沈阳理工大学《材料工程基础》2022-2023学年第一学期期末试卷_第1页
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自觉遵守考场纪律如考试作弊此答卷无效密自觉遵守考场纪律如考试作弊此答卷无效密封线第1页,共3页沈阳理工大学

《材料工程基础》2022-2023学年第一学期期末试卷院(系)_______班级_______学号_______姓名_______题号一二三总分得分一、单选题(本大题共20个小题,每小题2分,共40分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的.)1、在材料的硬度测试方法中,洛氏硬度测试通常用于测量()A.较硬材料B.较软材料C.脆性材料D.韧性材料2、在研究金属材料的热处理过程中,淬火是一种常用的工艺。以下关于淬火工艺和其对金属性能影响的描述,正确的是()A.淬火可以提高金属材料的硬度和强度B.所有金属材料都适合进行淬火处理C.淬火速度越慢,金属材料的性能越好D.淬火不会改变金属材料的组织结构3、对于高分子液晶材料,以下哪种类型的液晶具有较高的有序度?A.向列型液晶B.近晶型液晶C.胆甾型液晶D.以上都不是4、在分析材料的电性能时,发现以下哪种材料的电阻率随温度变化最显著?()A.金属B.半导体C.绝缘体D.超导体5、对于一种磁性薄膜材料,要提高其磁存储密度,以下哪种方法可能有效?()A.减小薄膜厚度B.优化磁畴结构C.提高矫顽力D.以上都有可能6、对于一种压电材料,其能够将机械能转化为电能,反之亦然。以下哪种压电材料在实际应用中最为常见?()A.石英B.钛酸钡C.锆钛酸铅D.硫化镉7、在研究金属材料的再结晶行为时,发现以下哪种因素会促进再结晶的进行?()A.变形程度增加B.变形温度升高C.杂质含量增加D.冷却速度加快8、在材料的表面改性技术中,离子注入可以改变材料表面的性能。对于金属材料表面的离子注入,以下哪种离子的注入可以提高其耐磨性?A.氮离子B.氧离子C.氢离子D.钠离子9、对于高分子材料,其玻璃化转变温度是一个重要的性能指标。当一种聚合物的玻璃化转变温度升高时,通常意味着其()A.耐热性提高B.柔韧性增强C.加工性能变好D.结晶度降低10、对于一种用于手机外壳的镁合金材料,要提高其耐蚀性和表面硬度,以下哪种表面处理技术可能最为适用?()A.微弧氧化B.电镀C.化学镀D.气相沉积11、在研究材料的磨损机制时,发现一种材料在干摩擦条件下主要发生磨粒磨损。以下哪种措施可以减少磨粒磨损?()A.增加润滑B.提高硬度C.改善表面粗糙度D.选用耐磨材料12、在材料的导热性能方面,以下哪种材料的导热系数最高?()A.金属材料B.陶瓷材料C.高分子材料D.复合材料13、在材料的力学性能测试中,拉伸试验可以得到材料的屈服强度、抗拉强度等指标。对于一种钢材,其屈服强度为300MPa,抗拉强度为500MPa。在拉伸过程中,当应力达到400MPa时,材料发生了明显的塑性变形。此时,材料的应变大约是多少?A.0.05B.0.1C.0.15D.0.214、在分析一种用于骨科植入物的生物材料时,需要考虑其生物活性和力学相容性。以下哪种材料可能最符合要求?()A.钛合金B.羟基磷灰石C.聚醚醚酮D.以上都不是15、在考察一种用于光学透镜的玻璃材料时,发现其在高温下容易变形。以下哪种成分的调整可以提高玻璃的耐热性能?()A.增加二氧化硅含量B.减少碱金属氧化物含量C.引入硼氧化物D.以上都是16、高分子材料的合成方法有哪些?()A.本体聚合、溶液聚合、乳液聚合B.悬浮聚合、界面聚合、辐射聚合C.逐步聚合、连锁聚合、开环聚合D.以上都是17、在研究材料的超导性能时,发现以下哪种因素会影响超导临界磁场?()A.温度B.材料结构C.杂质含量D.以上都有18、在研究一种用于量子计算的超导材料时,发现其相干时间较短。以下哪种方法可能有助于延长相干时间?()A.提高材料纯度B.优化制备条件C.降低工作温度D.以上都是19、对于一种形状记忆合金,其能够在一定条件下恢复到预先设定的形状。以下哪种合金体系最常被用于形状记忆应用?()A.铜基合金B.铁基合金C.钛镍合金D.钴基合金20、一种高分子共混物在性能上优于其组成的单一聚合物。以下哪种因素对共混物性能的改善起到了关键作用?()A.相容性B.分子量C.分子链结构D.结晶度二、简答题(本大题共4个小题,共40分)1、(本题10分)论述压电材料的工作原理和性能特点,分析其在传感器、驱动器等领域的应用。2、(本题10分)请详细阐述金属材料的晶体结构类型及其对金属性能的影响,包括强度、塑性、导电性等方面。3、(本题10分)详细阐述材料的晶态结构,包括晶体的点阵结构、晶体缺陷等,解释晶体结构对材料性能的影响,分析如何通过控制晶态结构来优化材料性能。4、(本题10分)论述材料的环境协调性设计,解释其概念和重要性,分析在材料选择和设计中考虑环境因素的方法和原则,以及可持续发展的应用。三、论述题(本大题共2个小题,共20分)1、(本题10分)全面论

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