T∕CSTM 00036-2020 铈掺杂铝镓酸钆闪烁晶体

ICS27.120.01Cerium-dopedgadoliniumaluminumgalliumgarnetscint2020-08-03发布I请注意本文件的某些内容有可能涉及专利。本文件的发布本标准由中国材料与试验团体标准委员会建筑材料领域委员会（FC0铈掺杂铝镓酸钆闪烁晶体GB/T191包装储运图示标志GB/T7896-2008人造光学石英晶体试验方法GB/T32642平板显示器基板玻璃表面粗糙度的测量方法T/CSTM00033-2020核辐射探测用无机光学单晶术语GB/T4960.6-2008、GB/T13181-2002、GB/T13376-2008、JC/T2018-2010和T/CSTM00033- 属于立方晶系和空间群Ia3d，化学式为Gd3(Ga,Al)5O12:Ce，简称GGAG或GAGG。简称中的前两个G分别是Gd及Ga的缩写，最后一个G表示该晶体为石榴石（Garnet）结构。2....................................................................(1)ΔE是核辐射在闪烁体中所损失的能量，N是闪烁体在吸收核辐射能量后所产生的光子数。当核辐射激发源为γ射线时，闪烁体的光产额通常以闪烁体吸收1MeV的入光子数来表达，光产额的单位为光子每兆电子伏（ph）；体的光产额通常以闪烁体吸收1keV的入射辐射能量后所产生的光子数来表达，光产额的单位L....................................................................(2)通常以闪烁体每吸收1MeV的入射辐射能量后所探测到的光电子数来表示，光输出闪烁体参考样品referencesamplesofs表征铈掺杂铝镓酸钆晶体能够区分不同能量，数值上可以表100%....................................................................(3)R——闪烁体能量分辨率；ΔE——全能峰分布谱的半高全宽，单位为千电子伏（keVΔP——全能峰分布谱的半高全宽，单位为道（channelE——全能峰分布谱峰值位置对应的能量，单位为千电子伏（keV）；P——全能峰分布谱峰值位置对应的道数，单位为道（channel）。4技术要求4.1外观无无4.2包裹体单个包裹体的三维最大尺寸小于3mm，且单位体积(cm3)内肉眼可见包裹体数不超过3个。4.3尺寸公差不大于±0.1mm。4.4粗糙度44.5密度4.6光产额注：在加工产品所用铈掺杂铝镓酸钆晶体中以随机加工取样并测试相对光不大于12%（使用137Cs作为激发源，半高全宽FullWidthatHalfMaximum）。注：在加工产品所用铈掺杂铝镓酸钆晶体中以采取随机加工取样分析方式品尺寸为27mm×15mm×2.4mm，其中27mm×2.4mm的两个表面光学抛光，其余面细磨砂处理。5.1外观5.2包裹体5.3尺寸公差尺寸公差的测试按JC/T2018-2010中5.5.4粗糙度5.5密度5.6光产额与相对光输出闪烁衰减时间的测试按GB/T13181-2002中10.2的规定进行（使用137Cs作为激发源），记录晶体发1√√2√√3√√4√—5√—6√√7√√8√—c)在不改变工艺技术的情况下，每二十四个月至少进从每批产品中用随机抽样方法抽取5件产品，按照本标准中技每批产品应由同一批原料、相同工艺条件下连续6从每批产品中用随机抽样方法抽取5%（不足107.2.1产品检验合格后，用无水乙醇把表面擦净，用电容纸或珍珠纸包覆产品装入包装箱内7.2.2每批产品应有产品质量检测报告，写明：供需双方名称、产品名称及规格、产品批号光产额的检测A.1检测环境条件A.2检测仪器123A.3参考样品铈掺杂铝镓酸钆晶体，尺寸为27mm×15mm×2.4mm，27mm×2面细磨砂处理，采用GB/T13181—2002中测量A.4样品准备测试样品尺寸及处理方式参考A.3参考样品A.5检测步骤8c)样品的待耦合面与光电倍增管光窗e)137Cs放射源放置在铅准直器内，根据计数率来调整放射源与样品的距离，使得计数率在f)先测量参考样品的多道能谱，确定参考样品的全能峰峰值对应的道数P0，与标准值进行比较g)分别测量每个样品的脉冲幅度谱，确定全能峰峰值对应的道数P；A.6参数计算A.6.1光产额与相对光输出按照本标准3.3中计算光产额的方法及所使用的光电倍增管相应参数，分别计算出每