模拟电子技术基础：结型场效应管

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5.3结型场效应管结型场效应管的结构结型场效应管的工作原理结型场效应管的特性曲线及参数1、结型场效应管（JFET)结构P+P+NGSD导电沟道结型场效应管动画一

源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示

P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号①VGS对沟道的控制作用当VGS＜0时

当沟道夹断时,ID减小至0，此时对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP(或VGS(off))。对于N沟道的JFET，VP<0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄

VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续变小DP+P+NGSVDSIDVGS

当VGS=0时，沟道最宽，沟道电阻最小，在VDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID,此时最大。

沟道电阻变大

ID变小2、结型场效应管（JFET)的工作原理

根据其结构，它只能工作在反偏条件下，N沟道管加负栅源电压，P沟道管加正栅源电压，否则将会出现栅流。动画二②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，VDS

G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。

当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS

夹断区延长

沟道电阻

ID基本不变

2、结型场效应管（JFET)的工作原理DP+P+NGSVDSIDVGS③VGS和VDS同时作用时当VP<VGS<0时，导电沟道更容易夹断，

对于同样的VDS，

ID的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS=VP2、结型场效应管（JFET)的工作原理DP+P+NGSVDSIDVGS综上分析可知

沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。#

为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因

此iG

0，输入电阻很高。

JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。#

JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？(2)转移特性VP(1)输出特性3、结型场效应管（JFET)的特性曲线及参数动画三动画四①夹断电压VP(或VGS(off))：②饱和漏极电流IDSS：

③低频跨导gm：或漏极电流约为零时的VGS值。VGS=0时对应的漏极电流。

低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。④输出电阻rd：(3)主要参数⑤直流输入电阻RGS：

对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。⑧最大漏极功耗PDM⑥

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