太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片 编制说明

1太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片编制说明2料，是红、橙、黄光发光二极管（LED）的唯一衬底材料，广泛用于半导体照明、高清全彩显示屏、激光器、无人驾驶汽车等和太阳能电池领域。自2010年起，随着LED及砷化镓是典型的III-V族化合物半导体材料，具有直接能带隙，带隙宽度为1.42eV下1）光电转换效率高；(2)可制成薄膜电池，在可见关范围内GaAs材料的光吸收耐高温性能好4）抗辐射性能强5）多结叠层太阳能电池的材料。作多结叠层太阳能电池。因此采用GaAs材料制作的多柔性太阳能电池相比于其他类型3再砷化镓电池的国家标准方面，2010年制定了国家标准GB/T25075-20阳能电池用砷化镓单晶》，形成新标准GB及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料研制和生产综合型科技企业。产品广泛应用于光电材市场份额第一，现已成为第二代半导体衬底材料全国TOP3供应商。公司先后通过了4砷化镓产业化方面，公司拥有国内产能、质量领先的高纯砷晶体长晶设备，多线切割机、倒角机、解理机、研磨机、抛光机、全自动多片清洗机、分析仪，能对产品质量进行全面的检测分析；另外公司还积投资砷化镓耗材相关项目，目前已成为中国航天、中国电科、中国兵器等大型集团的合格供应商。公司拥有13条MOCVD外延芯片生产线，15000㎡超净车间和厂务公共系统，以及进口化合物半导体设备，包括金属有机化合物气相沉积系统、全自动曝光机、AM0太阳光模拟空间无人机）。公司坚持自主创新，拥有核心技术授权专利122项，已通过GJB9100C技术产品荣誉证书，2019年成功荣获广东省工程技术研究中心认定；2020年获得广东省知识产权示范企业认定，获中山市政府授予2020年度中山市科技创新突出贡献企业5员会，经过全体委员论证通过后，上报至国形成了国家标准《太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片》征64.按照GB/T1.1产品标准编写示例的要求进行格式和结构编写。该章节依据本行业产品标准编制要求编写，技术上增加150mm、200mm直径砷化镓目前外延相关行业对整片的均匀性有一定的要求，性有一定的影响，结合行业的相关数据，规定截面电阻率不均匀性＜15%。根据目前行业情况，定义n型和p型的掺杂剂，相对于上一版标准，扩大了载流子的范围，使其更适合目前的客户的需求。目前太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片为n型和p型，n型砷化镓在砷化镓晶体中，掺杂有一定量的杂质原子（如硅、硒等）可形成n型半导体材料。n型砷化镓具有高的导电性，适用于制造高速电路和光电器件。p型砷化镓在砷化镓晶体中，掺杂有一定量的杂质原子（如锌、镉等）可形成p型半导体材料。p型砷化镓具有高的空穴浓度和低的电阻率，适用于制造高功率、高频率的器件。目前主要的定位有两种主要形式，一种是以参考面反面，具体的可以分为V型槽和燕尾槽为主，目前100.0mm砷化镓衬底主要是参考面的取向和长度来确定晶片规格。目前V型槽和燕尾槽是砷化镓行业约定俗成的规格，均有客户使用。目前100.0mm砷化镓衬底大部分客户仅保留副边位置，副边的长度要求为0mm。另外根据行业的发展，Ф100.0mm及以下尺寸一般以V型槽和燕尾槽为主，这个是7可能与行业的设备或者客户的产业需要有关。大直径产品150.0mm和200.0mm考虑到成此次继续延续上次的编制，调整一些细节，定位边位置保持上一版内容。Ф150.0mm衬底切口要求。目前国内的太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片行业，目前主要是各家自己提供砷化镓衬底的需要，按照砷化镓电池片客户的要求制定标准，目前砷化镓电池片行业，主要以直径100.00mm规格为主，表7是国内几家砷化镓电池片厂主要砷化镓衬底的参考变及切口的标准。根据目前行业内砷化镓衬底需求客户，其对表面晶向及晶向偏离都有一定的要求，有关，外延工艺固定之后，其选择的衬底角度是固定的。表面晶向与客户的外延工艺相关，不同的角度的衬底可以生产相同的产品，具体的表面晶向由砷化镓衬底的客户来决定，而晶向偏离是砷化镓衬底行业经验的积累，偏离超过一定的程度，会影响客户的使用，晶片偏离大的砷化镓衬底，其外延后会出现毛掉的现象，导致砷化镓外延片报废，目前砷化镓衬底的晶向偏离行业通用的标准为±0.5°。镓LED外延厂常用客户标准中的表面晶向和晶向偏离具体要求。前砷化镓外观几何几寸没有大的变化，结合目前砷化镓户，所以定为5000个/cm2。8边缘的缺陷不超过1mm，由于砷化镓衬底的边缘问题会在外延后放大，所以砷化镓衬此我们修订了新的表面质量要求。近边缘区域径向尺寸主要是要求LED外延芯片砷化镓衬底其完整的抛光面其允许的最小径向尺寸，主要是因为LED外延芯片用砷化镓衬GB/T4326《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔本标准修订过程中，充分调研了行业内对太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的9《太阳能电池用砷化镓单晶》基础上进行的修订和补充，仅修订了产品的技术要求和无本标准修订后