第章SEM课件演示教学

电子显微分析1上周课总结：TEM典型图片23透射电镜成像系统的两种基本操作(a)将衍射谱投影到荧光屏(b)将显微像投影到荧光屏4单晶衍射图67SEM89微束分析微束分析(MicrobeamAnalysis)：利用一束细电子束、离子束、光束或粒子束作用于试样产生的各种信息,进行成分、形貌、结构及其他物理和化学特性的分析。束斑大小：微米－纳米。主要功能：成分分析；结构分析；图像分析。主要指标：束班大小、分辨率、空间分辨率、

灵敏度、准确度等。定量分析：微束分析是物理方法，由于物理过程的复杂性，成分定量基本都用标样比较法并进行修正计算。典型微束分析仪器1.

电子束:电子探针(EPMA)；扫描电镜(SEM)；

分析电镜(AEM)；俄歇电子谱(AES)；电子能量损失

谱(EELS)。2.离子微束:离子探针(IMMA)；二次离子质谱(SIMS).3.光子束:显微激光光谱(LMCES),光电子谱(ESCA, XPS).4.粒子束:质子探针(PIXA)EPMA、SEM概述电子探针英文缩写为EPMA或EMA(ElectronprobeX-raymicroanalyser)。扫描电子显微境英文缩写为SEM（ScanningElectronMicroscope）。

这两种仪器是分别发展起来的，但现在EPMA都具有SEM的图像观察、分析功能，SEM也具有EPMA的成分分析功能，这两种仪器的基本构造、分析原理及功能日趋相同。特别是现代能谱仪，英文缩写为EDS（EnergyDispersiveSpectrometer），或者EDX（EnergyDispersiveX-raySpectrometer）与SEM组合时，可以进行综合分析。EPMA、SEM区别EPMA：成分分析，形貌观察。

以成分分析为主。主要用WDS进行元素成分分

析，出射角大、有OM，电流大，有较成熟的

定量方法，所以定量结果准确度高。真空腔体大，成分分析束流大，所以电子光路、

光阑等易污染，图像质量下降速度快，EPMA二

次电子像分辨率约为5nm。SEM：形貌观察，成分分析。图像分辨率高FESEM:1纳米，W灯丝：3纳米EPMA比SEM价格贵2－3倍。发展历史1913年：MOSELY定律定性分析的基础是Moseley关系式:

＝K(Z－σ)（λ＝C/ν）式中ν为元素的特征X射线频率，Z为原子序

数，K与σ均为常数，C为光速。1949年：Castaing博士用TEM改装成电子探针1956年：法国CAMECA公司制成商品1960年：扫描型电子探针问世1965年：SEM问世发展历史70年代后：EPMA与SEM、EDS组合，并用计算

机控制分析过程和进行数据处理。80年代：我国进口组合仪：JCXA-733，EPM-810Q，EPMA－8705QH2…。EDS发展迅速。90年代:EPMA谱仪、试样台移动用滚动代替滑动，编码定位，鼠标控制分析部位。模拟图像发展到数字图像，可进行图像分析及图像处理，照片打印。日本电子公司的JXA－8800、JXA－8100电子探针，日本岛津公司的EPMA－1600电子探针等，均属于这类仪器。新型号的EPMA和SEM的控制面板，已经没有眼花缭乱的各种调节旋钮，完全由屏幕显示，用鼠标进行调节和控制。今后发展向更自动化、操作更方便、更容易、更微区、更微量、功能更多的方向发展。定量结果的准确度会得到提高，特别是对超轻元素(Z<10)的定量分析方法将会逐步完善。近年来已经有人对X射线产生的深度分布函数Φ(ρZ)进行了深入研究，并作了一些修正，在Φ(ρZ)表达式中引进了新的参数，使Φ(ρZ)函数更接近于实际的深度分布，这种称为PRZ的定量修正方法已经取得了较好的结果。对超轻元素，已经有人提出了新的修正函数及新的质量吸收系数，近来英国牛津公司的INCAEnergy能谱仪采用XPP定量分析程序，提高了分析结果的准确度。EPMA、SEM发展现状SEM商品65年问世,分辨率约为25nm,现在分辨率1nm－3nm.日本2000年统计,SEM生产1600台/年.世界SEM厂家近十家。国内96年约1200台EPMA1960年问世。我国从六十年代初开始陆续引进，70年代开始进口EPMA和SEM组合仪，现有100多台，日本超过1500台。世界上生产EPMA的厂家主要有三家：日本电子公司、日本岛津公司和法国的CAMECA公司。1977我国曾试制过EPMA；现只生产SEM。EPMA分析特点微区（1m

－5m）、显微结构分析元素分析范围广：硼(B)——铀(Ｕ）定量准确度高检测极限:

WDS:0.01%左右;EDS:0.1%左右不损坏试样、分析速度快微区离子迁移动力学研究显微结构在显微镜(OM、SEM、TEM等)下观察到的结构称显微结构。EPMA是显微结构分析的主要仪器之一。显微结构记录了材料工艺全过程；是性能表征及材料评价的依据；显微结构所研究的内容十分广泛，包括相组成、相分布、晶粒大小和形态、杂质及缺陷的特征与分布、晶界与相界、断裂特征及断裂方式等。扫描电子显微镜SEM商品是1965年问世，当时分辨率约为25nm。我国1973年开始研制，现已生产出多种型号的SEM。国产机的分辨率和可靠性等方面与进口机器相比，还有一定的差距，现在SEM主要靠进口。据国际标准化组织微束分析技术委员会(ISO/TC202)2000年调查表明，日本每年生产SEM约1600台，国内各种SEM超过1200台。近两年国内买JEOL低真SEM84台。SEM的主要特点一.放大倍率高:可从几十倍放大到几十万倍，连续可调。放大倍率不是越高越好，要根据有效放大倍率和分析试样的需要进行选择。如果放大倍率为M，人眼分辨率约为0.2mm，仪器分辨率为5nm，则有效放大率M＝0.2

106nm

5nm=40000（倍）如果选择高于40000倍的放大倍率，不会增加图像细节，只是虚放大。放大倍率是由分辨率制约，不能盲目看仪器放大倍率指标。二.分辨率高分辨率是指能分辨的两点之间的最小距离。分辨率d可以用贝克公式表示：d=0.61

/nsin

，

为透镜孔径半角，

为照明试样的光波长，n为透镜与试样间介质折射率。举例：对光学显微镜

＝70

－75

，n=1.4。nsin

1.4，而可见光波长：

＝400nm-700nm，所以光学显微镜分辨率d

0.5

，显然d

200nm。正确认识分辨率仪器的分辨率指标不是日常工作能实现的，只是仪器验收指标。拍摄分辨率照片是用碳镀金的特殊试样，拍照时规定一些特殊条件，如放大倍率、电子束电流、加速电压、工作距离等。有时要晚上没有任何振动和干扰情况下进行多次拍照，寻找最好的图像测量分辨率。日常工作无法满足上述的特殊要求。三.电子束波长可调要提高分辨率可以减小照明波长来实现。SEM是用电子束照射试样，电子束是具有波粒二相性，

＝12.26/V0.5，如果V＝20kV时，则

＝0.0085nm。目前用W灯丝的SEM，分辨率已达到3nm-6nm,场发射源SEM分辨率可达到1nm。四.景深大景深大的图像立体感强，对粗糙不平的断口试样观察需要大景深。SEM的景深Δf可以用如下公式表示：

Δf=±式中D为工作距离，α为物镜光阑孔径，M为放大倍率，d为电子束直径。可以看出，长工作距离、小物镜光阑、低放大倍率能得到大景深图像。景深比较一般情况下，SEM景深比TEM大10倍，比光学显微镜（OM）大100倍。10000倍时,TEM的Δf＝1

m，

SEM的Δf＝10

m；100倍时，OM的Δf＝10

m，

SEM的Δf=1000

m。五.保真度试样通常不需要作任何处理即可以直接进行形貌观察，所以不会由于制样原因而产生假象。这对断口的失效分析及贵重试样的分析特别重要。六.试样制备简单试样可以是自然面、断口、块状、粉体、反光及透光光片，对不导电的试样只需蒸镀一层10nm左右的导电膜。另外，现在许多SEM具有图像处理和图像分析功能。有的SEM加入附件后，能进行加热、冷却、拉伸及弯曲等动态过程的观察。仪器构造SEM的构造与EPMA基本相同，但SEM一般都没有WDS，成分分析主要用EDS。主要组成部分：电子光学系统、试样室、计算机、扫描显示系统、真空系统、探测器（EDS,SE,BSE)等。高分辨率图像要小电子束直径，小束流（10－9－10－12A）。SEM的电子枪有不同的结构：钨灯丝（W）、LaB6及场发射电子源。不同电子枪分辨率不同。扫描电镜的成像原理SEM主要用SEI观察形貌。成像过程：首先由电子枪发射电子，在加速电压的作用下，通过会聚透镜、物镜、物镜光栏后，形成直径约几nm的电子束。当电子通过扫描线圈在试样表面扫描时,另一个扫描线圈同步扫描观察图像的CRT，用SEI探测器收集试样每点的二次电子信号，去同步调制CRT对应点的亮度。故CRT观察的图像与试样扫描部位逐点对应。31扫描电镜成像原理中的几个名词解释3233CRT是一种使用阴极射线管(CathodeRayTube)的显示器扫描线圈

其作用是提供入射电子束在样品表面上以及阴极射线管内电子束在荧光屏上的同步扫描信号。改变入射电子束在样品表面扫描振幅，以获得所需放大倍率的扫描像。扫描线圈试扫描点晶的一个重要组件，它一般放在最后二透镜之间，也有的放在末级透镜的空间内。34二次电子是指被入射电子轰击出来的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，当原子的核外电子从入射电子获得了大于相应的结合能的能量后，可脱离原子成为自由电子。如果这种散射过程发生在比较接近样品表层处，那些能量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子，即二次电子。二次电子来自表面5-10nm的区域，能量为0-50eV。它对试样表面状态非常敏感，能有效地显示试样表面的微观形貌。由于它发自试样表层，入射电子还没有被多次反射，因此产生二次电子的面积与入射电子的照射面积没有多大区别，所以二次电子的分辨率较高，一般可达到5-10nm。扫描电镜的分辨率一般就是二次电子分辨率。35扫描电镜分析原理SE发射强度与入射角的关系SE的发射量与试样表面的几何状态有关，入射电子束与试样表面法线的夹角越大，二次电子的发射强度越高：I＝K/cosθ二次电子能量低，从试样表面逸出的深度为5nm－10nm。如果产生二次电子的深度为x，逸出表面的最短距离则为xcosθ（图c），显然，大θ角会有更多的二次电子逸出表面。观察比较平坦的试样表面时，如果倾斜一定的角度，会得到更好的二次电子图像衬度。SE的产额δ（SE电流Is与入射电子电流I之比）还与入射电子束的能量有关，即和加速电压有关。不同加速电压和不同入射角的二次电子产额δ不同。当能量等于某电压（V1或V2）时，SE产额δ等于1，即入射电子电流Ip等于发射的二次电子电流Is。能量在V1和V2之间，二次电子产额δ大于1。如果加速电压在V1和V2之间观察不导电试样，也不会产生试样放电现象。入射电子能量与SE产额的关系SE产额与加速电压的关系入射电子的能量增加，激发试样中原子产生的SE概率也增加。然而，当入射电子能量超过一定值时，电子在试样中穿透的深度增加，深层电子要逸出试样表面需要较高能量。由于SE能量小于50eV，大于10nm的深度内产生的二次电子不能逸出试样表面，所以SE产额δ反而减少。

V1和V2的大小与试样中元素组成及电子束入射角有关，V1约为0.4keV－0.8keV，V2约为1keV－4keV。各元素的二次电子产额δ与入射电子能量关系曲线形状基本相同

典型元素入射电子能量与SE产额的关系高加速电压下SE产额低背散射电子特点背散射电子是指入射电子与试样相互作用(弹性和非弹性散射)之后，再次逸出试样表面的高能电子，其能量接近于入射电子能量(E。)。背散射电子的产额随试样的原子序数增大而增加，IZ2/3-3/4。所以，背散射电子信号的强度与试样的化学组成有关，即与组成试样的各元素平均原子序数有关。分辨率不如SEI背散射电子与二次电子的差别BE、SE的信号强度与Z的关系背散射电子成分像的主要用途：1、观察单晶表面生长条纹和生长台阶。2、观察不腐蚀样品的抛光面元素及相分布,确定定性和定量分析点。3、析出相的观察与分析。4、导电性差的试样形貌观察：BEI优于SEI。生长台阶的BEI和SEI背散射电子的强度还与试样中的晶面取向及入射电子的入射方向有关。利用这种特性可以观察单晶和大晶体颗粒的生长台阶和生长条纹。生长台阶和生长条纹的高差一般都很小，但背射电子像已有明显衬度。例如单晶β—Al2O3生长台阶的背散射电子像表面清楚。如果用二次电子像观察这类易产生污染的材料，不但台阶衬度小，而且图像出现许多黑色污染斑。生长台阶的BEIβ—Al2O3β—Al2O3生长台阶SEI及污斑ZrO2背散射电子成分像AlX射线像MgX射线像

场发射SEM及低真空SEM场发射扫描电镜的分辨率已达到1nm，日常使用的放大倍率可超过100，000倍。低真空扫描电镜和环境扫描电镜也逐渐扩大了应用。由于半导体工业的发展及纳米材料研究的兴起，场发射扫描电镜的用户也在增加。JEOL1999年底推出的JSM－6700F场发射扫描电镜，据说第一年就卖出150多台，国内已有6台。现在国内有JEOL的场发射扫描电镜16台。JSM－7500F场发射扫描电镜四川大学分析测试中心FESEM主要性能指标:加速电压：0.1kV-30kV；

分辨率:1.0nm(15kV),1.4nm(1kV)；

放大倍数:x25-x800,000；55

仪器使用范围:

广泛应用于复合材料、陶瓷材料、金属材料、高分子材料、生物材料、电子材料、薄膜材料等微观形貌分析及其成份分析。是研究各种材料的超显微结构与性能关系所不可缺少的工具。

56仪器功能和附件:该电镜是一款超高分辨率的场发射扫描电镜，设备完全数字化，多用户界面、控制板面、各个功能模式切换灵活。本中心为该仪器配备了可抽拉式背散射电子探头、EDS等附件，可以获得二次电子像、背散射电子像以及两者的混合像，能够结合形貌像进行点、线、面的微区能谱分析。本中心的扫描电子显微镜实验室还配备了相关的制样设备，如英国Quorum离子溅射仪、临界点干燥仪等，可以对不导电样品进行喷金、喷碳处理，对含水样品（如生物样品）进行干燥处理。该仪器可用于微观形貌分析,包含表面形貌分析，断口形貌分析，相结构分析，粉末样品粒径分析，镀层厚度分析，剖析样品分析等。

场发射扫描电镜当金属、氧化物、硼化物等加热到高温时，能发射热电子。另外，当金属、氧化物、硼化物有细的尖端时，尖端表面在强的电场作用下也能发射电子。用强电场使上述材料发射电子的原理，可以制造高亮度的TEM或SEM的电子枪，称场发射电子枪。九十年代SEM开始采用场发射电子枪，称这种SEM为场发射扫描电镜（FieldEmissionScanningElectronMicroscope:FESEM)冷场发射和热场发射场发射SEM分冷场发射和热场（肖特基）发射。冷场发射是阴极温度在室温，热场发射阴极要加热到约1500℃。热场W阴极单晶尖端为<111>取向，表面有一层氧化锆，以降低电子发射的功函数。冷场发射的W单晶是<310>取向，<310>取向的逸出功最小（4.2eV）。场发射电子枪FESEM是利用一个W单晶作电子枪发射体，称电子枪阴极，其曲率半径为10nm-100nm左右，在靠近W单晶的尖端用强电场使阴极尖端发射电子。电子的发射量依赖于阴极表面的功函数。当冷场FESEM电子枪的气体分子在阴极表面吸附时，由于功函数的变化，电子发射量逐渐减小。Flash(冷场）在强电场作用下，大量电离的气体离子轰击阴极表面使其变得粗糙，最终导致阴极的损坏。为了清洁和光滑粗糙的阴极表面，需要周期性短时间加热阴极表面来实现，该过程称“flash”。计算机程序可以定期自动“flash”。场发射电子枪的结构场发射电子枪可以获得高分辨率图像，但需要超高真空度。电子枪的W阴极为负电位，第一阳极也称取出电极，比阴极正几千伏，以吸引电子，第二阳极为零电位，以加速电子并形成约10nm的电子源直径。FESEM分辨率高的主要原因电子源（灯丝）亮度高。电磁透镜的像差(C

S，CC)小。

SEM的分辨率，与入射到试样上的电子束直径密切相关，电子束直径越小，分辨率越高。最小的电子束直径D由如下所示：

D2＝C

S2α6+CC2α2（△V/VACC）2+0.4*I/Bα2式中C

S为球差，CC为色差，△V/VACC为电子的能量

扩展，I是电子束电流，B是电子光源亮度，α是聚

焦的电子束张角。球差C

S

与色差CC球差C

S:

电子在电磁透镜磁场中，近光轴电子与远光

轴电子受到的折射程度不同而引起。可以通

过透镜设计减小。色差CC：

由于电子能量不同，经过电磁透镜后焦点

发生变化产生。强励磁锥形电磁透镜JEOL公司用强励磁锥形电磁透镜，特别是物镜，可以明显减小像差，提高分辨率。一般情况下，物镜励磁越强，焦距越短，球差C

S越小。W灯丝电子枪一般SEM用的电子源为W丝，W灯丝发射电子效率较低，要达到实用的电流密度，要用较大的W丝发射面积，一般W灯丝电子源直径（交叉点）为1000nm－2000nm，这样大的W灯丝电子源直径，很难提高分辨率。要保证有足够的电流强度，又保证有较小电子束直径，可以采用高亮度电子枪来解决。用LaB6灯丝和场发射电子源能提高电子枪亮度。LaB6灯丝亮度比W丝提高十倍，而场发射电子枪可提高三个数量级（500－1000倍）。由于冷场发射的电子源亮度、灯丝寿命、电子束直径、发射电流密度、能量扩展均优于热场发射，分辨率略高于热场发射SEM。热场发射的SEM优点是发射电流大，工作电流稳定，可以连续工作，一般半导体工厂在线检测都用热场发射SEM。冷场发射SEM电流稳定度较差(约8h要frash一次)、束流较小，并且束流随时间逐渐减小，如果没有电流补偿，对EDS元素定量分析准确度和长时间采集X射线面分布等信息时，有一定的影响。近来冷场发射SEM性能已经得到改善，已经可以满足EDS定性、定量分析的要求。冷场发射SEM在高校和科研单位应用较多。FESEM的主要特点FESEM的主要特点是分辨率高，并可在低加速电压下观察不导电试样，例如陶瓷、生物及有机物等试样。不同工作距离（W.D）、不同加速电压时，分辨率也不同。例如，日本电子公司的JSM－6700F冷场发射扫描电镜，在加速电压15kV,工作距离（W.D）3mm时，二次电子像分辨率为1nm。SEI分辨率1纳米照片300000×在1kV低加速电压下，工作距离1.5mm时，二次电子像分辨率为2.2nm。对EDS分析的工作距离(W.D=15mm)，加速电压30kV时，二次电子像分辨率可达到1.5mm。加速电压15kV,工作距离8mm时，背散射电子像分辨率为3nm，而目前最好的W丝SEM二次电子像分辨率约为3nm（30kV）。FESEM的应用由于纳米材料研究的兴起，以及对材料显微结构研究的深入，FESEM的应用范围越来越广。现在纳米材料（陶瓷、金属及有机物）、纳米粉体、介孔材料、纳米涂层、碳纳米管、薄膜材料、半导体芯片线宽测量等领域已得到了广泛应用。即使一般材料研究，要得到更多显微结构信息的高分辨率照片，也需要场发射SEM。FESEM真空度要求FESEM的电子枪真空度要求高（10－8Pa）。JSM-6700F场发射SEM有三台离子泵，两台油扩散泵和一台机械泵抽真空。离子泵需连续运转，不能停电，为了防止停电破坏真空度，一般配有不间断电源(UPS)。场发射SEM易受环境振动和杂散磁场干扰的影响。低真空扫描电镜

低真空SEM（LowVacuumSEM:LVSEM）真空度通常大于1330Pa。它可以直接观察含水和非导电试样。例如含水矿物，生物材料等。低真空的试样室的残余气体分子，在与入射电子碰撞时，部分电子会被散射掉。例如，当试样室真空度在40Pa－66Pa时，约有10％－20％的电子被散射掉。环境扫描电镜电子与气体分子碰撞时，会产生正离子和电子，正离子被试样表面吸引并中和试样表面积累的电荷，电子飞向探测器。试样室真空度大于2660Pa的SEM.称环境扫描电镜（EnvironmentalSEM:ESEM）,通常通气体或者喷水来保持低真空度，环境SEM更适合于观察不稳定试样和含水试样。SEM条件与图像质量的关系要得到质量好的SEM图像，不但要保证仪器稳定、电子光学系统合轴良好，还要选择合适的工作条件。例如，加速电压、聚光镜励磁电流、物镜光阑孔径、工作距离、及试样倾斜角度等。扫描电镜操作条件与图像质量关系高加速电压对图像影响加速电压升高：图像包括较深层信息损失图像表面细节，5kV比25kV表面细节明显清楚。增加边缘效应增加放电可能性可能损伤试样提高分辨率观察条件聚光镜励磁电流强，电子束直径小，图像分辨率高，但信噪比低，不利于图像清晰和平滑，要选择适当的励磁电流；物镜光阑孔径小，束流小，分辨率高，景深大，信噪比小，在低倍率下观察粗糙表面时，可选用小物镜光阑，对衬度低的试样用大物镜光阑可以增强信噪比；短工作距离能获得高分辨率，但景深变小，拍摄高分辨率图像要用短工作距离；试样倾斜角大，图像信号强，有立体感，可以减少导电性差的试样表面放电现象。总之，要得到高质量的图像，需综合各种因素选择合适的工作条件，放大倍率要根据试样情况选择，不能片面追求高放大倍率。污染电子束长时间照射某一区域时，照射区域会发黑，称表面污染。由残余气体分解产生。气体是仪器本身残余气体、油蒸汽；试样交换时带入；试样表面污染、放气；导电胶或者导电胶带放出；电子束照射嵌镶试样的环氧树脂产生分解物。黑色污染区图像对比度、亮度X射线谱仪X射线谱仪的性能，直接影响到元素分析的灵敏度和分辨本领，它的作用是测量电子与试样相互作用产生的X射线波长和强度。谱仪分为二类:一类是波谱仪(WDS)，一类是能谱仪(EDS)。85X射线能谱仪（EDS)EDS生产厂英国牛津公司美国NORAN公司美国PGTEDAX日本电子公司美国KEVEXEDS生产厂家分析的基本原理SEM是用聚焦得很细的电子束照射被检测的试样表面，用X射线能谱仪或波谱仪，测量电子与试样相互作用所产生的特征X射线的波长与强度，从而对微小区域所含元素进行定性或定量分析，并可以用二次电子或背散射电子等进行形貌观察。它们是现代固体材料微区成份、形貌和结构分析的最有用仪器之一，应用十分广泛。特征X射线产生高能电子入射到试样时，试样中元素的原子内壳层(如K、L壳层)电子将被激发到较高能量的外壳层，如L或M层，或直接将内壳层电子激发到原子外，使该原子系统的能量升高——激发态，原子较外层电子将迅速跃迁到有空位的内壳层，以填补空位降低原子系统的总能量，并以特征X射线或Auger电子的方式释放出多余的能量。如果原子的K层电子被激发，L3层电子向K层跃迁，所产生的特征X射线称Kα1，M层电子向K层跃迁产生的X射线称Kβ。特征X射线能级图X射线产生原理2n2元素与特征X射线波长关系电子探针和扫描电镜用WDS或EDS的定性和定量分析时，就是利用电子束轰击试样所产生的特征X射线。每一个元素都有一个特征X射线波长与之对应：√

＝K(Z－σ)。电子束加速电压V0＝（2—3）×Ve时，产生的特征X射线强度最高，根据所分析的元素不同，V0通常用10kV－30kV。特征X射线名称对应于不同壳层电子的跃迁。定性分析的基本原理用波谱或能谱，测量入射电子与试样相互作用产生的特征X射线波长与强度，从而对试样中元素进行定性、定量分析。定性分析的基础是Moseley关系式:

＝K(Z－σ)（λ＝C/ν）式中ν为元素的特征X射线频率，Z为原子序

数，K与σ均为常数，C为光速。λ＝

组成试样的元素(对应的原子序数Z)与它产生的特征X射线波长(λ)有单值关系，即每一种元素都有一个特定波长的特征X射线与之相对应，它不随入射电子的能量而变化。如果用X射线波谱仪测量电子激发试样所产生的特征X射线波长的种类，即可确定试样中所存在元素的种类。当σ≈1时，λ与Z的关系式可写成:（Å)

EDS定性分析原理能谱定性分析主要是根据不同元素之间的特征X射线能量不