电子行业半导体材料系列报告之二：AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖高端材料国产化进程加速

21、AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖2、硅片：库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升3、电子特气：贯穿晶圆制造的多个流程，全球市场被欧美日企业占据4、掩膜版：国产替代空间广阔，龙头企业蓄势待发5、光刻胶：逐步推进国产化进程6、湿电子化学品：技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快7、

CMP材料：CMP环节仍存在较大国产化空间8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高9、投资建议10、风险分析1、半导体材料分为晶圆制造材料和封装材料半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料，是半导体制造工艺的核心基础。按照工艺的不同，半导体材料可分为晶圆制造材料和封装材料。以2021年为例，根据SEMI，对前道制造材料成本以及后道封装材料成本进行拆分，其中成本占比最大的为硅片/其他衬底成本(20.72%)；其余材料成本占比从大至小排序分别为封装基板(14.88%)、湿电子化学品(8.79%)、光刻胶及配套材料(8.29%)、掩膜版(8.10%)、键合丝(5.58%)、引线框架(5.58%)、封装树脂(4.84%)、CMP

材料(4.46%)、陶瓷封装(4.09%)、电子特气(2.51%)、靶材(1.82%)、芯片粘结材料(1.49%)。资料来源：安集科技公司公告图

1：半导体材料图

2：2021年半导体材料成本拆分资料来源：SEMI，付斌《从砂到芯：芯片的一生》，未来半导体网31、晶圆制造材料为半导体材料市场中占比较大的领域资料来源：SEMI，头豹研究院材料类型主要材料主要用途晶圆制造材料硅片晶圆制造基地材料，贯穿芯片制造和封测环节电子气体起到氧化、还原、除杂等作用，贯穿整个制造环节掩膜版光刻工艺中线路图母版光刻胶配套试剂起到增强光刻胶黏性、剥离光刻胶等作用湿电子化学品清洗、刻蚀等工艺环节CMP材料实现衬底表面平坦化光刻胶将掩膜版图案转移至衬底材料靶材薄膜沉积的元素材料其他制造材料/封装材料封装基板保护芯片、物理支撑、连接芯片与电路板、散热键合丝连接芯片和引线框架引线框架保护芯片、物理支撑、连接芯片与电路板包封材料保护、散热、绝缘、支撑陶瓷基板应用于大功率、高温等场景芯片粘结材料应用于芯片封装固晶工艺其他封装材料/根据Technavio的研究，从市场细分来看，2023年晶圆制造材料（Fab

materials）是最大的半导体材料细分市场，占据了61.6%的市场份额，封装材料（Packaging

materials）则占据了

38.4%的市场份额。表

1：半导体材料分类图

3：2023年半导体材料市场构成资料来源：

Technavio41、

晶圆厂产能扩张带动半导体材料市场规模增长根据SEMI，2023年全球半导体材料市场销售额从2022年的727亿美元同比下降8.2%，至667亿美元，主要因为2023年半导体行业处于去库存过程中，晶圆厂利用率下降，从而材料消耗下降。2023年，晶圆制造材料销售额下降7%至415亿美元，封装材料销售额下降10.1%至252亿美元。根据SEMI

数据，中国大陆半导体材料市场规模快速增长，从2019年为593亿元增长至2023年的979亿元，估算2024年规模为1011亿元。资料来源：集成电路材料研究院，SEMI预测，势银研究，立鼎产业研究院，华经产业研究院、ICInsights、QYResearch(备注：汇率取

1

美元=7.1963

人民币)表

2：半导体材料前道市场规模、增长率及国产化率半导体材料2022年国内市场规模

(亿元)2025年国内市场规模预测

(亿元)增长幅度2023年国产化率硅片136.73231.0568.89%20%-30%电子特气22131743.44%30%-40%掩膜版66.659441.04%5%光刻胶及配套材料4052.4931.23%0%-10%CMP材料（抛光液）18.582956.08%20%-25%CMP材料（抛光垫）15.4824.1656.08%30%湿电子化学品80.2102.728.05%20%-30%靶材25.34369.96%30%-40%前驱体46.760.0828.64%低图

4：2019-2023年全球半导体材料市场规模（单位：十亿美元）资料来源：SEMI材料市场数据订阅(MMDS),2024年5月图

5：

2019-2024年中国半导体材料市场规模（单位：亿元）05资料来源：

SEMI统计及预测，中商产业研究院整理12001000800600400200201920202021202220232024E1、

AI和晶圆厂扩建驱动市场进一步增长根据SEMI数据，中国台湾地区2023年依然为全球最大的半导体材料消费地区，2023年半导体材料销售额为192亿美元，同比下降4.7%。2023年中国大陆半导体销售额为131亿美元，同比增长0.9%，韩国销售额为106亿美元，同比下降18%。资料来源：SEMI20%10%0%30%40%50%60%70%图

6：2022-2023全球各国家/地区半导体材料销售额占比100%90%80%2022年2023年欧洲北美日本其他韩国中国大陆中国台湾671、AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖2、硅片：库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升3、电子特气：贯穿晶圆制造的多个流程，全球市场被欧美日企业占据4、掩膜版：国产替代空间广阔，龙头企业蓄势待发5、光刻胶：逐步推进国产化进程6、湿电子化学品：技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快7、

CMP材料：CMP环节仍存在较大国产化空间8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高9、投资建议10、风险分析82、硅片：制作半导体的重要材料单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合（如有）、清洗等一系列工艺步骤，最终制成半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，从而形成具有特定功能的集成电路或半导体器件。在生产过程中，半导体硅片需尽可能减少晶体缺陷，保持极高的平整度和表面洁净度，以确保集成电路或半导体器件的可靠性。半导体硅片通常按尺寸和工艺进行分类。尺寸（以直径计算）主要包括50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）和300mm（12英寸）等规格。在摩尔定律的推动下，半导体硅片正不断向大尺寸方向发展。为提高生产效率并降低成本，大尺寸化成为半导体硅片制造技术的重要趋势。硅片尺寸越大，单片硅片上可制造的芯片数量越多，单位芯片成本随之降低。此外，由于在圆形硅片上制造矩形芯片会导致边缘区域无法利用，硅片尺寸越大，边缘损失相对越小，进一步降低了芯片成本。例如，在相同工艺条件下，300mm半导体硅片的可使用面积是200mm硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产芯片数量的指标）约为200mm硅片的2.5倍。资料来源：沪硅产业招股说明书图

7：半导体硅片技术演进史图

8：

200mm

硅片与

300mm

硅片对比资料来源：沪硅产业招股说明书，台湾联华电子官网2、硅片：制作半导体的重要材料9根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以

SOI

硅片

为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。资料来源：沪硅产业招股说明书整理表

3：按照制造工艺对硅片进行分类类型产品简介技术介绍应用场景抛光片抛光片是经过切割、研磨和抛光处理后的单晶硅片。抛光工艺通过去除表面损伤层，实现硅片平坦化，并减小表面粗糙度，满足芯片制造对平整度和颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件，也可作为外延片和SOI硅片的衬底材料。外延片外延片是通过化学气相沉积在抛光面上生长的硅单晶层。外延技术通过化学气相沉积生长硅单晶层，减少缺陷，降低电阻率、厚度和晶格结构的缺陷密度和氧含量。外延片常用于CMOS电路（如处理器芯片）和功率器件（如二极管、IGBT），广泛应用于工业电子、汽车电子等领域，提升器件可靠性并减少能耗。SOI硅片SOI硅片即绝缘体上硅，核心特征是在顶层硅和支撑衬底间引入氧化物绝缘层。SOI硅片具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子能力强等优点。适合应用于耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器及星载芯片等。2、

12寸为硅片主流趋势，8英寸硅片仍具备应用优势10硅片尺寸向12英寸演进已成为主流趋势，但8英寸硅片仍具备显著的应用优势。根据摩尔定律，半导体硅片尺寸越大，单片硅片上可制造的芯片数量越多，从而有效降低单位芯片成本。12英寸硅片主要应用于逻辑芯片（如CPU、GPU）、存储芯片、FPGA和ASIC等高端领域，而8英寸硅片则广泛应用于功率器件、电源管理器、MEMS等领域。资料来源：SEMI，头豹研究院表

4：硅片对应制程节点及应用领域尺寸制程应用领域12英寸先进制程10nm/7nm/5nm、3nm高性能智能手机处理器、高性能计算、显卡16/14nm高性能计算（GPU）、智能手机处理器、高性能存储芯片、FPGA等20-22nm存储芯片、中低端智能手机处理器、移动设备影像处理等12英寸成熟制程28-32nmWi-Fi/蓝牙芯片、普通处理器芯片、存储芯片、ASIC芯片等45-65nmDSP、嵌入式MCU、车载导航/卫星/GPS/NFC等芯片、存储芯片等65-90nm物联网MCU芯片、智能家居设备、传感器芯片、功率管理芯片等8英寸90nm-0.13μm汽车MCU芯片、基站通信设备、物联网MCU芯片、射频芯片、模拟芯片、功率器件0.13μm-0.15μm指纹识别芯片、影像传感器、通信MCU、电源管理芯片、功率器件、LED驱动、传感器芯片0.18μm-0.25μm影像传感器，嵌入式NVM6英寸0.35μm-0.5μmMOSFET、IGBT等0.5μm-1.2μmMOSFET、IGBT、MEMS、分立器件2、库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升资料来源：SEMI，中商产业研究院统计及预测受终端需求疲软及高库存影响，2023年全球半导体硅片市场规模及出货量出现同比下滑。根据SEMI及中商产业研究院，受终端市场需求疲软影响，2023年全球半导体硅片出货面积下降至126.02亿平方英寸。2024年上半年在AI热潮带动下复苏，估测2024年全年出货面积将达130亿平方英寸。随着行业库存去化接近尾声，叠加终端市场需求驱动，硅片行业有望逐步迎来复苏。图

9：2019-2024年全球半导体硅片出货面积（单位：亿平方英寸）160140120100806040200112019

2020

2021

2022

20232024E2、硅片行业头部集中度较高，上游供应商整体议价能力强资料来源：中商产业研究院资料来源：中商产业研究院统计及预测全球半导体硅片市场集中度较高。沪硅产业为中国大陆规模最大半导体硅片厂商，是中国大陆率先实现300mm半导体硅片规模化生产和销售的企业。半导体硅片市场的竞争格局主要表现为：中国目前半导体硅片企业主要参与低端产品市场竞争，高端产品市场竞争以国外龙头厂商技术与品牌为主，行业现有竞争者竞争较为激烈。上游国产供应商整体议价能力较强，替代品威胁较小。全球半导体硅片市场主要被日本、德国、韩国、中国台湾地区的龙头企业所垄断。根据中商产业研究院，2019-2023年中国半导体硅片市场规模从77.10亿元增至123.30亿元，年均复合增长率达12.45%，估算2024年中国半导体硅片市场规模为131亿元。图

10：2023年全球半导体硅片市场竞争格局（单位：%） 图

11：2019-2024年中国半导体硅片市场规模（单位：亿元）16014012010080604020012201920202021202220232024E131、AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖2、硅片：库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升3、电子特气：贯穿晶圆制造的多个流程，全球市场被欧美日企业占据4、掩膜版：国产替代空间广阔，龙头企业蓄势待发5、光刻胶：逐步推进国产化进程6、湿电子化学品：技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快7、

CMP材料：CMP环节仍存在较大国产化空间8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高9、投资建议10、风险分析3、

电子特气贯穿晶圆制造的多个流程14电子特种气体在集成电路领域应用广泛，种类繁多，覆盖半导体制程多个环节。尽管其在整体成本中占比仅为5~6%，但因其重要性，成为衡量半导体技术的核心产品。特种气体按化学成分可分为硅系、砷系、磷系等七类；按用途则分为掺杂气体、外延气体、离子注入气体等七类。例如，硅烷（SiH4）既属于硅系气体，又用于外延和化学气相沉积（CVD）。这些气体在集成电路中的精确应用，如掺杂、外延、离子注入等，确保了半导体器件的高性能和高可靠性。资料来源：SEMI，头豹研究院表

5：电子特种气体应用及产品种类应用主要产品电子特种气体化学气相沉积

(CVD)氨气、氧化亚氮、TEOS(正硅酸乙)、TEB(硼酸三乙)，TEPO(磷酸三乙)、磷化氢、三氟化氯、二氯硅烷、氟化氮、硅烷、六氟化钨、六氟乙烷、四氯化钦、甲烷等离子注入氟化砷、三氟化磷、磷化氢、三氟化硼、三氯化硼、四氟化硅六氟化硫、氙气等光刻胶印刷氟气、氨气、氮气、氛气等扩散氢气、三氯氧磷等刻蚀氨气、四氟化碳、八氟环丁烷、八氟环戊烯、三氟甲烷、二氟甲烷、氯气、澳化氢、三氯化硼、六氟化硫、一氧化碳等掺杂含硼、磷、砷等三族及五族原子之气体，如三氯化硼、乙硼烷三氟化硼、磷化氢、砷化氢等3、

全球主要电子特气市场被欧美、日本企业占据，呈现寡头垄断格局资料来源：Linx

Consulting，中船特气招股说明书序号气体名称市场规模(亿美元)市场规模占比应用工艺环节1三氟化氮

(NF₃)8.820%清洗、刻蚀2六氟化钨

(WF₆)3.358%成膜3六氟丁二烯(C4F6)3.117%刻蚀4氨气（NH3）1.854%成膜5氙气（Xe）1.754%离子注入，刻蚀6硅烷

(SiH4)1.684%成膜7一氧化二氮

(N₂O)1.393%成膜8磷烷（PH3）1.203%离子注入，成膜9激光气

（混合气）1.153%光刻10三氟化氯（ClF3）1.092%清洗全球电子特气市场呈现出显著的寡头垄断格局，主要由欧美和日本企业主导。2022年，全球市场规模达到50.01亿美元，预计到2025年将增长至60.23亿美元。在全球和中国市场中，空气化工、林德、液化空气和太阳日酸等企业占据主导地位，形成了高度集中的市场份额分布。2021年，全球排名前十的电子特气市场规模合计达25.37亿美元，其中三氟化氮市场规模是占比最高的电气特气。国内特种气体企业通过技术引进与自主创新，已在市场中占据一定份额，但在产品多样性、纯度标准及全球竞争力方面，仍与国际领先企业存在显著差距。表

6：2021年电子特气市场规模排名、占比及应用环节图

12：2023年中国市场竞争格局15资料来源：撼地产业研究院

3、我国电子特气国产化率较低，仍有较大提升空间根据中商产业研究院，2023年全球电子特气市场规模56亿美元，估算2024年全球电子特气市场规模为60亿美元。中国电子特气市场规模同样呈现出稳步增长的趋势。2023年中国电子特气市场规模249亿元，随着集成电路和显示面板等半导体产业的快速发展，电子特气的需求将持续增长，估算2024年中国电子特气市场规模将达262.5亿元。我国企业所能批量生产的特种气体仍主要集中在集成电路的清洗、蚀刻、光刻等工艺环节，对掺杂、沉积等工艺的特种气体仅有少部分品种取得突破，自主供应能力不足。我国电子特气国产化率较低，2020年电子特气国产化率仅14%，例如集成电路生产用的电子特气，我国仅能生产约20%的品种，所占国内市场份额仅为12%。预计2025年我国电子特气国产化率有望提升至25%。图

14：2019-2024年中国电子特气市场规模及同比增速图

15：2018-2025年中国电子特气国产化率统计及预测35%30%25%20%15%10%5%0%0501001502002503002019 2020 2021 2022 2023 2024E市场规模（亿元，左轴） 同比增速（%，右轴）0%5%10%15%20%25%30%2018201920202025E资料来源：中商产业研究院统计及预测资料来源：中商产业研究院统计及预测0%5%10%15%20%4030201005060图

13：2019-2024年全球电子特气市场规模及同比增速70

25%2019

2020

2021

2022

2023

2024E市场规模（亿美元，左轴） 同比增速（%，右轴）资料来源：中商产业研究院统计及预测161、AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖2、硅片：库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升3、电子特气：贯穿晶圆制造的多个流程，全球市场被欧美日企业占据4、掩膜版：国产替代空间广阔，龙头企业蓄势待发5、光刻胶：逐步推进国产化进程6、湿电子化学品：技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快7、

CMP材料：CMP环节仍存在较大国产化空间8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高9、投资建议10、风险分析17掩膜版是微电子制造过程中的图形转移母版，是平板显示、半导体、触控、电路板等行业生产制造过程中重要的关键材料。掩膜版的作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。作为光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键，掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。图

17：掩膜版在半导体生产中的应用资料来源：清溢光电招股说明书4、掩膜版：微电子制造的图形转移母板图

16：掩膜版工作原理资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）18掩膜版广泛应用于半导体、平板显示、电路板、触控屏等领域。TFT-LCD制造过程中，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，将设计好的TFT阵列和彩色滤光片图形按照薄膜晶体管的膜层结构顺序，依次曝光转移至玻璃基板，最终形成多个膜层所叠加的显示器件。晶圆制造过程中，其制造过程需要经过多次曝光工艺，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，在半导体晶圆表面形成栅极、源漏极、掺杂窗口、电极接触孔等。半导体掩膜版在最小线宽、CD

精度、位置精度等重要参数方面的要求，均显著高于平板显示、PCB

等领域掩膜版产品。19资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）4、掩膜版：半导体和平板显示为两大主要应用领域表

7：各类掩膜版及下游应用占比产品类型产品应用领域下游应用市场占比下游应用代表厂商半导体掩膜版逻辑电路制造、模拟电路制造、功率器件制造、MEMS传感器制造、IC封装等60%台积电、英特尔、中芯国际、华虹半导体、华润微、中芯集成、士兰微、积塔半导体、比亚迪半导体、立昂微、燕东微高德红外、长电科技等平板显示掩膜版LCD

显示屏制造、OLED显示屏制造等28%京东方、天马微电子、华星光电、中电熊猫、惠科等电路板（PCB、FPC制造、触控屏（TP）制造、光学器件制造等）其他12%蓝思科技、紫翔电子等关键参数关键参数说明半导体掩膜版平板显示掩膜版PCB

掩膜版掩膜版最小线宽掩膜版线宽越小，制作难度越高对应下游产品线宽越小， 0.5μm1.2μm10μmCD

精度数值越小，说明精度越高0.02μm0.10μm0.50μmCD

精度均值偏差数值越小，说明精度稳定性越高0.02μm0.12μm1μm位置精度数值越小，掩膜版实际图形位置坐标与设计值的偏差越小，精度越高0.02μm0.28μm—套刻层数下游生产时使用的掩膜版的层数，层数越多对套刻精度要求越高成套芯片用掩膜版包含的张数较多，通常十几张到数十张不等成套的平板显示用掩膜版一般数量相对较少，即使是AMOLED一般也仅需十数张通常张数为个位数表

8：各类掩膜版参数注：此处掩膜版最小线宽指掩膜版产品本身的最小线宽。由于半导体光刻时使用投影式光刻，掩膜版上曝光的图案按照4：1

的比例投影至晶圆上，因此0.5μm的掩膜版自身最小线宽对应下游半导体线宽约为130nm。显示面板、PCB

在曝光时通常采用接近式光刻，掩膜版上的图案按照1：1

的比例曝光。资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）SEMI数据显示，2018-2022年，全球半导体掩膜版市场规模由40.41亿美元增长至49亿美元，复合年均增长率达4.9%，估算2023年半导体掩膜版市场规模将继续增长至50.98亿美元。根据中商产业研究院，2022年我国半导体掩膜版市场规模约达112.74亿元，同比增长9.0%，2023年约为128.83亿元，估算2024年我国半导体掩膜版市场规模为134.26亿元。图

19：2018-2023年全球半导体掩膜版市场规模及同比增速图

18：2022年半导体制造材料市场结构图

20：2019-2024年中国半导体掩膜版市场规模及同比增速35%13%10%10%10%10%12%硅片电子特种气体光刻胶湿电子化学品抛光材料靶材光掩膜版40.4141.0244.0446.474950.980%1%2%3%4%5%6%7%8%010203040506020212018 2019 2020市场规模（亿美元，左轴）2022 2023E同比增速（%，右轴）资料来源：

中商产业研究院统计及预测资料来源：SEMI资料来源：SEMI统计及预测4、半导体掩膜版：半导体材料中占比较大的市场75.6485.21103.47112.74128.83134.260%5%10%15%20%25%02040608010012014016020222019 2020 2021市场规模（亿元，左轴）2023 2024E同比增速（%，右轴）20半导体掩膜版生产厂商可以分为晶圆厂自建配套工厂和独立第三方掩膜厂商两大类。由于28nm及以下的先进制程晶圆制造工艺复杂且难度大，各家用于芯片制造的掩膜版涉及晶圆制造厂的重要工艺机密且制造难度较大，因此先进制程晶圆制造厂商所用的掩膜版大部分由自己的专业工厂内部生产，如英特尔、三星、台积电、中芯国际等公司的掩膜版均主要由自制掩膜版部门提供。对于28nm以上等较为成熟的制程所用的掩膜版，芯片制造厂商为了降低成本，在满足技术要求下，更倾向于向独立第三方掩膜版厂商进行采购。独立第三方掩膜版市场主要被美国Photronics、日本Toppan

和日本DNP

三家公司所控制，三者共占八成以上的市场规模，市场集中度较高。由于半导体掩膜版具有较高的进入门槛，国内半导体掩膜版主要生产商仅包括中芯国际光罩厂、迪思微、中微掩膜、龙图光罩、清溢光电、路维光电、中国台湾光罩等。图

22：2022年全球独立第三方半导体掩膜版厂商市场格局资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）65%11%10%8%图

21：2022年全球半导体掩膜版厂商市场格局2%

2%2%晶圆厂/IDM厂ToppanPhotronicsDNP中国台湾光罩HOYA其他28.60%31.40%22.90%5.70%5.70%5.70%PhotronicsToppanDNP中国台湾光罩HOYA其他214、独立第三方半导体掩膜版市场中，海外公司占比较高半导体掩膜版行业具有显著的资本投入大、技术壁垒高、高度依赖专有技术的特点。晶圆制造厂商自行配套掩膜工厂，主要是出于制作能力的考量，但随着制程工艺逐渐成熟及第三方掩膜版厂商的制作水平的不断提升，自建掩膜版工厂的诸多弊端逐渐体现，如设备、人工投入巨大，生产环节过于复杂，成本过于昂贵等。第三方半导体掩膜版厂商能充分发挥技术专业化、规模化优势，具有显著的规模经济效应。在技术水平、产品性能指标符合要求前提下，独立第三方掩膜版厂商对晶圆制造厂商的吸引力不断增加。由于掩膜版承载着芯片设计方案和图形信息，涉及到芯片设计公司的重要知识产权，第三方半导体掩膜版厂商作为芯片设计与芯片制造的中间桥梁，能够更好地发挥信息隔离功能，芯片设计公司更倾向于将芯片设计版图交给第三方掩膜厂进行掩膜生产以保证自身的信息安全。随着技术水平不断提高，第三方独立掩膜版厂商竞争优势将不断体现，市场份额将持续增加。表

9：半导体掩膜版行业具有较强抗周期行业特性，需求稳定性较高22资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）特征介绍半导体产品不断迭代创新随着我国半导体芯片行业的国产替代推进，技术水平、工艺能力不断进步，芯片设计公司将会不断推出新的产品，对于掩膜版的产品需求不断增加。半导体掩膜版具有部分逆产业周期特性当半导体行业处于下行周期，晶圆制造厂商的产能利用率不足时，为了提升产能利用率，晶圆制造厂商会向众多的中小芯片设计公司提供晶圆代工服务，从而生产的半导体产品类型亦会增多，相应增加掩膜版的需求量；同时当下游需求低迷时，芯片设计公司将通过设计新产品刺激市场，提升销量，新产品也会带来对掩膜版的增量需求。半导体产品种类繁多，应用广泛与产品种类较为集中的平板显示行业相比，半导体行业的产品种类繁多、工艺多样、应用广泛，不同类型的产品应用于不同的终端场景，如消费电子、人工智能、汽车电子、新能源、工业制造、无线通信、物联网等，掩膜版的需求此消彼长，不容易因某单一行业波动而产生较大的需求影响。4、

半导体掩膜版行业需求稳定性较高，独立第三方厂商市场份额增大半导体生产工艺通常采用投影式光刻方法，在投影式光刻中，激光透过掩膜版后，经过投影物镜成像到晶圆的光刻胶表面，通过掩膜版对光线的遮挡或透过功能，实现掩膜图案向晶圆线路图的图形转移。半导体掩膜版的技术演进的过程，是不断解决极限情况下光的干涉与衍射现象、克服物理极限的过程。随着掩膜版的线宽和线缝越来越小，当尺寸逐渐接近光刻机的波长时，曝光过程中就会出现严重的衍射现象。光的衍射现象是指光在传播过程中，遇到尺寸与波长大小相近的障碍物时，光会传到障碍物的阴影区并形成明暗变化的光强分布情况。这种情况在投影式光刻中尤为明显，激光通过掩膜版的透光区和投影物镜后会出现显著的夫琅禾费衍射现象，导致曝光图形边缘的分辨率降低，图案边缘失真严重，CD

精度大幅下降。因此，为了提高光刻环节曝光图形的CD

精度，必须要对掩膜图案进行光学邻近效应修正（OPC）。图

24：由于光的衍射造成的图像失真及OPC

效果对比图

23：投影式光刻原理图资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）234、半导体掩膜版技术难度较大，我国厂商逐步突破随着掩膜版图形越来越复杂、线路密度越来越大，掩膜版的透光区间距离便越来越短，此时曝光过程中就会出现显著的干涉现象。光的干涉是指两束相干光相遇而引起光的强度重新分布的现象。当掩膜版的透光区间位置趋于接近时，从相邻两个透光区射出的光线频率相同、振动方向相近、相位差恒定，形成了相干光。两列或多列相干光在空间相遇时相互叠加，光强在某些区域始终加强，在另一些区域则始终削弱，出现了稳定的强弱分布现象。上述现象会造成晶圆感光时遮光区域仍有曝光、透光区域光强不足的情况，导致整体的对比度降低，CD

精度大幅下降，从而严重影响了晶圆的电路图形质量。当半导体的最小线宽小于130nm

后，传统的二元掩膜版（Binary

Mask）会由于光的干涉现象而无法对晶圆进行有效曝光，需要采用相移掩膜版（Phase

Shift

Mask，

PSM）来消除曝光光束中的干涉现象，提升CD

精度水平。随着半导体功能的不断进步，制程能力的不断提升，半导体器件与集成电路的细微电路图也越发复杂，晶圆表面需要光刻的图案由传统的二维电路图像发展成含有多层结构的三维电路图像，这也导致半导体掩膜版的层数不断增加，对掩膜版的套刻精度也提出了更高的要求。图

26：光刻图案发展成含有多层结构的三维电路图像图

25：二元掩膜版和PSM

掩膜版的原理资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）资料来源：龙图光罩招股说明书（注册稿）244、半导体掩膜版技术难度较大，我国厂商逐步突破1、AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖2、硅片：库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升3、电子特气：贯穿晶圆制造的多个流程，全球市场被欧美日企业占据4、掩膜版：国产替代空间广阔，龙头企业蓄势待发5、光刻胶：逐步推进国产化进程6、湿电子化学品：技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快7、

CMP材料：CMP环节仍存在较大国产化空间8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高9、投资建议10、风险分析25265、光刻胶是光刻工艺中的核心耗材，其性能决定着光刻质量光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体，是光刻工艺中的核心耗材，其性能决定着光刻质量。光刻胶的应用领域主要为半导体产业、面板产业和PCB产业。其中，半导体光刻胶主要应用于晶圆制造；面板光刻胶主要应用于制备彩色滤光片、微细图形加工等；PCB光刻胶应用于微细图形加工。光刻胶是对光敏感的混合液体，主要是由树脂、光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、溶剂、单体等组成，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩膜版)转移到待加工基片上。从成本结构来看，光刻胶树脂成本占比接近50%，其次添加剂（单体）成本占比约为35%，光引发剂及其他助剂成本占比15%。半导体光刻胶在光刻胶中技术指标要求最高，可分为g线/i线/KrF/ArF/ArFi和EUV光刻胶。光刻胶作为精密制造的核心材料，随着微电子制程对线宽的要求极为严格，光刻胶主要技术参数为分辨率、对比度、敏感度等。资料来源：智研咨询图

27：2022年光刻胶原料成本占比图

28：2022年全球光刻胶细分市场格局资料来源：智研咨询275、中国G/I线光刻胶部分国产替代，KrF/ArF/EUV光刻胶主要依赖进口全球光刻胶产能高度集中于日本和美国，海外厂商已实现从g/i线到EUV光刻胶的全品类覆盖，具备较强的技术领先优势。相比之下，我国光刻胶行业起步较晚，目前生产能力主要聚焦于中低端产品。本土企业如晶瑞电材（苏州瑞红）、彤程新材（北京科华）和华懋科技（徐州康博）等，已在G/I线、KrF和ArF光刻胶领域取得一定进展，但EUV光刻胶技术仍处于空白状态。资料来源：头豹研究院表

10：半导体光刻胶产品类型概况资料来源：前瞻产业研究院图

29：光刻胶主要技术参数产品类型曝光波长应用制程主要用途半导体光刻胶g线436nm0.5μm以上6英寸i线365nm0.5μm-0.35μm6英寸KrF248nm250nm-130nm8英寸ArF193nm130nm-65nm12英寸ArFi193nm65nm-14nm，配合双重及多重显影技术可达7nm12英寸EUV13.5nm7nm以下12英寸资料来源：智研咨询2023年估算表

11：2023年我国半导体光刻胶产品国产化率主要品种国产化率g线30%i线30%KrF10%ArF<2%ArFi<2%EUV研发阶段资料来源：华经产业研究院图

30：2021年中国半导体光刻胶市占率情况27%17%13%13%11%8%12%东京应化杜邦JSR住友化学DONGJIM富士胶片其他281、AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖2、硅片：库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升3、电子特气：贯穿晶圆制造的多个流程，全球市场被欧美日企业占据4、掩膜版：国产替代空间广阔，龙头企业蓄势待发5、光刻胶：逐步推进国产化进程6、湿电子化学品：技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快7、

CMP材料：CMP环节仍存在较大国产化空间8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高9、投资建议10、风险分析6、湿化学电子品技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快172209239266291313167.2169.7194.9228.624461.682.1108.2116.5126.7140.20100144.7200300400500600湿电子化学品，又称超净高纯试剂或工艺化学品，是指主体成分纯度大于99.99%，杂质离子和微粒数符合严格要求的化学试剂。主要以硫酸、盐酸、氢氟酸、氨水、氢氧化钠、氢氧化钾、丙酮、乙醇、异丙醇等为原料，经过预处理、过滤、提纯等工艺生产得到的高纯度产品。按照组成成分和应用工艺不同，湿电子化学品分为通用湿电子化学品和功能湿电子化学品两大类。通用湿电子化学品一般为单组份、单功能、被大量使用的超净高纯试剂，常用于湿法工艺中的清洗、显影等工序，主要包括酸类、碱类、有机溶剂类、及其他类产品。功能湿电子化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的复配类化学品，即在单一的超净高纯试剂（或多种超净高纯试剂配合）基础上，加入水、有机溶剂、螯合剂、表面活性剂等中的一种或多种化合物，然后混合而成的化学品。湿电子化学品可分为通用化学品和功能性化学品两类。2021年通用化学品市场规模占比为88.2%，功能性化学品市场规模占比为11.8%。表

12：湿电子化学品按用途分类 图

31：2020-2025年全球湿电子化学品需求量（单位：万吨）8007002020202120222023E2024E2025E集成电路 显示面板 光伏及其他29资料来源：中国电子材料行业协会统计及预测，头豹产业研究院资料来源：华经产业研究院类别种类具体产品通用湿电子化学品酸类氟酸、硫酸、盐酸、硝酸、乙酸、磷酸碱类氨水、氢氧化钠、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵有机溶剂醇类甲醇、乙醇、异丙醇酮类丙酮、丁酮、甲基异丁基酮、N-甲基吡咯烷酮酯类乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸异戊酯、丙二醇单甲醚酯羧酯醚类丙二醇单甲醚烃类甲苯、二甲苯、环己烷卤代烃类三氯乙烯、三氯乙烯、氯甲烷、四氯化碳其它双氧水功能湿电子化学品蚀刻液金属蚀刻液、BOE蚀刻液、IOTO蚀刻液清洗液稀释液光刻胶配套试剂正/负胶显影液剥离液正/负胶剥离液、剥离清洗液306、全球及中国主要的湿电子化学品供应商资料来源：芯语表

13：全球及中国主要的湿电子化学品供应商地区企业企业情况欧美BASF德国BASF为半导体产业和显示面板行业生产提供电子化学品产品，是电子化学品行业的领先供应商霍尼韦尔美国霍尼韦尔能够提供氢氟酸、氢氧化铵、过氧化氢和盐酸等高纯度湿电子化学品默克德国默克能够为晶圆加工领域提供高纯湿电子化学品解决方案英特格美国英特格是半导体和其他高科技行业的先进材料和工艺解决方案的供应商日本关东化学日本关东化学主要从事半导体用酸碱类超净高纯试剂的生产、研发三菱化学日本三菱化学主要生产高纯湿电子化学品，如硫酸、硝酸、盐酸、草酸、双氧水、氨水住友化学日本住友化学主要从事半导体、显示面板等领域超净高纯试剂的生产、研发Stella日本Stella主要从事半导体及显示面板用高纯氢氟酸生产中国台湾地区东应化台湾东应化主要生产半导体、TFT-LCD用剥离液、显影液等产品联仕台湾联仕拥有3-4万吨湿电子化学品年产能，在我国半导体应用领域中有一定市场份额韩国东友韩国东友、韩国东进两厂家主要生产显示面板加工用的湿电子化学品，在我国有一定规模的市场份额东进Soul-brain韩国Soul-brain是大型氢氟酸生产厂商中国大陆江化微江化微主营业务为超净高纯试剂、光刻胶配套试剂等湿电子化学品的研发、生产和销售。主要产品为氢氟酸、剥离液等中巨芯中巨芯是国内领先的电子化学品供应商，产品广泛应用于集成电路、显示面板以及光伏等领域的清洗、刻蚀、成膜等制造工艺环节晶瑞电材晶瑞电材生产的主要品种包括氢氟酸、双氧水、氨水、盐酸、硫酸、硝酸等格林达格林达是一家专业从事高纯电子化学品研发、生产和服务的高新技术企业，是全球主要的显影液TMAH生产商之一上海新阳上海新阳主要从事电子电镀与电子清洗系列功能性化学材料的研发、生产、销售飞凯材料飞凯材料从光通信领域紫外固化材料的自主研发和生产开始，目前已将核心业务范围逐步拓展至集成电路制造、屏幕显示等领域新宙邦新宙邦是领先的电子化学品和功能材料企业，产品主要有锂电池化学品、电容器化学品、有机氟化学品、半导体化学品以及LED封装材料等湖北兴福湖北兴福产品种类由最初的电子级磷酸拓展到电子级硫酸、电子级硝酸、电子级盐酸、电子级双氧水、电子级氨水等江阴润玛江阴润玛主要从事超净高纯试剂的研发、生产和销售，主要产品有氢氟酸、硝酸、蚀刻液等6、晶圆厂产能的增加带动上游湿电子化学品需求的增长超净高纯试剂和配套材料是电子工业中的关键性基础化工材料，其质量好坏直接影响到电子产品的成品率、电性能及可靠性，也对微电子制造技术的产业化有重大影响。因此，电子工业的发展要求超净高纯试剂和配套材料下之同步发展，不断地更新换代，以适应其在技术方面不断推陈出新的需要。晶圆厂产能的增加带动上游湿电子化学品需求的增长。图

32：前道及后道工艺用湿电子化学品市场规模（单位：十亿元）中国半导体前道用湿电子化学品中，需求量最大的是硫酸和双氧水，各占总需求的25%左右；其次是光刻胶配套试剂（包括显影液、稀释液、剥离液等，未考虑铝制程或铜制程使用的剥离清洗剂产品），约占半导体前道工艺用湿电子化学品需求的20%。目前国内6英寸及以下晶圆加工所用的湿电子化学品的国产化率已经超过80%。8英寸晶圆产品加工所用的湿电子化学品国产化率正在不断提升，而12英寸晶圆产品所用的湿电子化学品国产化率非常低。根据思瀚产业研究院，在半导体加工产业链中，12

英寸晶圆加工主导着半导体用湿电子化学品的需求，其制造过程中耗用的湿电子化学品达

239.82

吨/万片，是8

英寸晶圆消耗量的4.6

倍，6

英寸晶圆消耗量的

7.9

倍。全球晶圆产能的提升及晶圆尺寸的增大、先进制程工艺的发展，都将带来湿电子化学品需求量的上升。资料来源：SEMI31321、AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖2、硅片：库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升3、电子特气：贯穿晶圆制造的多个流程，全球市场被欧美日企业占据4、掩膜版：国产替代空间广阔，龙头企业蓄势待发5、光刻胶：逐步推进国产化进程6、湿电子化学品：技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快7、

CMP材料：CMP环节仍存在较大国产化空间8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高9、投资建议10、风险分析7、

抛光液与抛光垫为CMP工艺核心耗材资料来源：安集科技年报化学机械平坦化，（Chemical

mechanical

polishing，简称CMP），也称化学机械抛光，化学机械研磨，是一种高度精确的抛光工艺。通过纳米级粒子的物理研磨作用与抛光液的化学腐蚀作用的有机结合，以获得优异的平面度。其过程可描述为：抛光过程部分是机械的，部分是化学的。由于摩擦和腐蚀之间的协同作用，CMP

被认为是一种摩擦化学过程。该过程的机械元件施加向下的压力，而发生的化学反应提高了材料去除率。该过程是根据被处理材料的类型量身定制的。当目的是去除表面材料时，它被称为化学机械抛光。当目的是使表面变平时，它被称为化学机械平面化。图33：

CMP

工艺原理图337、前道加工和后道封装中均需要多次使用CMP技术34化学机械抛光（CMP）已成为制造集成电路的核心技术。CMP系统能够在单个裸片或最大直径为300毫米的晶圆上实现纳米级材料去除，适用于当前设备制造工艺中使用的各种晶圆/基板材料。在IC制造过程中，无论是氧化扩散、化学气相沉积、溅镀还是保护层沉积，CMP技术均需多次使用。与IC制造技术节点相对应，各种工艺制程的能力由CMP设备及其耗材决定。CMP工艺中的主要设备是CMP抛光机，主要耗材包括抛光液、抛光垫、清洗剂和调节器等。其中，抛光液和抛光垫占据CMP耗材细分市场的80%以上，是CMP工艺的核心消耗品。产品用途描述抛光垫抛光垫是CMP过程中的核心耗材，在CMP工艺中，抛光垫粘附在抛光台上，与工作件接触，对硅片提供一定的压力并对其表面进行机械摩擦。抛光液抛光液的主要作用是为抛光对象提供研磨及腐蚀溶解，其性能直接影响抛光后表面的质量。清洗液在抛光工艺过程中，磨料和被抛光对象都会造成硅片的沾污，清洗的主要目的就是为了清除这些沾污物质，使硅片的质量不受到影响。修整盘修整盘是将金刚石颗粒镶嵌在金属胎体上，在抛光过程中对抛光垫进行修正，以保证抛光工艺的稳定性和重复性。金刚石颗粒的尺寸、形状和排列方式对修正的效果都可能造成影响。保持环用于在硅片磨平时承载硅片并固定其位置，可产生低研磨速度，并生成具有严格平整度公差的均匀表面抛光。表

14：CMP材料分类资料来源：公众号【集成电路材料创新联合体】7、前道加工和后道封装中均需要多次使用CMP技术在前道加工领域，CMP工艺的主要作用是对晶圆表面进行平坦化处理。晶圆制造前道加工环节包含7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光和金属化，其中CMP主要用于衔接不同的薄膜工艺。随着先进制程的推进，抛光需求持续增长。晶圆制造技术的升级使得CMP工艺步骤大幅增加，CMP抛光垫在晶圆制造过程中的消耗量也随之上升。根据Cabot微电子的数据，14纳米及以下逻辑芯片工艺中，关键CMP工艺步骤将达到20步以上；而在7纳米及以下逻辑芯片工艺中，CMP抛光步骤甚至可能达到30步。此外，存储芯片从2D

NAND向3D

NAND技术的变革，也会使CMP抛光步骤数近乎翻倍。在后道封装领域，CMP工艺也逐渐被应用于先进封装环节的抛光，例如硅通孔（TSV）技术、扇出（Fan-Out）技术、2.5D转接板（interposer）和3D

IC等封装技术。由于这些技术对引线尺寸的要求更小更精细，因此会引入刻蚀、光刻等工艺，而CMP作为每道工艺间的抛光工序，得以在先进封装中广泛应用。在2.5D封装和3D封装等先进封装技术中，TSV技术需要使用CMP工艺进行通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光，以实现平坦化并隔开另一面沉积的导体薄膜，便于金属布线。同时，CMP也会用于晶圆背面金属化和平坦化的减薄抛光。因此，CMP抛光垫将在先进封装工艺中开拓新的市场空间。图34：不同芯片制程对应CMP

抛光次数403530252015105035资料来源：公众号【集成电路材料创新联合体】7、半导体产业发展推动CMP抛光垫市场持续增长随着全球半导体产能的快速提升，CMP抛光材料市场规模持续扩大。根据TECHCET的数据，2021年全球CMP材料市场规模达到30亿美元，其中CMP抛光垫市场规模为11.3亿美元。中国CMP材料市场得益于晶圆制造行业的蓬勃发展，根据TECHCET的数据，

2021年中国CMP抛光垫市场规模增长至13亿元。随着本土晶圆厂的崛起和产能扩张，国内CMP材料市场规模有望进一步增长。图

35：2016-2021年全球CMP抛光垫市场规模及同比增速资料来源：公众号【集成电路材料创新联合体】，

TECHCET-10%0%10%20%30%40%50%024681012201620192017 2018市场规模（亿美元，左轴）2020 2021同比增速（%，右轴）图

36：2016-2021年中国CMP抛光垫市场规模及同比增速资料来源：公众号【集成电路材料创新联合体】，

TECHCET0%5%10%15%20%25%30%024681012142016201920212017 2018市场规模（亿元，左轴）2020同比增速（%，右轴）367、CMP抛光垫市场竞争格局高度集中CMP抛光垫市场竞争格局高度集中，美国陶氏杜邦公司占据了抛光片市场绝大部分的份额，其他公司包括美国Cabot、日本Fujibo、美国TWI公司等。在产品种类上，

几家国际大公司各有专攻。其中，

陶氏公司可以提供全系列的可定制抛光垫产品，

产品系列包括IC1000™、Ikonic™、Optivision™、Optivision™

PRO、Politex™、Suba™和Visionpad™。Cabot公司主要提供聚氨酯类抛光垫，可定制精确的硬度、孔径、可压缩性和凹槽图案，以满足各种应用的要求，产品系列包括NexPlanar®、MEDEA、Epic™和Epic

Power。日本Fujibo可以提供聚氨酯及无纺布类抛光垫及背垫，主要产品系列包括FP

series、FX

seires、FXA

series、Suede

series。美国TWI公司也可提供不同硬度抛光垫产品，主要系列包括PuRa和WestPad。图

37：2021年CMP抛光垫市场格局资料来源：公众号【集成电路材料创新联合体】，

光大证券研究所37381、AI和晶圆厂扩建驱动半导体材料市场回暖2、硅片：库存去化接近尾声叠加终端需求驱动，硅片行业有望逐步景气回升3、电子特气：贯穿晶圆制造的多个流程，全球市场被欧美日企业占据4、掩膜版：国产替代空间广阔，龙头企业蓄势待发5、光刻胶：逐步推进国产化进程6、湿电子化学品：技术门槛高、资金投入大、产品更新换代快7、

CMP材料：CMP环节仍存在较大国产化空间8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高9、投资建议10、风险分析8、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高超高纯溅射靶材主要用于晶圆制造环节，其为通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系，在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。半导体领域靶材具有多品种、高门槛、定制化的特点，其对于溅射靶材的技术要求高，对金属材料纯度、内部微观结构等均有严苛的标准。近年来半导体芯片的集成度越来越高，半导体芯片尺寸不断缩小，对超高纯溅射靶材提出了新的技术挑战。半导体芯片行业用的金属溅射靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材。金属靶材一般要求超高纯度，杂质占比不能超过0.01%。图38：半导体芯片常用金属靶材图示资料来源：张卫刚等《半导体芯片行业用金属溅射靶材市场分析》398、靶材：半导体制造对溅射靶材金属纯度的要求高超高纯铝及其合金、超高纯钛、超高纯钽以及超高纯铜及铜锰、铜铝合金是目前半导体芯片制造中广泛使用的薄膜材料。在超大规模集成电路芯片领域，这些材料对纯度和性能要求极高。其中，超高纯铝及其合金主要用于配线薄膜，纯度要求达到99.9995%（5N5）以上；超高纯钛及其靶材、环件则应用于130-5nm工艺中，作为阻挡层薄膜材料，以实现更高的集成度；超高纯钽及其靶材、环件是90-3nm先进制程中必需的阻挡层薄膜材料，用于最尖端的芯片制造。此外，超高纯铜及铜锰、铜