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文档简介
名词解释目录一.化学气相淀积(CVD)二.物理气相淀积三.光刻四.扩散与离子注入五.化学机械抛光(CMP)六.透明导电膜八.介电常数九.靶材化学气相淀积(CVD)定义化学气相淀积,简称CVD(ChemicalVaporDeposition)是把含有构成薄膜元素的一种或者几种化合物或单质气体供给基片,借助气相作用或在基片上的化学反应生成所需薄膜。化学气相淀积(CVD)CVD低压CVD(LPCVD)常压CVD(APCVD)亚常压CVD(SACVD)超高真空CVD(UHCVD)等离子体增强CVD(PECVD)高密度等离子体CVD(HDPCVD快热CVD(RTCVD)金属有机物CVD(MOCVD分类物理气相淀积定义
利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底表面上,并淀积成薄膜。两种基本方法1.蒸发在真空条件下,加热蒸发源,使原子或分子从蒸发源表面逸出,形成蒸气流并入射到硅片(衬底)表面,凝结形成固态薄膜。2.溅射利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点,将离子引向欲被溅射的靶电极,入射离子在与靶表面原子的碰撞过程中使靶原子溅射出来。被溅射出来的原子沿一定方向射向衬底,实现在衬底上的薄膜淀积。光刻定义利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术,在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。多用于半导体器件与集成电路的制作。原理利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻
——光刻胶光刻胶:也称为光致抗蚀剂,它是由感光树脂、增感剂和溶剂三部分组成的对光敏感的混合液体。光刻胶主要用来将光刻掩模板上的图形转移到元件上。扩散与离子注入扩散:指微观粒子(离子、原子或分子)热运动的统计结果。在较高温度下,杂质原子能够克服阻力进入半导体,并在其中缓慢地运动。扩散总是使杂质从浓度高的地方向浓度低的地方运动,它的快慢、浓度梯度、杂质的扩散系数等因素有关,其中杂质的扩散系数是描述杂质在半导体中运动快慢的物理量,它与扩散温度、扩散气氛、衬底材料有关。离子注入:将具有很高能量的带电杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术,掺杂深度由注入杂质离子的能量、杂质离子的质量决定,掺杂浓度由注入杂质离子的剂量(通过单位面积的杂质数目)决定。离子注入原理
离子注入原理
离子是原子或分子经过离子化后形成的,即等离子体,它带有一定量的电荷。可通过电场对离子进行加速,利用磁场使其运动方向改变,这样就可以控制离子以一定的能量进入wafer内部达到掺杂的目的。
离子注入到wafer中后,会与硅原子碰撞而损失能量,能量耗尽离子就会停在wafer中某位置。离子通过与硅原子的碰撞将能量传递给硅原子,使得硅原子成为新的入射粒子,新入射离子又会与其它硅原子碰撞,形成连锁反应。
杂质在wafer中移动会产生一条晶格受损路径,损伤情况取决于杂质离子的轻重,这使硅原子离开格点位置,形成点缺陷,甚至导致衬底由晶体结构变为非晶体结构CMP(化学机械抛光)化学机械抛光(英语:Chemical-MechanicalPolishing,缩写CMP),又称化学机械平坦化(英语:Chemical-MechanicalPlanarization),是半导体器件制造工艺中的一种技术,用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。靶材靶材:就是高速荷能粒子轰击的目标材料,用于高能激光武器中,不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时,会产生不同的杀伤破坏效应。例如:蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜...铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等),即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。磁控溅射原理:在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为A气),永久磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下,Ar气电离成正离子和电子,靶上加有一定的负高压,从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大,在阴极附近形成高密度的等离子体,Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面,以很高的速度轰击靶面,使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。磁控溅射一般分为二种:直流溅射和射频溅射,其中直流溅射设备原理简单,在溅射金属时,其速率也快。而射频溅射的使用范围
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