HZHY-AL200-硬件设计-数据手册-adt75

±1℃精度、1212位温度-B级精度：±1.0°C(0°C至A级精度：±2.0°C(−25℃至SMBus/I2C工作电压范围：2.7V至5.5V功耗：79µW(典型值，3.3

3+–Σ-

THYSTSETPOINTTHYSTSETPOINTTOSSETPOINTTOSSETPOINTA0A1A2

4

Rev.

OneTechnologyWay,P.O.Box9106,Norwood,MA02062-9106,U.S.A.Tel: Fax:781.461.3113©2005–2012AnalogDevices,Inc.AllrightsADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供的最新英文版数据手册。特 应 产品特 功能框 修订历 概 技术规 A 时序规格和时序 绝对最大额定 引脚配置和功能描 典型性能参 工作原 电路信 转换器详

功能描 温度数据格 单次采样模 故障队 寄存 串行接 写入数 读取数 SMBus报 应用信 热响应时 自热效 电源去 温度监 外形尺 订购指 2012年8月—修订版A至修订版产品特性部分3V更改为2.7V，产品特色部分3V

2010年9月—修订版0至修订版更改图 2005年10月—修订版0为3.3V时，平均电源电流的典型值为200µA。

3µA。ADT75的额定工作温度范围为−55°C至+125°C。ATA=100°C至TA=100°C至ADC位V高输出漏电流 Ω输入低电压0.3×V输入高电压0.7×VSCL、SDA31V0.7×V3V38BTA0°C至ADC位V高输出漏电流 Ω输入低电压0.3×V输入高电压0.7×VSCL、SDA31V0.7×V3V38除非另有说明，TATMIN至TMAX，VDD2.7V至5.5V参数参见图00SCL低电平前的SDA参见图SCL高电平后的SDA参见图SDA和SCLSDA和SCLSDA和SCL参见图 DATADATA

Rev.B|Page6of–.V至+7–.V至VDD0.3–.V至VDD0.3–.V至VDD0.3–.V至VDD0.3–°C至220°C3°C/秒(最大值260°C3°C/秒(最大值

1值与标准2层PCB上使用的封装相关。由此可得出最差条件θ和θ

0ESD

MAXPD=3.4mWAT.ESD(静电放电)带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放A2T=A

3结至外壳热阻适用于具有优先流向特性的元件，例如安装在散热器

TOP(NotTOP(Notto

表5.12345678TEMPERATURETEMPERATUREERROR0

VDD=

VDD=

7TA=6432

–35

10

SUPPLYVOLTAGE

TEMPERATURETEMPERATUREERROR0

TA=A0.1µFCAPACITORISCONNECTEDATTHEVDDVDD=5V±0

AVERAGE@AVERAGE@–35

0

VDD=3.3V±0.51.01.52.02.53.03.54.0SUPPLYRIPPLEFREQUENCY.

TA=

TEMPERATURETEMPERATUREERROR0

MSOPSOIC

SUPPLYVOLTAGE

0

RECOVERYTIMEAT25C 压与内部基准电压相比较并输入至精密数字调制器。B级为±1°C(0°C至+70°C范围)。两种等级均具有出色的传s输出能够吸收3mA电流。空比，从而产生一个负反馈环路，将积分器输出降至最Σ-∆MODULATORVOLTAGEVOLTAGEREFANDVPTAT+

100ms启动一次转换。此时，器件的模拟电路上电并执行转换结果通常在60ms后可用。转换完成前读取器件会导致ADT75停止转换；当串行通信结束时，器件再次开始转换。该读操作读取的是上一次转换的结果。 –

LPFDIGITALLPFDIGITAL

Rev.B|Page10of作的测量范围是低值温度限值−55°C至高值温度限值+125°C。温度测量结果存储在16

表6.12DB15至存储在

OS设定点寄存器中的高温限值和存储在

HYST

12温度值寄存器、TOS设定点寄存器和THYST设定点寄存器中的温度数据由12位二进制补码字表示。MSB是温度符号位。四个LSB(位DB0至DB3)不是温度转换结果的一部分，始终为0。表6所示为不带位DB0至DB3的温度数据格式。

负温度=(ADC码(十进制)1−4096)/16，或者负温度=(ADC码(十进制)2–2048)/169(ADC码(十进制)3512)/2码(十进制)48负温度=ADC码(十进制)5−256，或者负温度=ADC码(十进制)6–128ADC码去除位DB7(符号位)ADC码使用所有12ADC码去除位DB11ADC码使用所有9ADC码去除位DB8ADC码使用所有8ADC码去除位DB7Rev.B|Page11of模式时，ADT75立即进入关断模式，功耗降至典型值3

为3.3V)或5.5

DD为5V)。将地址0x04

写入单次采样寄存器后，回读温度之前至少应等待60ms此等待时间确保ADT75有时间上电和完成一次转换。回读单次采样寄存器(地址0x04)可获得温度转换结果。回读温度值寄存器也能获得同样的温度值。在比较器模式下，一旦温度降至THYST

(COMPARATORMODE)POLARITY=ACTIVE(INTERRUPTMODE)POLARITY=ACTIVE(COMPARATORMODE)POLARITY=ACTIVE(INTERRUPTMODE)POLARITY=ACTIVE

WRITETO0x04READFROMANY

WRITETO0x04

WRITETO0x04

THEREISA60msDELAYBETWEENWRITINGTOTHEONE-SHOTREGISTERANDTHEOS/ALERTPINGOINGACTIVE.THISISDUETOTHECONVERSIONTIME..配置寄存器的位D3和位D4用于设置故障队列。在高温度噪声环境下使用ADT75时，队列可提供最多6个故障以防误触发OS/ALERT引脚。队列中所设故障的数目必须连续发生才能设置OS/ALERT输出。Rev.B|Page12ofADT75内置6个寄存器：4个数据寄存器、1个地址指针寄存器和1个单次采样寄存器。其中只有配置寄存器是8位宽数据寄存器，其余都是16位宽。温度值寄存器是唯一的只读数据寄存器，其余数据寄存器和单次采样寄存器都是可读可写的。上电时，地址指针寄存器装载0x00并指向温度值寄存器。THYST

此8位只写寄存器存储一个指向四个数据寄存器之一或选择单次转换模式的地址。P0和P1选择后续数据字节要写入或读出的数据寄存器。P0、P1和P2用于选择单次采样模式，方法是将04h写入此寄存器。其余位应写入0。表8.00000000表9.000001010THYST011100Rev.B|Page13of

此8位读写寄存器存储ADT75的各种配置模式。这些模式包括：关断、过温中断、单次采样、SMBus报警功能使能、OS/ALERT引脚极性和过温故障队列。参见表10。 000000000000位00000000Rev.B|Page14of位01OS/ALERT01D01仅中断模式。使能SMBus报警功能模式。选择中断模式时(D1=1)，此位可以使ADT75支持SMBusOS/SMBus01使能SMBusTHYST此16位读写寄存器存储两种中断模式的温度迟滞限值，温度限值以二进制补码格式存储，MSB作为温度符号位。读取此寄存器时，首先读取8个MSB，然后读取8个LSB。HYS限值的默认设置是75°C。控制寄存器设置是上电时的默认设置。 010010110000TOS此16位读写寄存器存储两种中断模式的过温限值，温度限值以二进制补码格式存储，MSB作为温度符号位。读取此寄存器时，首先读取8个MSB，然后读取8个LSB。OS限值的默认设置是80°C。控制寄存器设置是上电时的默认设置。 010100000000Rev.B|Page15ofADT75的控制经由SMBus/I2C兼容串行接口实现。

义为在串行时钟线(SCL)保持高电平时，串行数据线

应，并读取接下来的8个位，包括一个7位地址(MSB

OS/ALERTOS/ALERT

地址与所发送地址相对应的外设通过在第9

SMBus/I2CADDRESS=1001.

器件向从器件写入数据。如果R/W位为1与其它SMBus/I2C兼容器件一样，ADT75具有7位串行地SDA线和SCL线的推荐上拉电阻值为10k。表12.SMBus/I2C10010001001001100101010010111001100100110110011101001111

数据按9个时钟脉冲(8个数据位后跟1个来自数据接收器的应答位)的顺序通过串行总线发送。数据线上的转换必须发生在时钟信号的低电平周期期间，并且当时钟处于高电平时保持稳定，因为在时钟线高电平周期期间的数据线低电平至高电平转换，将被视为一个停止信号。一次操作中，通过串行总线可以传输任一数量的数据字Rev.B|Page16of

配置寄存器为8位宽，因此只能将一个字节的数据写入此寄存器。对配置寄存器写入的单字节数据包括串行总线地址、写入地址指针寄存器的数据寄存器地址，后跟写入所选数据寄存器的数据字节，如图15所示。HYS寄存器和TOS寄存器均为16位宽，因此可以写入两个数据字节。将双字节数据写入这些寄存器包括串行总线地址、写入地址指针寄存器的数据寄存器地址，后跟写入所选数据寄存器的两个数据字节，如图16所示。如果将超过要求数目的数据字节写入一个寄存器，该寄存器会忽略这些额外的数据字节。若要写入一个不同的寄存器，则需要另一个起始或重复起始条件。1

ACK.BY

STOPBYFRAME1SERIALBUSADDRESS

FRAME.

FRAMESERIALBUSADDRESSSCL

1

FRAME9

9ACK.BYSDA

FRAME3DATABYTE

STOPBY.Rev.B|Page17of

FRAMESERIALBUSADDRESS

FRAME

SCLSDA

D15 D13 D11 FRAME3DATABYTE

FRAME4DATABYTE

STOPBY1

STARTBY

FRAME1SERIALBUSADDRESS

FRAMEDATABYTEFROMCONFIGURATION

NOACK.BY

STOPBY

1 FRAMESERIALBUSADDRESSSCL

91

1D15D14D13 D11 FRAMEMSBDATABYTEFROMTEMPERATUREVALUEREGISTER9

9ACK.BYSDA

NOACK.BY

STOPBYFRAMELSBDATABYTEFROMTEMPERATUREVALUEREGISTER从ADT75读取数据，对于配置寄存器，通过单数据字节操作完成；对于温度值寄存器、THYST寄存器和TOS设定点寄存器，则通过双数据字节操作来完成。回读配置寄存器的内容如图17所示。回读温度值寄存器的内容如图18所示。从任何寄存器回读数据时，首先需要对地址指针寄存器进

Rev.B|Page18ofOS/ALERTADT75有两种过温模式：比较器模式和中断模式。中存储的温度限值时，OS/ALERT

模式。在中断模式下，将ADT75置于关断模式可复位

OS/ALERTPIN(COMPARATORMODE)POLARITY=ACTIVE(INTERRUPTMODE)POLARITY=ACTIVEOS/ALERTPIN(COMPARATORMODE)POLARITY=ACTIVEOS/ALERTPIN(INTERRUPTMODE)POLARITY=ACTIVE .Rev.B|Page19ofSMBus将配置寄存器的位D7置1以使能SMBus报警功能时，器件一般无法向主器件发出信号要求通信，但利用

因此ADT75的LSB可以用来指示是哪个温度限值被超RECEIVES

RECEIVES

DEVICE

RD

ARAANDREAD

ITS

MASTERSENDSARAANDREAD

DEVICESENDSDEVICESENDSITSADDRESSITSPEC Rev.B|Page20of通常以通过热接点传输的功率(°C/W)为单位。因此，

精度规格来说至关重要。此去耦电容必须尽可能靠近T=

×

.Rev.B|Page21of

如果热阻确定，则可从ADT75的输出推导出热源的温度。从热源传输到ADT75芯片上热传感器的热量有60%之多经由铜走线、封装引脚和焊盘散发掉。在ADT