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文档简介

波形发生电路

8.1正弦波振荡电路的分析方法。

8.1.1产生正弦波振荡的条件。基本原理:利用正反馈使放大电路产生“自激振荡”。(1)在一个反馈电路中,首先断开反馈回路,开关S掷向1。输入正弦波:放大器的输出为:反馈信号为:(2)如果反馈信号和输入信号相等有:。则此时将开关S掷向2端,反馈信号正好代替输入信号,可以使电路继续维持放大输出。此时虽然没有外部输入,但是也有输出,电路产生了“角频率为的自激振荡”。

此时电路产生自激振荡的条件为:,即。幅度的条件:。相位条件:理解:(1)环路增益必须等于1(或大于1),反馈的信号才能使电路维持振荡。

(2)相位条件表明,电路无论是何种连接方式,必须保证反馈是正反馈。8.1.2正弦波振荡电路的组成和分析步骤。在放大电路中必须包含稳幅的部分。在反馈回路中必须包含选频的部分。选频网络可以由电阻R,电感L,和电容C组成,其中由RC组成时称RC正弦波振荡电路,由LC组成时称LC正弦波振荡电路。一、判断能否产生正弦波振荡。

1)检测电路是否具有反馈,放大,选频和稳幅环节。

2)电路是否具有合理的静态工作点和放大能力。

3)分析电路是否满足自激振荡的幅度和相位条件。其中要满足自激振荡的幅度条件较为容易,可以通过调节放大器的放大倍数来达到。相位条件的判别:假设断开放大器和反馈信号的连接点,在放大器的输入端加入信号Ui,分析反馈信号Uf,看是否在某一频率下时,Ui和Uf的相位差为2n

,即是否反馈为正反馈。二、估算振荡频率和起振条件。假设断开放大器和反馈信号的连接点,在放大器的输入端加入信号Ui,写出环路增益AF的表达式,计算环路增益AF的移相角度argAF,在argAF

=2n

的条件下,计算出相应的角频率,则此时的即是振荡频率

0。在角频率为0的条件下,相应地令AF

1,既可以计算出振荡地起振条件。注:环路增益的移相角度由主放大器和反馈环路两部分组成,有:argAF

=argA

+argF

。在一般的情况下,放大器的移相角度远比反馈环路小,即有:argA<<argF,故实际分析中通常只考虑反馈环路本身的移相作用,认为argAF

=argF

。8.2RC正弦波振荡器。8.2.1RC串并联网络振荡电路。(文氏振荡电路)反馈网络为一个RC串并联的网络,反馈信号接入运放的同相端。主放大器为一个同相比例放大器,放大倍数为:能否产生正弦波振荡的定性分析。当输入信号的频率很低时,电容的容抗大,反馈网络等效于高通滤波器的结构,移相:argF

=+90

。当输入信号的频率很高时,电容的容抗小,反馈网络等效于低通滤波器的结构,移相:argF

=-90

。因此可以判断出,在某一频率处,反馈网络的移相角度必然为零,可以满足产生自激振荡的相位条件。另外,当时,反馈信号Uf

;当时,反馈信号Uf

。因此在某一频率处,反馈信号可能较大,可以满足产生自激振荡的幅度条件。一、RC串并联网络的选频特性。其中:幅频特性:反馈系数:相频特性:可见,当时,反馈网络的移相角度,满足自激振荡产生的相位条件。此时,反馈系数。二、振荡频率。忽略掉运放同相比例放大器的移相作用,整个环路增益的移相作用完全取决于反馈网络,则振荡频率为:三、起振条件。根据自激振荡的振幅条件

AF

1,当时:故放大器的放大倍数必须有:放大器为同相比例放大器,即:可得起振条件:8.5非正弦波发生器。其中最为基本的是方波(矩形波)发生器。8.5.1矩形波发生电路:一、电路的基本结构。

(1)利用一个滞回比较器实现两个门限电平。(2)利用一个RC充放电回路来控制周期。当滞回比较器分别输出高电平和低电平时,相应地控制RC回路充放电,RC回路的输出电压在两个门限电平之间来回变化,使比较器来回翻转,实现方波输出。二、实际电路及工作原理分析。1、当同相端的电位高于反相端电位时,输出电压Uo=VCC,比较器的门限电平为:此时电容C充电,反相端电位逐渐上升。

2、当反相端电位上升到VT1时,比较器翻转,输出电压Uo

=-VCC,此时比较器的门限电平为:此时电容C放电,反相端电位逐渐下降。

3、当反相端电位下降到到VT2时,比较器再次翻转,输出电压Uo

=VCC,电路再重复(1)的动作。三、振荡周期(取决于门限宽度和RC充放电速率)补充:RC充放电回路的基本方程:基本方程:若t

=0时刻有UC

=0,则任意t时刻:电容电压从UC1上升到UC2的时间为:对于矩形波发生电路,输出为高电平的时间内,电容电压由VT2上升到VT1,外加电压为VCC,时间为:同理,输出为低电平的时间内,电容电压由VT1下降到VT2,外加电压为-VCC,时间为:故振荡周期为:四、占空比可调的矩形波发生器。基本原理:利用二极管的单向导电性,使电路的充电和放电的不同,从而控制电路输出的占空比。输出高电平时,电容充电时间由R’控制:输出低电平时,电容放电时间由R控制:

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