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文档简介
JSSIAEvaluationmethodforinterfacialadhesionbetweenphotosensitivepoI 2 2 5 6 7本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定本文件起草单位:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、中国科学院微电子研究所、工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、通富微电子股份有限公司、苏州晶方半导体科技股份有限公司、华天科技(昆山)电子有限公司、国家集成电路封测产业链技术创本文件主要起草人:曹立强、王启东、孙鹏、苏梅英、赵静毅、陈思、吉勇、帅喆、李晨、孙向1光敏介质薄膜与互连金属界面结合力的评价方法本文件规定了晶圆/板级扇出型封装、晶圆级封装中光敏介质薄膜与互连金属界面结合力的试验方法,包括试验样件、试验设备、界面测试方法本文件适用于晶圆/板级扇出型封装、晶圆级封装中光敏下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适采用重布线层将电路从晶圆上裸芯片的金属焊盘扇出到金属焊球,且部分互连线路超出芯片边缘采用重布线层将电路从非硅载板上裸芯片的金属焊盘扇出到金属焊球,且部分互连线路超出芯片光敏介质薄膜是一类在高分子链上兼有亚胺环以及光敏基因,集优异的热稳定性、良好的力学性能、化学和感光性能的有机材料,在电子领域主要兼光刻胶及电子封装两大作用,主要用于裸芯片保作用在界面单位面积上,使薄膜与金属层从界面结合态分离剪切试验时,推刀底部到衬底金属薄膜上表面的距离为剪切界面粘结强度试验中施加于试样上致使界面开裂时所对应的4测试原理21)提供高精度的拉力测试功能,其精确度应为1级或0.5级;2)位移分辨率不应低于0.01mm;3)能获得恒定的试验速度,试验速度不应超过0.5mm/min,加卸力应平稳、无振动、无冲4)载荷误差不应超过1%;5)载荷量程不低于500N。1)提供高精度的推力测试功能,推力测试模组配有不低于24位高2)推力测试模组采用气浮式触底设计,推力测试时推刀触底力(LandingForce)轻。一般1Kgf时,触底力(LandingForce)一般设为10gf左右;3)最大的推力应不高于200Kgf,X/Y平台的最大移动距离不低于100mm,Z轴的最大移4)位移分辨率不应低于0.001mm;3试样1A硅载板、氧化层薄膜、光敏介质薄膜的B硅载板、氧化层薄膜光敏介质薄膜的宽度CDEFG试样1公差公差ABC5DEF4 FF定义ABCDF注3:剪切试样的光敏介质薄膜边长最小尺寸由光刻设备能力决定,保证样公差ABCDEF5T/JSSIA006.2样本量大小每组试样应不小于10个。6.3试样的一般要求试样加工完成,需要存放于氮气柜中。7.1试验环境应在下列条件下进行测试:b)试验环境相对湿度:30%~60%RH。7.2测试方法7.2.1试验前准备对每个试验编号,在试样上选取测试区域。对拉伸试样进行销钉焊接或粘接,光学检查测试样品销钉界面是否完整,且无其他污染。若有缺失或污染,样品丢弃。图6拉伸试验示意图图6为拉伸试验示意图,将试样固定在试验设备的夹具中。拉伸测试时保证拉力方向与被测界面垂直。设置最大载荷与位移速率,沿着薄膜与金属结合面的垂直方向连续施加并逐渐增大拉力,直至薄膜与金属层界面分离。61)有效数据不少于10个;是附着失效:光敏介质薄膜与
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