LED倒装制程介绍

1、led倒装片和倒装片技术、contents、单倒装片结构led芯片、正装/倒装片结构的对比、器件功率的光取出效率热性能、高可靠性-机械强度-散热性能、单倒装片结构led芯片、倒装片无金线焊盘传统的正装封装结构，银膏热阻高，蓝宝石层在芯片下，热传导差，热阻低，大电流使用结构和材料面积大的电极，单倒装结构led芯片，支持荧光体薄层涂布工艺的光源的空间均匀性优异，空间色温分布更均匀， 1倒装芯片结构led芯片，无金线障碍，能够实现超薄型封装，节省设计空间，10-100m 150-200m，1倒装芯片结构的led芯片，薄片芯片，1倒装芯片结构的led芯片，倒装在蓝宝石基板上制作了gan外延基板，icp

2、蚀刻/rie蚀刻，制作了透明导电层，制作了p-n电极，在基板上制作了反射散热层， 芯片/基板的切割分割die bond倒装芯片、表面粗糙化/半导体表面加工、1倒装芯片结构的led芯片、晶片支架、点糊、固晶、银粉环氧树脂以在加热下(150/1h )固化的方式进行晶片和支架、银糊固晶、2倒装芯片固晶以固晶绝缘性粘接剂在加热下固化的方式，晶片和固定器的特征：11 .粘接强度大2 .绝缘性粘接剂的光透过性提高了亮度，绝缘性粘接剂的固晶化、2倒装片的固晶化、固晶化、2倒装片的固晶化、固晶化、2倒装片的固晶化现有固晶化方式的优点：有效地降低金属和金属的熔接欧姆电阻2 .有效地提高热传导效率，在2倒装芯片法

3、、2倒装芯片法、直接共晶焊接中存在问题， 加热垫孔-用只有晶片推力低的垫和晶片的粗糙度影响晶片倾斜的芯片拾取晶片，放置在载物台上用加热卡盘从载物台上拾取晶片，将晶片放置在预热的垫上，在低温度下偏移焊接的晶片2倒装焊接固定工序、2倒装焊接固定工序、加热卡盘的孔焊剂共晶在芯片的中央有大的孔，能显着减少加热卡盘的孔变得细致均匀，2倒装焊接固定工序、固定品质2倒装芯片热超声倒装焊接，热超声=热力超声能，原理：目前，引入超声能产生声软化效果，高熔点金属有可能在低温和压力下实现焊接，双倒装焊接固晶工艺，不同的实验条件和剪力，双倒装焊接共晶焊接的影响因素，固晶力共晶层的均匀性提高温度，固晶力增大，能够改善共

4、晶层的均匀性，销迹深度卡盘力和销速度优化后的卡盘力，共晶焊接的影响因素，双倒装焊接的影响因素，共晶焊接的影响因素， 固晶温度选择tg比固晶温度高10以上的e.g. au-sn(280 )，塑料tg330 ，回流最高加热温度315- 320，e.g.ag-sn/sn (232)，塑料tg290 ，回流最高加热温度270，2回流共晶焊接的影响因素，支架设计的牢固性-芯片与支架的接触面不牢固地固定在支架上，芯片与支架的接触面受推力影响而固定在牢固的支架上，以良好的接触提高推力，双倒装焊接的铸模设计，共晶焊接的影响因素， 支架设计表面粗糙度支架表面粗糙度比共晶材料的厚度少，否则共晶材料不足以满足表面凹

5、凸，流动性差的情况下，固定在比较平滑的支架表面上就能提高推力的3 au-sn共晶的制造方法是，au-20wt % sn au-sn共晶的制造方法在au-sn二元相图中，预成形件用冶金法对au-sn预成形件进行加工，虽然比较便宜，容易实现，但是加工成焊接所需的薄芯片很难，采用溅射和蒸镀等真空蒸镀技术，可以提供更好的工艺控制，减少氧化因为电镀速度慢，成分不能正确控制，所以在芯片上直接电镀制造au-20sn共晶凸块是困难的。 现在，采用连续电镀方式的是先镀au，再镀sn，其外层的sn容易被氧化，共熔后的au-sn的成分难以控制。3 au-sn共晶的制造方法、3 au-sn共晶的制造方法、镀复工艺流程、3 au-sn共晶的制造方法、au/sn:10m/10m、150时效(a)5h； (b)10h、3 au-sn共晶的制造方法、au/sn:10m/10m、150时效(c)15h； (d)20h、3