纳米集成电路技术电科 课程教学大纲

【纳米集成电路技术】【TechnologyofNanometerIntegratedCircuit】一、基本信息课程代码：【2080202】课程学分：【2】面向专业：【微电子科学与工程、电子科学与技术】课程性质：【系级专业任选课】开课院系：机电学院电子工程系使用教材：教材【纳米集成电路制造工艺(第2版)，张汝京等编著，清华大学出版社，2017】参考书目【微电子制造科学与工程技术StephenACampbell电子工业出版社2003年版】，【深次微米硅制程技术张劲燕（台湾）五南图书出版有限公司2003.3】课程网站网址：无先修课程：【大学物理2100001（3）】、【半导体器件物理2080257（3）】、【集成电路工艺原理2080078（3）】二、课程简介硅IC已进入深次微米（ULSI）时代，并正向纳米时代迈进。传统IC所采用的材料、器件结构和制程技术逐渐成为IC向高密度、高性能、低成本发展的制约因素。本课程主要介绍ULSI制程中采用的超微细图形的加工技术；为配合多层金属互连降低RC延迟应用的低K介电材料、铜制程、金属阻挡层、钨栓塞；用高K介电材料制作各式新型高容量薄膜电容器技术；采用高熔点金属硅化物、自对准技术、结构改进的栅极制造技术；12英吋晶片制作；半导体纳米器件。通过对这些ULSI中用到的新材料、新器件结构、新制程技术的了解，必将对微电子科学与工程专业学生以后跨入先进半导体制造企业工作有很大的帮助。三、选课建议本课程面向微电子科学与工程、电子科学与技术专业的高年级本科生授课。四、课程与专业毕业要求的关联性专业毕业要求关联LO11理解他人的观点，尊重他人的价值观，能在不同场合用书面或口头形式进行有效沟通。LO21：能根据需要确定学习目标，并通过搜集信息、分析信息、讨论、实践、质疑、创造等方法来实现学习目标。LO31：能够应用本专业知识进行设计计算。LO32：能够应用计算机辅助工具、进行电子电路、集成电路版图、集成电路工艺器件等工程制图、设计和仿真LO33：具备本专业工程问题的逻辑分析能力●LO34：具备一定的计算机应用能力LO35：能够综合本专业知识，进行工程设备的维护和流程监控●LO41：遵守纪律、守信守责；具有耐挫折、抗压力的能力。（“责任”为我校校训内容之一）LO51：同群体保持良好的合作关系，做集体中的积极成员；勇于从不同角度思考问题，勇于提出新设想●LO61：能在学习、工作中应用信息技术解决问题LO71：愿意服务他人、服务企业、服务社会；为人热忱，富于爱心，懂得感恩（“恩、回报、爱心”为我校校训内容之一）LO81：具有基本的外语表达沟通能力与跨文化理解能力备注：LO=learningoutcomes（学习成果）五、课程目标/课程预期学习成果序号课程预期学习成果课程目标（细化的预期学习成果）教与学方式评价方式1LO331能在集成电路工艺流程、封装、测试等方面进行合理的逻辑分析能够分析集成电路制造过程中相关工艺的作用课堂授课作业笔记期末考试2LO351分析常见制造、封装、测试设备基本组成部分及功能掌握集成电路工艺制备过程中相关设备的组成部分及其功能课堂授课作业笔记期末考试3LO514了解行业前沿知识技术了解集成电路工艺发展的新工艺自主学习课程报告六、课程内容单元知识点能力要求教学难点绪言知道IC特征尺寸，深次微米硅（ULSI）概念和发展趋势;理解IC制造的特点以及深亚微米技术给材料器件结构，工艺和IC设计方法，EDA工具等带来的挑战。能够解析深亚微米技术的特点和基本概念IC制造的特点以及深亚微米技术给材料器件结构，工艺和IC设计方法，EDA工具等带来的挑战。低介电常数（K）电介质材料理解选用低K电介质在ULSI多层金属互连中降低RC延迟的作用；知道电介质电极化的基本形式；分析各类低K介质的主要性能、应用和薄膜制备。能够分析各类低K介质的主要性能、应用和薄膜制备。分析各类低K介质的主要性能、应用和薄膜制备。栅极技术理解CMOSFET中栅极的演化和ULSI对栅极的要求；分析几种用于ULSI高熔点金属硅化物性能、制造；理解栅极自对准技术；评价几种ULSI中的栅极结构形式。能够分析几种用于ULSI高熔点金属硅化物性能、制造；能够评价几种ULSI中的栅极结构形式。评价几种ULSI中的栅极结构形式。多层互连中的铜制程理解铜用于ULSI多层布线的意义；知道铜布线的大马士革工艺和扩散阻挡层作用及制作；知道铜膜制备和铜蚀刻技术；分析制程面临的几个问题。能够知道铜布线的大马士革工艺和扩散阻挡层作用及制作；知道铜膜制备和铜蚀刻技术；能够分析制程面临的几个问题。分析制程面临的几个问题。纳米技术知道纳米材料、纳米技术在微电子制造