载电流都不能超过其最大允许电流，否则将导致电路不能正常工作，甚至烧坏门电路。,实用中常用扇出系数NOL表示电路负载能力。,门电路输出低电平时允许带同类门电路的个数。,输出低电平扇出系数NOL=IOL(max)/IILIOL(max)为与非门输出低电平允许V5的最大集电极电流IIL每个负载门输入低电平电流,（1）带灌电流负载,输出高电平扇出系数NOH=IOH(max)/IIHIOH(

17、max)与非门输出高电平的最大允许电流IIH每个负载门输入高电平电流,（2）带拉电流负载,由于三极管存在开关时间，元、器件及连线存在一定的寄生电容，因此输入矩形脉冲时，输出脉冲将延迟一定时间。,4.传输延迟时间,输入电压波形下降沿0.5UIm处到输出电压上升沿0.5Uom处间隔的时间称截止延迟时间tPLH。,输入电压波形上升沿0.5UIm处到输出电压下降沿0.5Uom处间隔的时间称导通延迟时间tPHL。,平均传输延迟时间tpd,tPHL,tPLH,tpd越小，则门电路开关速度越高，工作频率越高。,5.功耗-延迟积,常用功耗P和平均传输延迟时间tpd的乘积(简称功耗延迟积)来综合评价门电路的性能

18、，即M=Ptpd,性能优越的门电路应具有功耗低、工作速度高的特点，然而这两者矛盾。,M又称品质因素，值越小，说明综合性能越好。,5.2.3TTL非门、或非门和与或非门,1TTL非门,在TTL与非门基础上将多发射极管更换成普通晶体管即可,2TTL或非门,当A、B中任何一个为高电平时都将或导通，使导通，截止，电路输出低电平，只有在A、B同时为低电平时，和同时截止，使导通，截止，电路输出为高电平。,3TTL与或非门,将与、或非两种方法组合运用，就可以得到与或非电路，由图分析可知，只要A、B或者C、D中任何一组输入同时为高电平，输出就为低电平，只有两组输入都不同时为高电平时，输出为高电平，,图示电路为

19、两个非门的输出端直接连接的情况。其输出与输入间的关系为,两个逻辑门输出端相连，可以实现两输出相与的功能，称为线与。在用门电路组合各种逻辑电路时，如果能将输出端直接并接，有时能大大简化电路。,前面介绍的推拉式输出结构的TTL门电路是不能将两个门的输出端直接并接的。,5.2.4集电极开路门和三态门,两个与非门输出直接相连接的情况,如图所示的连接中，如果F1输出为高电平，F2输出为低电平，由于推拉式输出级总是呈现低阻抗，因此将会有一个很大的负载电流流过两个输出级，该电流远远超过正常工作电流，甚至会损坏门电路。,为了使TTL门能够实现线与，把输出级改为集电极开路的结构，简称OC门。,即Opencoll

20、ectorgate，简称OC门。,使用时需外接上拉电阻RL,VCC可以是+5V，也可以为其他值，视电路需要调整。,(一)集电极开路与非门,1.电路、逻辑符号和工作原理,输入都为高电平时，V2和V5饱和导通，输出为低电平UOL0.3V。输入有低电平时，V2和V5截止，输出为高电平UOHVCC。因此具有与非功能。,工作原理,相当于与门作用。因为Y1、Y2中有低电平时，Y为低电平；只有Y1、Y2均为高电平时，Y才为高电平，故Y=Y1Y2。,2.应用,(1)实现线与,两个或多个OC门的输出端直接相连，相当于将这些输出信号相与，称为线与。,只有OC门才能实现线与。普通TTL门输出端不能并联，否则可能损坏

21、器件。,注意,OC门电路取消了典型TTL门电路中V3、V4的输出电路，在使用时外接一个电阻RL和外接电源Vcc。,只要电阻RL和电源Vcc的数值选择恰当，就能保证输出的高、低电平符合要求，输出三极管V5的负载电流又不过大。,以上表示了n个OC门并联使用的情况，其输出,，还要保证门电路不被烧坏。,当外加电源电压确定后，负载电阻大小选择的原则为：输出高电平不低于，低电平输出不高于，还要保证门电路不被烧坏。,RL计算示意图,IOH为OC门输出管的截止漏电流IOL为OC门输出管最大负载电流IIL负载门的低电平输入电流IIH负裁门的高电平输入电流n“线与”输出的OC门的个数m接入电路的负载门输入端个数,

22、(2)驱动显示器和继电器等,例下图为用OC门驱动发光二极管LED的显示电路。已知LED的正向导通压降UF=2V，正向工作电流IF=10mA，为保证电路正常工作，试确定RC的值。,解：为保证电路正常工作，应满足,因此RC=270,分析：该电路只有在A、B均为高电平，使输出uO为低电平时，LED才导通发光；否则LED中无电流流通，不发光。要使LED发光，应满足IRcIF=10mA。,(3)实现电平转换,TTL与非门有时需要驱动其他种类门电路，而不同种类门电路的高低电平标准不一样。应用OC门就可以适应负载门对电平的要求。,OC门的UOL0.3V，UOHVDD，正好符合CMOS电路UIHVDD，UIL

23、0的要求。,即Tri-StateLogic门，简称TSL门。其输出有高电平(关态）、低电平（开态）和高阻态三种状态。,0,1,1,0,0.3V,1V,导通,截止,截止,另一方面，V1导通，uB1=0.3V+0.7V=1V,V2、V5截止。,这时，从输出端Y看进去，对地和对电源VCC都相当于开路，输出端呈现高阻态，相当于输出端开路。,1V,导通,截止,截止,Z,这时VD导通，使uC2=0.3V+0.7V=1V，使V4截止。,(二)三态输出门,1.电路、逻辑符号和工作原理,工作原理,综上所述，可见：,(二)三态输出门,1.电路、逻辑符号和工作原理,EN即Enable,2.应用,(2)构成双向总线,

24、TTL集成门的类型很多,那么如何识别它们?各类型之间有何异同?如何选用合适的门?,5.2.5TTL集成门的各种系列及应用要点,1.各系列TTL集成门的比较与选用,用于民品,用于军品,具有完全相同的电路结构和电气性能参数，但CT54系列更适合在温度条件恶劣、供电电源变化大的环境中工作。,按工作温度和电源允许变化范围不同分为,向高速发展,向低功耗发展,按平均传输延迟时间和平均功耗不同分,向减小功耗-延迟积发展,措施：增大电阻值,措施：(1)采用SBD和抗饱和三极管；(2)采用有源泄放电路；(3)减小电路中的电阻值。,其中，LSTTL系列综合性能优越、品种多、价格便宜；ALSTTL系列性能优于LST

25、TL，但品种少、价格较高，因此实用中多选用LSTTL。,CT74系列(即标准TTL),集成门的选用要点,(1)实际使用中的最高工作频率fm应不大于逻辑门最高工作频率fmax的一半。,双列直插14引脚四2输入与非门,2.TTL集成逻辑门的使用要点,(1)电源电压用+5V，,74系列应满足5V5%。,(2)输出端的连接,普通TTL门输出端不允许直接并联使用。,三态输出门的输出端可并联使用，但同一时刻只能有一个门工作，其他门输出处于高阻状态。,集电极开路门输出端可并联使用，但公共输出端和电源VCC之间应接负载电阻RL。,输出端不允许直接接电源VCC或直接接地。输出电流应小于产品手册上规定的最大值。,

26、3.多余输入端的处理,与门和与非门的多余输入端接逻辑1或者与有用输入端并接。,接VCC,通过110k电阻接VCC,与有用输入端并接,TTL电路输入端悬空时相当于输入高电平，做实验时与门和与非门等的多余输入端可悬空，但使用中多余输入端一般不悬空，以防止干扰。,或门和或非门的多余输入端接逻辑0或者与有用输入端并接,解：,OC门输出端需外接上拉电阻,RC,5.1k,Y=1,Y=0,RIRON，相应输入端为高电平。,510,RIROFF，相应输入端为低电平。,是由增强型PMOS管和增强型NMOS管组成的互补对称MOS门电路。比之TTL，其突出优点为：微功耗、抗干扰能力强。,主要要求：,掌握CMOS反相

27、器的电路、工作原理和主要外特性。,了解CMOS数字集成电路的应用要点。,了解CMOS与非门、或非门、开路门、三态门和传输门的电路和逻辑功能。,5.3CMOS集成逻辑门电路,NMOS增强型类比为NPN三极管,PMOS增强型类比为PNP三极管,NMOS增强型，当uGSUth，管子导通。当uGS-Uth管子截止(Uth是管子的开启电压),5.3.1CMOS反相器,(一)电路基本结构,要求VDDUGS(th)N+UGS(th)P且UGS(th)N=UGS(th)P,UGS(th)N,增强型NMOS管开启电压,增强型PMOS管开启电压,UGS(th)P,UIL=0V，UIH=VDD,(二)工作原理,可见

28、该电路构成CMOS非门，又称CMOS反相器。,无论输入高低，VN、VP中总有一管截止，使静态漏极电流iD0。因此CMOS反相器静态功耗极微小。,uOVDD为高电平。,uO0V，为低电平。,由一对参数对称一致的增强型NMOS管和PMOS管并联构成。,5.3.2CMOS传输门,工作原理,MOS管的漏极和源极结构对称，可互换使用，因此CMOS传输门的输出端和输入端也可互换。,当C=0V，uI=0VDD时，VN、VP均截止，输出与输入之间呈现高电阻，相当于开关断开。,uI不能传输到输出端，称传输门关闭。,当C=VDD，uI=0VDD时，VN、VP中至少有一管导通，输出与输入之间呈现低电阻，相当于开关闭

29、合。,uO=uI，称传输门开通。,传输门是一个理想的双向开关，可传输模拟信号，也可传输数字信号。,TG即TransmissionGate的缩写,5.4.2CMOS传输门,5.3.3CMOS三态输出门,工作原理,因此构成使能端低电平有效的三态门。,5.3.4CMOS数字集成电路应用要点,(一)CMOS数字集成电路系列,提高速度措施：减小MOS管的极间电容。,由于CMOS电路UTHVDD/2，噪声容限UNLUNHVDD/2，因此抗干扰能力很强。电源电压越高，抗干扰能力越强。,民品,军品,VDD=26V,T表示与TTL兼容VDD=4.55.5V,1.注意不同系列CMOS电路允许的电源电压范围不同，一

30、般多用+5V。电源电压越高，抗干扰能力也越强。,2.闲置输入端的处理,不允许悬空。,可与使用输入端并联使用。但这样会增大输入电容，使速度下降，因此工作频率高时不宜这样用。,与门和与非门的闲置输入端可接正电源或高电平；或门和或非门的闲置输入端可接地或低电平。,(二)CMOS集成逻辑门使用的注意要点,主要要求：,了解TTL电路和CMOS电路的接口。,了解集成逻辑门电路的选用和应用。,5.4TTL电路与CMOS电路的接口,了解TTL和CMOS电路的主要差异。,5.4.1TTL电路驱动CMOS电路,TTL电路输出低电平电流较大,满足驱动CMOS电路的要求，而输出高电平的下限值小于CMOS电路输入高电平

31、的下限值，它们之间不能直接驱动。因此，应设法提高TTL电路输出高电平的下限值，使其大于CMOS电路输入高电平的下限值。,在TTL电路输出接一个上拉电阻RU。,(一)TTL电路驱动CMOS4000系列电路,TTL电路输出和CMOS电路输入端之间接入一个CMOS电平转换器。,(二)TTL电路驱动74HCT高速CMOS电路,高速CMOS电路CC74HCT系列在制造时已考虑到和TTL电路的兼容问题，它的输入高电平UIH（min)=2V，而TTL电路输出的高电平UOH（min)=2.7V，因此，TTL电路的输出端可直接与高速CMOS电路CC74HCT系列的输入端相连，不需要另外再加其它器件。,5.4.2

32、CMOS电路驱动TTL电路,CMOS4000系列电路输出的高、低电平都满足要求，但由于TTL电路输入低电平电流较大，而CMOS4000系列电路输出低电平电流却很小，灌电流负载能力很差，不能向TTL提供叫大的低电平电流。因此，应设法提高CMOS4000系列电路输出低电平电流的能力。,将同一芯片上的多个CMOS电路并联作驱动门。,在CMOS电路输出端和TTL电路输入端之间接入CMOS驱动器。,(一)CMOS4000系列驱动TTL电路,(二)高速CMOS电路驱动TTL电路,高速CMOS电路的电源电压VDD=VCC=5V时，CC74HC和CC74HCT系列电路的输出端和TTL电路的输入端可直接相连。,

33、5.4.3CMOS门电路比之TTL的主要特点,注意：CMOS电路的扇出系数大是由于其负载门的输入阻抗很高，所需驱动功率极小，并非CMOS电路的驱动能力比TTL强。实际上CMOS4000系列驱动能力远小于TTL，HCMOS驱动能力与TTL相近。,5.4.4集成逻辑门电路的选用,根据电路工作要求和市场因素等综合决定,若对功耗和抗干扰能力要求一般，可选用TTL电路。目前多用74LS系列，它的功耗较小，工作频率一般可用至20MHz；如工作频率较高，可选用CT74ALS系列，其工作频率一般可至50MHz。,若要求功耗低、抗干扰能力强，则应选用CMOS电路。其中CMOS4000系列一般用于工作频率1MHz

34、以下、驱动能力要求不高的场合；HCMOS常用于工作频率20MHz以下、要求较强驱动能力的场合。,5.4.5集成逻辑门电路应用举例,例试改正下图电路的错误，使其正常工作。,VDD,可用两级电路2个与非门实现之,例试分别采用与非门和或非门实现与门和或门。,解：(1)用与非门实现与门,设法将Y=AB用与非式表示,因此，用与非门实现的与门电路为,Y=AB,可用两级电路3个与非门实现,(2)用与非门实现或门,因此，用与非门实现的或门电路为,Y=A+B,设法将Y=A+B用与非式表示,可用两级电路3个或非门实现之。,(3)用或非门实现与门,设法将Y=AB用或非式表示,因此，用或非门实现的与门电路为,将或非门

35、多余输入端与有用端并联使用构成非门,可用两级电路2个或非门实现之,(4)用或非门实现或门,设法将Y=A+B用或非式表示,因此，用或非门实现的或门电路为,Y=A+B,5.5其他双极性集成逻辑门电路,一、发射极耦合逻辑门（ECL门）,ECL逻辑门是一种采用非饱和型电子开关构成的双极型门电路，作开关用的三极管只工作在截止和放大状态，不进入饱和状态。,IL逻辑门是一种采用三极管恒流源与饱和型电子开关构成的双极型门电路。,二、集成注入逻辑门（IL门）,门电路是组成数字电路的基本单元之一，最基本的逻辑门电路有与门、或门和非门。实用中通常采用集成门电路，常用的有与非门、或非门、与或非门、异或门、输出开路门、三态门和CMOS传输门等。门电路的学习重点是常用集成门的逻辑功能、外特性和应用方法。,本章小结,在数字电路中，三极管作为开关使用。硅NPN管的截止条件为UBE0.5V，可靠截止条件为UBE0V，这时iB0，iC0，集电极和发射极之间相当于开关断开；饱和条件为iBIB(sat)，这时，硅管的UBE(sat)0.7V，UCE(sat)0.3V，集电极和发射极之间相当于开关闭合。,三极管的开关时间限制了开关速度。开关时间主要