DRAM基础知识单选题100道及答案解析

DRAM基础知识单选题100道及答案解析1.DRAM的全称是（）A.DynamicRandomAccessMemoryB.DigitalRandomAccessMemoryC.DirectRandomAccessMemoryD.DataRandomAccessMemory答案：A解析：DRAM即DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器。2.DRAM中的存储单元通常由（）构成。A.电容和晶体管B.电阻和电容C.电阻和晶体管D.电感和电容答案：A解析：DRAM的存储单元通常由电容和晶体管构成。3.DRAM相比SRAM的主要优点是（）A.速度快B.集成度高C.功耗低D.价格便宜答案：B解析：DRAM相比SRAM集成度更高。4.DRAM中的信息需要（）进行刷新。A.定期B.不定期C.无需D.随机答案：A解析：DRAM中的信息需要定期刷新以保持数据。5.DRAM的刷新操作是为了（）A.增加存储容量B.提高读写速度C.保持数据D.消除干扰答案：C解析：刷新操作是为了保持存储在DRAM中的数据。6.以下哪种不是DRAM的常见类型（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.EEPROMD.DDR3SDRAM答案：C解析：EEPROM不是DRAM的类型。7.DRAM的读写操作是（）A.同时进行B.先读再写C.先写再读D.分开进行答案：D解析：DRAM的读写操作是分开进行的。8.DRAM的地址线通常分为（）A.行地址和列地址B.高位地址和低位地址C.数据地址和控制地址D.存储地址和缓存地址答案：A解析：DRAM的地址线通常分为行地址和列地址。9.DRAM的存储容量主要取决于（）A.地址线数量B.数据线数量C.晶体管数量D.电容数量答案：A解析：存储容量取决于地址线数量。10.DRAM的工作电压一般为（）A.5VB.3.3VC.1.8VD.1.2V答案：C解析：DRAM的工作电压一般为1.8V左右。11.DRAM中的数据在断电后（）A.不会丢失B.部分丢失C.全部丢失D.不确定答案：C解析：DRAM是易失性存储器，断电后数据全部丢失。12.提高DRAM速度的方法包括（）A.增加存储容量B.缩短刷新周期C.采用流水线技术D.增加地址线数量答案：C解析：采用流水线技术可以提高DRAM的速度。13.DRAM的刷新方式不包括（）A.集中式刷新B.分散式刷新C.异步式刷新D.同步式刷新答案：D解析：DRAM的刷新方式包括集中式刷新、分散式刷新和异步式刷新。14.DRAM芯片的引脚数量主要取决于（）A.存储容量和接口类型B.工作频率和封装形式C.制造工艺和价格D.品牌和产地答案：A解析：引脚数量取决于存储容量和接口类型等因素。15.以下关于DRAM性能指标的描述，错误的是（）A.存储容量越大性能越好B.访问时间越短性能越好C.刷新周期越长性能越好D.功耗越低性能越好答案：C解析：刷新周期越短性能越好。16.DRAM控制器的主要功能是（）A.产生地址和控制信号B.进行数据运算C.存储数据D.提高工作电压答案：A解析：DRAM控制器产生地址和控制信号来管理DRAM的操作。17.与DRAM相比，SRAM的特点是（）A.速度慢、价格低B.速度快、价格高C.速度慢、价格高D.速度快、价格低答案：B解析：SRAM速度快但价格高。18.DRAM的发展趋势是（）A.容量减小、速度降低B.容量增大、速度提高C.容量不变、速度不变D.容量和速度随机变化答案：B解析：DRAM的发展趋势是容量增大、速度提高。19.在计算机系统中，DRAM通常用于（）A.高速缓存B.主存储器C.硬盘缓存D.寄存器答案：B解析：DRAM通常用于计算机的主存储器。20.DRAM存储单元的电容充电表示（）A.0B.1C.不确定D.以上都不对答案：B解析：电容充电表示1。21.DRAM存储单元的电容放电表示（）A.0B.1C.不确定D.以上都不对答案：A解析：电容放电表示0。22.DRAM的刷新是以（）为单位进行的。A.位B.字节C.存储单元D.存储块答案：D解析：DRAM的刷新通常以存储块为单位进行。23.下列关于DRAM与CPU连接的叙述中，错误的是（）A.需要地址锁存器B.需要数据锁存器C.需要控制信号D.不需要时钟信号答案：D解析：DRAM与CPU连接时通常需要时钟信号。24.DRAM芯片的存储阵列通常采用（）A.单译码方式B.双译码方式C.三译码方式D.四译码方式答案：B解析：DRAM芯片的存储阵列通常采用双译码方式。25.DRAM中的预充电操作是为了（）A.准备读取数据B.准备写入数据C.节省功耗D.提高速度答案：A解析：预充电操作是为了准备读取数据。26.以下哪种技术可以提高DRAM的集成度（）A.减小晶体管尺寸B.增加电容容量C.减少地址线数量D.降低工作电压答案：A解析：减小晶体管尺寸可以提高DRAM的集成度。27.DRAM的地址复用技术可以（）A.减少地址线数量B.增加存储容量C.提高读写速度D.降低功耗答案：A解析：地址复用技术可以减少地址线数量。28.当DRAM进行读操作时，数据首先出现在（）A.数据总线B.地址总线C.控制总线D.以上都不对答案：A解析：读操作时，数据首先出现在数据总线。29.DRAM的写操作是将数据写入（）A.存储单元的电容B.存储单元的晶体管C.数据寄存器D.地址寄存器答案：A解析：写操作是将数据写入存储单元的电容。30.以下关于DRAM刷新的描述，正确的是（）A.刷新期间不能进行读写操作B.刷新操作与读写操作可以同时进行C.刷新操作可以随机进行D.以上都不对答案：A解析：刷新期间不能进行读写操作。31.DRAM芯片的容量通常以（）为单位表示。A.位B.字节C.字D.块答案：B解析：DRAM芯片的容量通常以字节为单位表示。32.在DRAM中，行选通信号和列选通信号的作用是（）A.选择存储单元B.控制读写操作C.进行刷新D.以上都不对答案：A解析：行选通信号和列选通信号用于选择存储单元。33.DRAM的读写周期包括（）A.地址建立时间、读写时间、恢复时间B.地址建立时间、数据传输时间、等待时间C.地址建立时间、读写时间、等待时间D.以上都不对答案：A解析：DRAM的读写周期包括地址建立时间、读写时间、恢复时间。34.以下哪种DRAM类型的速度最快（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.DDR2SDRAMD.DDR3SDRAM答案：D解析：在这些选项中，DDR3SDRAM的速度最快。35.DRAM的位扩展是指（）A.增加存储单元的位数B.增加存储单元的数量C.提高存储单元的速度D.以上都不对答案：A解析：位扩展是增加存储单元的位数。36.DRAM的字扩展是指（）A.增加存储单元的位数B.增加存储单元的数量C.提高存储单元的速度D.以上都不对答案：B解析：字扩展是增加存储单元的数量。37.在DRAM中，为了提高读写速度，可以采用（）A.增加存储单元的电容B.缩短地址线的长度C.增加预充电时间D.流水线操作答案：D解析：采用流水线操作可以提高DRAM的读写速度。38.DRAM的存储密度通常以（）来衡量。A.位/平方毫米B.字节/平方毫米C.字/平方毫米D.块/平方毫米答案：A解析：存储密度通常以位/平方毫米来衡量。39.以下关于DRAM可靠性的描述，错误的是（）A.容易受到干扰B.数据保存时间短C.可靠性较高D.刷新操作可能导致错误答案：C解析：DRAM容易受到干扰，数据保存时间短，可靠性相对较低。40.DRAM的接口类型主要影响（）A.数据传输速度B.存储容量C.工作电压D.以上都不对答案：A解析：接口类型主要影响数据传输速度。41.为了减少DRAM的功耗，可以采取（）A.降低工作电压B.增加刷新频率C.提高工作频率D.以上都不对答案：A解析：降低工作电压可以减少功耗。42.DRAM中的地址译码方式有（）A.直接译码和间接译码B.硬件译码和软件译码C.线性译码和非线性译码D.以上都不对答案：C解析：地址译码方式有线性译码和非线性译码。43.在DRAM中，数据的读出是通过（）实现的。A.电容的放电B.电容的充电C.晶体管的导通D.晶体管的截止答案：A解析：数据的读出是通过电容的放电实现的。44.以下哪种DRAM类型的功耗最低（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.DDR2SDRAMD.DDR3SDRAM答案：A解析：SDRAM的功耗相对较低。45.DRAM中的数据写入是通过（）实现的。A.电容的放电B.电容的充电C.晶体管的导通D.晶体管的截止答案：B解析：数据写入是通过电容的充电实现的。46.以下关于DRAM刷新的频率，描述正确的是（）A.固定不变B.随温度变化C.随存储容量变化D.以上都不对答案：A解析：DRAM刷新的频率通常是固定不变的。47.DRAM芯片的封装形式主要有（）A.DIP和SOPB.BGA和QFPC.PGA和PLCCD.以上都是答案：D解析：DRAM芯片的封装形式有多种，包括DIP、SOP、BGA、QFP、PGA、PLCC等。48.以下哪种因素会影响DRAM的性能（）A.工作温度B.存储容量C.读写次数D.以上都是答案：D解析：工作温度、存储容量、读写次数等都会影响DRAM的性能。49.DRAM的价格通常取决于（）A.制造工艺B.市场需求C.存储容量D.以上都是答案：D解析：DRAM的价格受制造工艺、市场需求、存储容量等多种因素影响。50.在DRAM中，为了提高可靠性，可以采用（）A.增加纠错码B.减少存储单元数量C.降低工作电压D.以上都不对答案：A解析：增加纠错码可以提高DRAM的可靠性。51.DRAM的发展受到（）的限制。A.制造工艺B.存储原理C.市场需求D.以上都是答案：D解析：DRAM的发展受到制造工艺、存储原理、市场需求等多方面的限制。52.以下关于DRAM存储单元的描述，错误的是（）A.存储单元的电容值会随时间变化B.存储单元的晶体管用于控制读写操作C.存储单元的电容值决定了存储的数据D.以上都不对答案：C解析：存储单元中电容的充电和放电状态决定了存储的数据，而不是电容值。53.DRAM中的地址缓冲器的作用是（）A.放大地址信号B.暂存地址信号C.转换地址信号D.以上都不对答案：B解析：地址缓冲器暂存地址信号。54.以下哪种DRAM类型的集成度最高（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.DDR2SDRAMD.DDR3SDRAM答案：D解析：DDR3SDRAM的集成度相对较高。55.在DRAM中，为了提高数据传输速度，可以（）A.增加数据线数量B.提高工作频率C.优化接口协议D.以上都是答案：D解析：增加数据线数量、提高工作频率、优化接口协议都可以提高数据传输速度。56.DRAM的刷新电流通常（）读写电流。A.大于B.小于C.等于D.不确定答案：A解析：DRAM的刷新电流通常大于读写电流。57.以下关于DRAM控制器的功能，描述错误的是（）A.生成刷新地址B.进行数据校验C.控制读写操作D.以上都不对答案：B解析：DRAM控制器一般不进行数据校验。58.DRAM的字长通常是（）的整数倍。A.8位B.16位C.32位D.64位答案：A解析：DRAM的字长通常是8位的整数倍。59.以下哪种技术可以降低DRAM的功耗（）A.动态电压调节B.增加存储单元数量C.提高工作频率D.以上都不对答案：A解析：动态电压调节可以降低DRAM的功耗。60.DRAM中的数据在存储单元中是以（）形式存在的。A.电流B.电压C.电荷D.磁场答案：C解析：数据在DRAM存储单元中是以电荷形式存在的。61.以下关于DRAM存储阵列的描述，正确的是（）A.按行存储B.按列存储C.按块存储D.以上都不对答案：A解析：DRAM存储阵列通常按行存储。62.DRAM的刷新周期取决于（）A.存储容量B.工作温度C.电容漏电速度D.以上都是答案：D解析：刷新周期取决于存储容量、工作温度、电容漏电速度等因素。63.以下哪种DRAM类型的工作电压最低（）A.SDRAMB.DDRSDRAMC.DDR2SDRAMD.DDR3SDRAM答案：D解析：DDR3SDRAM的工作电压相对较低。64.DRAM中的预充电时间主要影响（）A.读操作速度B.写操作速度C.刷新速度D.以上都不对答案：A解析：预充电时间主要影响读操作速度。65.为了提高DRAM的性能，通常采用的技术有（）A.增加存储体数量B.优化地址映射C.改进刷新策略D.以上都是答案：D解析：增加存储体数量、优化地址映射、改进刷新策略都能提高DRAM性能。66.DRAM存储单元的电容漏电会导致（）A.数据丢失B.存储容量减小C.读写速度降低D.工作电压升高答案：A解析：电容漏电会使存储的数据丢失。67.以下关于DRAM地址线的说法，正确的是（）A.地址线数量决定存储容量B.地址线数量固定不变C.地址线可以复用D.以上都不对答案：A解析：地址线数量决定了DRAM的存储容量。68.DRAM的读操作过程中，首先进行的是（）A.行地址选通B.列地址选通C.数据输出D.预充电答案：A解析：读操作首先进行行地址选通。69.在DRAM芯片中，用于存储数据的是（）A.地址译码器B.存储矩阵C.数据缓冲器D.控制逻辑答案：B解析：存储矩阵用于存储数据。70.以下哪种因素对DRAM的寿命影响较大（）A.读写次数B.工作温度C.存储容量D.以上都是答案：A解析：读写次数对DRAM的寿命影响较大。71.DRAM的写操作与读操作的主要区别在于（）A.控制信号不同B.地址顺序不同C.数据流向不同D.以上都是答案：D解析：写操作与读操作在控制信号、地址顺序和数据流向等方面都有区别。72.为了增加DRAM的存储容量，可以（）A.减小存储单元面积B.增加存储单元数量C.提高存储单元的密度D.以上都是答案：D解析：减小存储单元面积、增加存储单元数量、提高存储单元的密度都能增加存储容量。73.DRAM的接口标准主要规定了（）A.电气特性和时序B.存储容量和速度C.工作电压和功耗D.以上都是答案：A解析：接口标准主要规定电气特性和时序。74.以下关于DRAM数据传输的说法，错误的是（）A.可以并行传输B.可以串行传输C.传输速度固定不变D.以上都不对答案：C解析：DRAM数据传输速度不是固定不变的。75.DRAM中的纠错编码通常用于（）A.提高存储容量B.提高读写速度C.提高数据可靠性D.以上都不对答案：C解析：纠错编码用于提高数据的可靠性。76.以下哪种情况会导致DRAM工作异常（）A.电源波动B.电磁干扰C.温度过高D.以上都是答案：D解析：电源波动、电磁干扰、温度过高都可能导致DRAM工作异常。77.DRAM的发展方向包括（）A.更高的集成度B.更低的功耗C.更快的速度D.以上都是答案：D解析：更高的集成度、更低的功耗、更快的速度都是DRAM的发展方向。78.在计算机系统中，DRAM与其他存储器相比，其优势在于（）A.价格便宜B.容量大C.速度适中D.以上都是答案：D解析：DRAM在价格、容量和速度方面具有综合优势。79.DRAM的刷新方式中，分散式刷新的特点是（）A.刷新间隔长B.不存在死时间C.控制简单D.以上都不对答案：B解析：分散式刷新不存在死时间。80.以下关于DRAM存储单元的结构，描述正确的是（）A.电容和晶体管串联B.电容和晶体管并联C.只有电容D.只有晶体管答案：B解析：DRAM存储单元中电容和晶体管并联。81.DRAM中的行地址和列地址是通过（）来区分的。A.不同的地址线B.控制信号C.时序D.以上都是答案：D解析：行地址和列地址通过不同的地址线、控制信号和时序来区分。82.提高DRAM存储单元电容的容量可以（）A.减少刷新次数B.增加存储容量C.提高读写速度D.以上都是答案：A解析：提高电容容量可以减少刷新次数。83.DRAM芯片在生产过程中需要进行（）测试。A.功能测试B.可靠性测试C.性能测试D.以上都是答案：D解析：生产过程中需要进行功能、可靠性和性能等多方面的测试。84.以下关于DRAM与CPU连接的叙述，正确的是（）A.需要地址译码器B.可以直接连接C.不需要控制信号D.以上都不对答案：A解析：DRAM与CPU连接时需要地址译码器。85.DRAM的存储容量与（）有关。A.芯片的面积B.制造工艺C.地址线和数据线的数量D.以上都是答案：D解析：存储容量与芯片面积、制造工艺、地址线和数据线数量等都有关。86.在DRAM中，为了提高数据的稳定性，可以（）A.增加电容的漏电电阻B.缩短刷新周期C.降低工作电压D.以上都不对答案：A解析：增加电容的漏电电阻可以提高数据的稳定性。87.以下哪种DRAM技术可以降低功耗和提高性能（）A.低电压DRAMB.高带宽DRAMC.三维DRAMD.以上都是答案：D解析：低电压DRAM、高带宽DRAM、三维DRAM都可以降低功耗和提高性能。88.DRAM中的控制信号包括（）A.读使能信号B.写使能信号C.片选信号D.以上都是答案：D解析：读使能信号、写使能信号、片选信号等都是控制信号。89.为了提高DRAM的可靠性，可以采用（）A.冗余技术B.纠错技术C.备份技术D.以上都是答案：D解析：冗余技术、纠错技术、备份技术都能提高可靠性。90.DRAM的发展受到（）的推动。A.计算机技术的发展B.半导体工艺的进步C.市场需求的增加D.以上都是答案：D解析：计算机技术发展、半导体工艺进步、市场需求增加都推动了DRAM的发展。91.以下关于DRAM存储系统的描述，错误的是（）A.可以由多个芯片组成B.可以采用多级存储结构C.存储容量是