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文档简介
第一章测试1【推断题】(10分)集成电路,又简写为IC,其英文全称为IntegratedCircutA.对B.错2【推断题】(10分)跟数字集成电路设计一样,目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。A.对B.错3【推断题】(10分)模拟电路很多效应的建模和仿真照旧存在问题,模拟设计需要设计者利用阅历和直觉来分析仿真结果A.错B.对4【推断题】(10分)模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进展折衷A.对B.错5【推断题】(10分)CMOS SOC设计的主流制造技术。A.对B.错6【推断题】(10分)MOSFET 的特征尺寸越来越小,本征速度越来越快〔已可与双极器件相比较〕,现在几GHz~几十GHz的CMOS 模拟集成电路已经可批量生产。A.对B.错7【推断题】(10分)相对于数字电路来说,模拟集成电路的设计更加根底,更加灵敏。A.对B.错8【单项选择题】(10分)片上系统,又称SOC,其英文全称是:A.SystemonChipB.SystemOperationsCenterC.SystemofcomputerD.Separationofconcerns9【单项选择题】(10分)互补金属氧化物半导体,英文简称CMOS,其英文全称为:A.ComplementaryMetalOxideSystemB.CargoMachineOfSemiconductorC.ComplementaryMetalOxideSemiconductorD.ComplementaryMachineOfSemiconductor10【单项选择题】(10分)模拟数字转换器英文简称ADC,英文全称为:A.Analog-to-DestinationConverterB.AmbulancetoDigitalConverterC.AmbulancetoDestinationConverterD.Analog-to-DigitalConverter其次章测试1【推断题】(10分)MOS器件的源端和漏端不行以共用,不行以互换。A.对B.错2【推断题】(10分)假设一个电路的最高电压是 ,最低电压是 ,那么NMOS 器件的衬底应当接 。A.错B.对3【推断题】(10分)MOS器件的源漏是对称的,这告知我们要依据实际集成电路的状况来推断电路的源极和漏极。A.对B.错4【单项选择题】(10分)MOS幅员说法不正确的选项是〔〕A.栅极的接触孔应当开在沟道区外B.幅员中栅极的接触孔可以开在沟道区里C.L的最小值由工艺打算D.源结和漏结的一个尺寸等于W,另外一个尺寸要满足接触孔的需要,并且要满足设计规章5【单项选择题】(10分)以下关于阈值电压的说法,不正确的选项是〔〕A.当 时,NMOS器件导通B.在器件制造过程中,可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压C.假设 ,则NMOS器件关断D.NFETp型衬底的多子浓度时的栅源电压6【多项选择题】(10分)以下关于NMOS 器件的伏安特性说法正确的选项是〔〕A.当 , 时,NMOS 器件工作在饱和区B.当 时,且 时,NMOS器件工作在深线性区C.当 ,并且 NMOS器件工作在线性区D.当 时,NMOS器件工作在截止区7【多项选择题】(10分)以下对器件尺寸参数描述正确的有〔〕A.90nm90nm是指器件的最小沟道长度LB.90nm90nm是指器件的栅氧化层的厚度toxC.W是器件的宽度D.tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺打算8【多项选择题】(10分)以下关于体效应的说法,正确的选项是〔〕A.源电压相对于衬底电势体效应。B.
发生转变,使得源衬电势差 不为0,就会产生转变衬底电势 可能会产生体效应。C.不转变衬底电势 也可能会产生体效应。D.体效应导致设计参数简洁,模拟集成电路设计往往不期望其存在,但也有利用体效应的电路。9【多项选择题】(10分)以下关于亚阈值导电特性的说法正确的选项是〔〕A.MOS管 由0增大到大于阈值电压 ,经受截止--弱反型--强反型,这是一个渐进的过程,故当 时,仍有 存在B.亚阈值区的跨导比饱和区〔强反型区〕跨导大,有利于实现大的放大倍数C.当 时,漏极电流 以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息的丧失D.MOS管亚阈值电流 一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计10【多项选择题】(10分)MOS模型的说法正确的有〔〕A.MOSA.MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数B.I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立C.当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算D.MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响1【多项选择题】(10分)以下关于放大的说法,正确的选项是〔〕A.放大不能为数字电路供给规律电平。B.放大在反响系统中起着重要作用。C.我们放大一个模拟或数字信号是由于这个信号太小而不能驱动负载,或者不能抑制后继的噪声D.在大多数模拟电路和很多数字电路中,放大是一个根本功能。2第三章测试【多项选择题】(10分)以下关于小信号的说法,正确的选项是〔〕A.小信号使电路偏置点受到的扰动可无视不记B.MOSVGSVTH=0.5V,则|vgs(t|0.5VC.假设小信号变化幅度过大,则会影响直流偏置点,需用大信号分析D.一般小信号是沟通信号3【多项选择题】(10分)以电阻 为负载的共源极电路的小信号增益的表达式有〔〕A.B.C.D.4【多项选择题】(10分)对于以电阻 为负载、以一个NMOS 器件为主放大管的共源极电路,增大其小信号增益的措施有〔〕A.NMOS器件的漏极电流B.减小NMOS器件 的宽长比W/LC.增大电阻 上的电压D.增大NMOS器件 的宽长比W/L5【推断题】(10分)图中的 被偏置在饱和区,则电路的小信号电压增益,说明使用电流源作负载可提高增益。A.错B.对6【多项选择题】(10分)关于二极管连接的MOS器件的说法正确的有〔〕A.PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关,与偏置电流无关,即输入与输出呈线性B.AV越大,最Voutmax越小C.MOSNMOSPMOS管均工作在饱和区D.MOSMOS器件的栅极和源极短接,起到小信号电阻的作用7【多项选择题】(10分)以下关于源极跟随器的说法正确的有〔〕A.源极跟随器可用来构成电平位移电路B.源极跟随器的C.相对于共源级电路来说,源极跟随器增益很大,输出阻抗很高D.8【多项选择题】(10分)以下关于共栅放大器的说法正确的有〔〕A.常同共源级联合构成共源共栅放大器,用于高速运放的差分输入放大级B.其增益与共源级放大电路增益一样C.输出阻抗高,可用于提高增益和构成高性能恒流源D.输入阻抗与 有关,有阻抗变换特性9【单项选择题】(10分)如图(a)(b)(c个电路,假设电路中ID相等,输出阻抗最大的是〔〕A.三个电路的输出阻抗一样B.图(b)C.图(a)D.图(c)10【多项选择题】(10分)关于共源共栅电路以下说法正确的有〔〕A.共源共栅电流源可近似代替抱负恒流源B.共源共栅构造具有屏蔽特性C.C.共源共栅构造具有高输出摆幅D.共源共栅构造具有高输出阻抗特性第四章测试1【多项选择题】(10分)以下关于差动放大电路的描述正确的选项是A.差动模式使电路的偏置电路更简洁,输出线性度更高B.差动电路增大了输出电压摆幅C.差动电路相对于单端电路,其芯片面积和功耗有所增加D.差动电路能有效抑制共模噪声2【多项选择题】(10分)对于差分放大电路,以下说法正确的选项是A.输入共模电平越大,允许输出的输出摆幅就越大。B.输入共模电平越大,利于实现高增益C.输入共模电平越小,输出摆幅越大,利于实现高增益D.输入共模电平越大,允许输出的输出摆幅就越小。3【推断题】(10分)抱负差分只放大输入信号的差模局部,不放大共模局部对错4【单项选择题】(10分)差分放大电路如图,输出端的电压范围为〔〕image.pngA.image.pngB.image.pngC.image.pngD.image.png5【多项选择题】(10分)如图电路,以下说法正确的选项是〔〕image.pngA.当足够负时,截止B.当足够负时,导通C.D.当时,小信号增益(即斜率)最大,线性度最好6【单项选择题】(10分)如图电路完全对称,考虑沟道长度调制效应后,其差模小信号增益为〔〕image.pngA.image.pngB.image.pngC.image.pngD.image.png7【多项选择题】(10分)关于差分信号和差分放大电路的说法正确的选项是〔〕A.任意输入信号Vin1和Vin2的差模重量是正负B.任意输入信号Vin1和Vin2的共模重量是二者的平均值C.假设输入信号和Vin1和Vin2不是大小相等,方向相反,那么Vin1和Vin2就是非全差分信号。D.差分放大电路对任意输入信号的响应包含差模响应和共模响应两局部8【推断题】(10分)实际差分放大电路由于工艺误差存在而非抱负,因此必定会消灭共模响应对错9【推断题】(10分)制共模噪声力气减弱。对错10【单项选择题】(10分)关于差分放大器的说法的是〔〕11【多项选择题】(10分)以下关于共源共栅电流镜的说法正确的选项是〔〕A.共源共栅级屏蔽了输出电压变化的影响B.牺牲了电压余度C.提高了电流复制精度D.提高了电路的输出阻抗2【推断题】(10分)有源负载差动对的输出端是不对称的。A.A.差分放大电路只放大输入信号的差模局部,不放大共模局部B.Gilbert单元是增益可变的放大器C.VGA是一种可变增益放大器D.共源共栅差分放大器的增益更大,但输出共模电平难以确定第五章测试错B.对3【推断题】(10分)有源负载差动电路的小信号增益也可以使用半边电路法来分析。A.对B.错4【多项选择题】(10分)如图电流镜电路,说法正确的有〔〕A.有 管时的电流复制精度比没有 管时的电流复制精度高。B.没有 管时,C.有 管时,D.有 管时,5【单项选择题】(10分)如图电路, 的最大值为〔〕A.B.C.D.6【单项选择题】(10分)假设电路完全对称,且=〔〕
时,全部器件都饱和,那么A.B.1.5VC.2.3VD.7【单项选择题】(10分)如图使用有源电流镜负载的差分放大电路,实现了将差动输入信号变成了输出信号,完成了“双端—单端”变换。A.双端B.差动C.差分D.单端8【推断题】(10分)承受共源共栅构造,不能提高输出阻抗。A.对B.错9【推断题】(10分)实际模拟集成电路通过根本电流镜产生众多的偏置电流电压。A.对B.错10【推断题】(10分)共源共栅电流镜屏蔽了输出电压变化的影响,不能提高电流复制精度。A.对B.错第六章测试1【推断题】(10分)假设系统传输函数H〔s〕的全部零点都位于左半平面时,系统是稳定的A.错B.对2【推断题】(10分)利用米勒效应以及极点和结点的关联关系分析电路的频率特性时,可能漏掉电路中的零点。A.错B.对3【推断题】(10分)由于下面的电路中结点XY之间只有一条信号通路,所以适用密勒定理。A.对B.错4【单项选择题】(10分)的弥勒效应〔〕CS放大器的 带宽A.增大B.减小5【推断题】(10分)由于零点在运放的稳定性中不起作用,因此在放大器频率特性中可以无视。A.错B.对6【单项选择题】(10分)零点意味着存在某一频率fZ使输出Vout等于〔〕A.1B.0C.27【单项选择题】(10分)假设两条通路到达输出结点时信号极性一样且传输函数存在零点,则为〔〕平面零点A.左半B.右半8【推断题】(10分)该图中, 不会产生密勒效应。A.错B.对9【推断题】(10分)输入信号频率从低频到高频变化过程中,线性电路的增益、输入阻抗、噪声等指标不会随频率发生变化。A.对B.错10【单项选择题】(10分)求该电路的极点A.1/(RC)A.1/(RC)B.1/(sRC)1【推断题】(10分)反响可以提高电路增益的稳定性。A.错B.对2【推断题】(10分)由于增益带宽之积为常数,故反响电路带宽增加的同时,其增益必减小。A.对B.错第七章测试3【推断题】(10分)放大器一般有四种,分别为电压放大器,跨阻放大器,跨导放大器和电流放大器。A.对B.错4【单项选择题】(10分)共源电路属于〔〕类型放大器。A.电压放大器B.跨阻放大器5【单项选择题】(10分)为了检测输出电压,可以通过〔〕的方法实现。A.在相应接口并联电压表B.串联电流表6【单项选择题】(10分)〔〕方法能够使两个电流信号相加。A.并联B.串联7【单项选择题】(10分)引入电压电压反响后,电路的输出阻抗变为没有反响时的〔〕倍。A.B.8【推断题】(10分)-倍。A.错B.对9【单项选择题】(10分)电压电流反响机制能够使电路的输入阻抗减小为无反响时的〔〕。A.B.10【推断题】(10分)电流-电流反响可使电路的输入阻抗转变为引进反响机制之前的倍。第八章测试1【单项选择题】(10分)10A1的
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