太阳能单晶硅片的制备技术简介_第1页
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文档简介

中科院物理所嘉兴工程中心目录

一、引言

中科院嘉兴中心物理所分中心

太阳能级硅片太阳能电池结构

电池制备流程国内主要厂商

二.原料及其准备:多晶硅料坩埚浓度单位Si浓度%杂质浓度(TMI)atoms/cm3电子级99.9999999—9N99.999999999-11N1ppba1ppta5×10135×1011太阳能级99.9999------6N1ppma5×1016高纯金属硅99.9----------3N1000ppma5×1019金属硅98.5-99>10000ppma>5×1020注：单晶硅中原子数约为5×102２atoms/cm3ppma:原子数百万分比例,ppba;原子数十亿分比例,硅中的杂质浓度杂质(ppm)金属硅高纯金属硅太阳能级硅B15-50<30<1P10-50<15<5O3000<2000<10C100-250<250<10Fe2000<150<10Al100-200<50<2Ca100-600<500<2Ti200<51Cr50<151

废电池IC废料埚底料头尾料废料处理程序废料粗分砍砂磨削浸泡超声清洗电阻分检D.I水清洗\烘干酸洗NY废料处理设备吹砂机磨削机腐蚀机清洗机

三、单晶硅棒的生长：

籽晶晶颈晶肩晶身晶尾CZ直拉法区溶法掺杂与电阻率的控制:生长炉结构:长晶过程:籽晶熔炼引晶放肩等径生长收尾长晶

太阳能级硅棒性能指标:切头滚方多线切割机

清洗

分检供水系统车间布局应用

四、物理所工程中心简介

目前有常驻人员：25人

实验室与工作场地:约3000M2

实验室一：动力电池重点实验室研究方向：锂电新颖电极材料动力电池单体与模组超级电

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