模拟电子技术习题与参考答案

模拟电子技术习题与参考答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.双极型三极管的输出特性曲线上可分为（）A、恒流区、放大区和截止区三个分区B、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区C、放大区、饱和区和截止区三个分区D、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区正确答案：C2.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（）A、错B、对:正确答案：A3.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。A、虚断和虚地B、虚短和虚地C、线性和非线性D、虚短和虚断正确答案：D4.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现顶削波时的失真为（）失真。A、频率B、截止C、饱和D、交越正确答案：B5.N型半导体中多数载流子是_____。A、PN结B、空穴C、自由电子正确答案：C6.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。正确答案：B7.放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。（）A、对:B、错正确答案：B8.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的（）在漏源极之间电场作用下形成的。A、电子和空穴。B、电子；C、空穴；正确答案：B9.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B10.虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（）A、对:B、错正确答案：A11.若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结正偏。正确答案：A12.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。（）A、对:B、错正确答案：B13.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A14.P型半导体中的多数载流子是()A、负离子B、空穴C、自由电子D、正离子正确答案：B15.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。正确答案：B16.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、少子漂移B、少子扩散C、多子扩散D、多子漂移正确答案：C17.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为（）失真。A、截止B、频率C、交越D、饱和正确答案：D18.NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、错B、对:正确答案：A19.N型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、六价。B、四价;C、三价;D、五价;正确答案：D20.集成运放的非线性应用存在()现象。A、虚地;B、虚断和虚短。C、虚断;正确答案：C21.本征半导体中掺入五价杂质元素后，生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。（）A、错B、对:正确答案：B22.集成运放工作在非线性应用电路时，（）的概念不再适用。A、虚断B、虚地C、虚短D、基准正确答案：C23.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。A、频率B、截止C、交越D、饱和正确答案：B24.如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是()信号。A、共模B、模拟C、差模正确答案：A25.差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()A、错误B、正确;正确答案：B26.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。A、等腰三角波；B、矩形方波；C、仍为正弦波。D、正弦半波；正确答案：D27.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是（）。A、稳压二极管B、变容二极管C、发光二极管D、光电二极管正确答案：A28.输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。（）A、对:B、错正确答案：A29.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）A、对:B、错正确答案：B30.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A、集成工艺难于制造大容量电容B、可防止交越失真的产生C、可获得很大的放大倍数D、可最大限度的减小零点漂移正确答案：A31.晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）A、对:B、错正确答案：B32.当信号频率等于放大电路的下限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的()A、0.9B、0.5C、0.707D、0.4正确答案：C33.测得NPN三极管各电极对地电压分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则该管必工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A34.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是A、ic=β*ieB、ie=(1+β)*ibC、ie=(1+β)*ic正确答案：B35.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（）A、对:B、错正确答案：B36.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是()A、提高输入电阻B、克服温漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B37.理想集成运放的两个重要结论是()。A、虚断与虚短;B、虚短与虚地;C、断路与短路。正确答案：A38.晶体三极管的极是它的()。A、发射极B、栅极C、集电极D、基极正确答案：A39.N型半导体中的多数载流子是()A、自由电子B、正离子C、空穴D、负离子正确答案：A40.共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。（）A、对:B、错正确答案：B41.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、少子漂移;B、多子漂移。C、多子扩散;D、少子扩散;正确答案：C42.若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。A、正确;B、错误正确答案：A43.P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、三价B、四价C、六价D、五价正确答案：A44.射极输出器的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大C、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小正确答案：A45.集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。（）A、错B、对:正确答案：B46.因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、截止失真B、频率失真C、交越失真D、饱和失真正确答案：B47.PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结反偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结正偏、集电结正偏正确答案：B48.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。()A、错误B、正确;正确答案：A49.晶体三极管的B极是它的()。A、基极B、集电极C、发射极D、栅极正确答案：A50.差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、对:B、错正确答案：A51.共发射极放大电路的反馈元件是()。A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。正确答案：B52.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。A、正确;B、错误正确答案：B53.分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）。A、虚地；B、虚断。C、虚短；正确答案：C54.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。A、错误B、正确;正确答案：A55.场效应管的极是它的()。A、发射极B、源极C、漏极D、栅极正确答案：D56.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（）A、错B、对:正确答案：B57.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。正确答案：C58.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、Ie=βIbB、Ic=βIbC、I=βIb正确答案：B59.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。A、管子的工作效率。B、不失真问题；C、放大电路的电压增益；正确答案：B60.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、减轻前级或信号源负荷。B、带负载能力强;C、带负载能力差;正确答案：B61.射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（）A、错B、对:正确答案：A62.放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。()A、正确;B、错误正确答案：B63.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是()。A、虚地;B、虚断。C、虚短;正确答案：C64.共集放大电路的特点是()A、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大C、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小正确答案：B65.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。A、正反馈与负反馈；B、虚断和虚短。C、线性与非线性；正确答案：C66.微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()A、正确;B、错误正确答案：B67.基极电流iB的数值较小时,易引起静态工作点Q接近()。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区正确答案：A68.基本放大电路中的主要放大对象是（）。A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。正确答案：B69.为了抑制2kHz以下的信号，应采用（）电路。A、低通B、带阻C、高通D、带通正确答案：C70.在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体。A、四价B、五价C、三价正确答案：B71.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是（）A、克服温漂B、克服交越失真C、提高输入电阻D、稳定放大倍数正确答案：A72.晶体三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。正确答案：C73.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。正确答案：A74.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、错B、对:正确答案：B75.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。()A、错误B、正确;正确答案：A76.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()A、可防止交越失真的产生B、集成工艺难于制造大容量电容C、可获得很大的放大倍数D、可最大限度的减小零点漂移正确答案：B77.分压式偏置的共射放大电路,若VB点电位偏低,电路易出现()。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：A78.理想集成运放的输出电阻为（）。A、∞；B、0；C、不定。正确答案：B79.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。A、正弦半波B、等腰三角波C、仍为正弦波D、矩形方波正确答案：A80.基本放大电路通常都存在零点漂移现象。()A、正确;B、错误正确答案：A81.集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（）A、错B、对:正确答案：A82.如果两个信号,它们的大小相等,相位相反,则它们是()信号。A、共模B、模拟C、差模正确答案：C83.放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。()A、错误B、正确;正确答案：B84.差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。A、正确;B、错误正确答案：A85.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（）A、对:B、错正确答案：B86.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、饱和失真B、截止失真C、晶体管被烧损正确答案：A87.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）A、错B、对:正确答案：A88.PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。A、发射结反偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏正确答案：C89.稳压二极管的正常工作状态是()。A、反向击穿状态;B、导通状态;C、任意状态。D、截止状态;正确答案：A90.二极管的伏安特性曲线上可分为()A、恒流区、可变电阻区和截止区三个分区B、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区C、恒流区、放大区和截止区三个分区D、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区正确答案：B91.稳压二极管的正常工作状态是（）。A、导通状态；B、反向击穿状态；C、任意状态。D、截止状态；正确答案：B92.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正确答案：C93.基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。A、截止区；B、饱和区；C、死区。正确答案：B94.普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()A、正确;B、错误正确答案：B95.射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（）A、错B、对:正确答案：B96.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。()A、错误B、正确;正确答案：A97.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。A、错误B、正确;正确答案：B98.理想集成运放的两个重要结论是（）。A、虚短