GB/T 44529-2024微机电系统(MEMS)技术射频MEMS环行器和隔离器

ICS3108099

CCSL.59.

中华人民共和国国家标准

GB/T44529—2024/IEC62047-412021

:

微机电系统MEMS技术

()

射频MEMS环行器和隔离器

Micro-electromechanicalsstemMEMStechnolo—Radiofreuenc

y()gyqy

MEMScirculatorsandisolators

IEC62047-412021Semiconductordevices—Micro-electromechanical

(:,

devices—Part41RFMEMScirculatorsandisolatorsIDT

:,)

2024-09-29发布2024-09-29实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44529—2024/IEC62047-412021

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

通用术语

3.1……………1

射频特性

3.2……………2

基本额定值和特性

4………………………2

标识和类型说明

4.1……………………2

应用和规格说明

4.2……………………3

极限值和工作条件

4.3…………………3

射频特性

4.4……………4

可靠性

4.5………………4

附加信息

4.6……………4

测量方法

5…………………5

通则

5.1…………………5

插入损耗L

5.2(ins)………………………6

隔离度L

5.3(iso)………………………10

回波损耗L

5.4(ret)……………………12

电压驻波比VSWR可选项

5.5()()……………………14

输入阻抗Z可选项

5.6(in)()…………16

磁泄漏可选项

5.7()……………………18

可靠性性能试验

6()………………………19

概述

6.1…………………19

功率容量

6.2……………19

寿命

6.3…………………19

温度循环

6.4……………20

冲击试验

6.5……………20

振动试验

6.6……………20

键合强度或可焊性试验

6.7……………20

附录资料性环行器和隔离器简介

A()…………………21

参考文献

……………………24

Ⅰ

GB/T44529—2024/IEC62047-412021

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半导体器件微机电器件第部分射频环行器

IEC62047-41:2021《41:MEMS

和隔离器

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为微机电系统技术射频环行器和隔

———,《(MEMS)MEMS

离器

》;

在图图图图图图图图图中增加了注

———1、2、3、4、5、6、7、5.2.5、5.3.5、5.4.5、A.1、A.2;

公式公式中增加了符号说明

———(1)~(12);

为符合中文习惯将表中的中心频率的符号f修改为f将的标题键合强度焊

———,2“center”“0”,6.7“/

接强度试验更改为键合强度或可焊性试验表中键合焊接强度试验改为键合强度或

”“”,3“/”“

可焊性

”;

更正了原文的错误将表中键合强度或可焊性分别给出相应特性值

———,3“”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本文件起草单位河北美泰电子科技有限公司安徽天兵电子科技股份有限公司中国电子科技集

:、、

团公司第十三研究所中机生产力促进中心有限公司广东大普通信技术股份有限公司西安现代控制

、、、

技术研究所深圳市诺信博通讯有限公司深圳市美思先端电子有限公司

、、。

本文件主要起草人侯凯强张东响李倩李根梓王伟强吝海锋李丽霞翟晓飞梁彦青

:、、、、、、、、、

姚世婷周明琴王春明王昆伦刘奎屈锟陈杜武斌

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T44529—2024/IEC62047-412021

:

微机电系统MEMS技术

()

射频MEMS环行器和隔离器

1范围

本文件规定了射频环行器和隔离器的术语基本额定值和特性以及测量方法

MEMS、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件第部分总则

IEC60747-1:20101:(Semiconductordevices—Part1:General)

注半导体器件分立器件和集成电路第部分总则

:GB/T17573—19981:(IEC60747-1:1983,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分机械冲击

IEC60749-1010:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part10:Mechanicalshock)

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

IEC60749-1212:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part12:Vibration,variablefrequency)

注半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

:GB/T4937.12—201812:(IEC60749-12:2002,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

IEC60749-2121:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part21:Solderability)

注半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

:GB/T4937.21—201821:(IEC60749-21:2011,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

IEC60749-2222:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)

注半导体器件