模拟电子技术考试

模拟电子技术考试一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结正偏。正确答案：B2.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。()A、错误B、正确;正确答案：A3.共发射极放大电路的反馈元件是（）。A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。正确答案：B4.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。正确答案：B5.场效应管的g极是它的()。A、源极B、漏极C、栅极D、发射极正确答案：C6.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、克服交越失真B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、提高输入电阻正确答案：B7.P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、四价B、六价C、三价D、五价正确答案：C8.晶体三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。正确答案：C9.输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。（）A、对:B、错正确答案：A10.MOS管形成导电沟道时，总是有两种载流子同时参与导电。（）A、错B、对:正确答案：A11.基本放大电路中的主要放大对象是()。A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。正确答案：B12.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B13.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、少子扩散B、多子漂移C、多子扩散D、少子漂移正确答案：C14.稳压二极管的正常工作状态是()。A、任意状态B、截止状态C、反向击穿状态D、导通状态正确答案：C15.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）A、对:B、错正确答案：B16.NPN型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。A、发射结反偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结反偏正确答案：D17.放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（）A、错B、对:正确答案：B18.放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。()A、错误B、正确;正确答案：B19.差动放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。（）A、对:B、错正确答案：A20.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。A、正确;B、错误正确答案：B21.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。A、放大电路的电压增益B、不失真问题C、管子的工作效率正确答案：B22.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）A、错B、对:正确答案：B23.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为（）失真。A、饱和B、频率C、交越D、截止正确答案：A24.P型半导体中多数载流子是______。A、空穴B、PN结C、自由电子正确答案：A25.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。A、截止B、饱和C、交越D、频率正确答案：A26.射极输出器是典型的（）。A、电压并联负反馈；B、电流串联负反馈；C、电压串联负反馈。正确答案：C27.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。A、错误B、正确;正确答案：A28.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共基放大电路B、共射放大电路C、共漏放大电路D、共集电放大电路正确答案：B29.共集放大电路的特点是()A、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大B、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大C、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小正确答案：C30.差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、对:B、错正确答案：A31.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B32.分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）。A、虚地；B、虚短；C、虚断。正确答案：B33.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、带负载能力差;B、带负载能力强;C、减轻前级或信号源负荷。正确答案：B34.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是（）A、稳定放大倍数B、克服交越失真C、提高输入电阻D、克服温漂正确答案：D35.稳压二极管的正常工作状态是()。A、导通状态;B、反向击穿状态;C、截止状态;D、任意状态。正确答案：B36.集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（）A、错B、对:正确答案：A37.P型半导体中的多数载流子是()A、自由电子B、负离子C、正离子D、空穴正确答案：D38.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是A、ie=(1+β)*icB、ie=(1+β)*ibC、ic=β*ie正确答案：B39.若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结正偏。B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结反偏；D、发射结正偏、集电结反偏；正确答案：D40.分压式偏置的共射放大电路，若VB点电位偏高，电路易出现（）。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：B41.射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）A、减轻前级或信号源负荷。B、带负载能力差；C、带负载能力强；正确答案：C42.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是()A、克服温漂B、克服交越失真C、稳定放大倍数D、提高输入电阻正确答案：A43.本征半导体中掺入五价杂质元素后，生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。（）A、对:B、错正确答案：A44.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D45.射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（）A、对:B、错正确答案：A46.为了抑制2kHz以下的信号，应采用（）电路。A、低通B、带通C、带阻D、高通正确答案：D47.当反馈深度|1+AF|=0时,放大电路()A、出现深度负反馈B、出现正反馈C、出现负反馈D、出现自激振荡正确答案：D48.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。（）A、错B、对:正确答案：A49.双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。A、错误B、正确;正确答案：A50.普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()A、正确;B、错误正确答案：B51.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正确答案：C52.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（）A、对:B、错正确答案：B53.国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。A、圆壳式；B、扁平式；C、双列直插式。正确答案：C54.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的（）在漏源极之间电场作用下形成的。A、电子和空穴。B、电子；C、空穴；正确答案：B55.场效应管的极是它的()。A、源极B、发射极C、漏极D、栅极正确答案：D56.晶体三极管的B极是它的()。A、基极B、集电极C、发射极D、栅极正确答案：A57.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()A、错误B、正确;正确答案：B58.PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结反偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏正确答案：C59.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、饱和失真B、截止失真C、晶体管被烧损正确答案：A60.测得NPN三极管各电极对地电压分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则该管必工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A61.放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。()A、正确;B、错误正确答案：B62.(填空题)基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近____。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区：正确答案：B63.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。（）A、对:B、错正确答案：B64.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。A、错误B、正确;正确答案：A65.理想集成运放的开环放大倍数Au0为（）。A、∞；B、0；C、不定。正确答案：A66.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于()A、50B、60C、61D、100正确答案：B67.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()A、可防止交越失真的产生B、集成工艺难于制造大容量电容C、可获得很大的放大倍数D、可最大限度的减小零点漂移正确答案：B68.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案：A69.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）A、对:B、错正确答案：B70.N型半导体中的少数载流子是()A、负离子B、自由电子C、空穴D、正离子正确答案：C71.晶体三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数。正确答案：C72.绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较小；B、为零；C、较大；D、无法判断。正确答案：B73.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是()A、共射放大电路B、共基放大电路C、射极输出器D、共集电放大电路正确答案：A74.N型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、六价B、五价C、三价D、四价正确答案：B75.双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电压控制的电压源C、电流控制的电流源D、电压控制的电流源正确答案：C76.集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、变压器耦合C、阻容耦合D、直接耦合正确答案：D77.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A、可防止交越失真的产生B、集成工艺难于制造大容量电容C、可获得很大的放大倍数D、可最大限度的减小零点漂移正确答案：B78.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。（）A、错B、对:正确答案：A79.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共集放大电路B、共基放大电路C、共漏放大电路D、共射放大电路正确答案：D80.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。A、虚断和虚地B、虚短和虚地C、线性和非线性D、虚短和虚断正确答案：D81.射极输出器的特点是（）A、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：D82.因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、饱和失真D、频率失真正确答案：D83.N型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、四价;B、三价;C、六价。D、五价;正确答案：D84.射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（）A、对:B、错正确答案：B85.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。()A、正确;B、错误正确答案：A86.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、对:B、错正确答案：A87.PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。A、多子漂移。B、多子扩散；C、少子扩散；D、少子漂移；正确答案：B88.理想集成运放的两个重要结论是（）。A、断路与短路。B、虚断与虚短；C、虚短与虚地；正确答案：B89.双极型三极管的输出特性曲线上可分为（）A、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区B、恒流区、放大区和截止区三个分区C、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区D、放大区、饱和区和截止区三个分区正确答案：D90.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()A、正确;B、错误正确答案：B91.场效应管是一种（）A、电压控制的电流源B、电压控制的电压源C、电流控制的电流源D、电流控制的电压源正确答案：A92.三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放