封装中的3D互连

22/26封装中的3D互连第一部分3D互连技术在封装中的应用概况 2第二部分通孔结构的3D互连技术 5第三部分硅通孔(TSV)技术的研究进展 9第四部分玻璃中介层(GIM)技术的特点及优势 12第五部分异构集成技术的3D互连途径 14第六部分3D互连对封装尺寸和性能的影响 18第七部分3D互连技术面临的挑战与未来发展 20第八部分3D互连技术在先进封装中的应用前景 22

第一部分3D互连技术在封装中的应用概况关键词关键要点系统级封装

1.系统级封装（SiP）通过将多个芯片和组件集成到单一封装中，实现了更紧凑的尺寸和更高的集成度。

2.3D互连技术在SiP中用于实现芯片之间的垂直和水平互连，以减少互连延迟和功耗。

3.SiP中的3D互连方法包括硅通孔（TSV）、微凸块和中间层连接器。

异构集成

1.异构集成涉及将不同类型和技术的组件组合到同一封装中，以实现更宽的功能范围。

2.3D互连技术可以促进异构集成的垂直堆叠，从而缩小芯片间距离并提高互连带宽。

3.异构集成中的3D互连还可用于跨接具有不同制程节点和材料性质的组件。

先进封装

1.先进封装采用各种互连和封装技术，以提高芯片的性能和可靠性。

2.3D互连在先进封装中用于实现高密度互连、降低电感和电阻，从而提高芯片的速度和功耗效率。

3.先进封装中的3D互连技术包括扇出封装、晶圆级封装和堆叠晶圆芯片封装。

存储器堆叠

1.存储器堆叠将多个DRAM或闪存芯片垂直堆叠，以增加存储容量和带宽。

2.3D互连技术在存储器堆叠中用于实现芯片之间的垂直互连，确保高数据传输速率和低延迟。

3.存储器堆叠中的3D互连方法包括TSV、微凸块和中间层连接器。

高性能计算

1.3D互连技术在高性能计算（HPC）应用程序中实现芯片间通信，以提高互连密度和性能。

2.对于多芯片模块（MCM）和高密度封装，3D互连提供了低延迟、高带宽的解决方案。

3.HPC中的3D互连技术包括硅平面互连（SPI）和多层金属互连。

测试和验证

1.3D互连技术使封装的测试和验证变得更加复杂，需要新的方法和工具。

2.3D互连测试关注于互连的电气特性、物理完整性和可靠性。

3.测试和验证技术包括电气测试、X射线断层扫描和扫描声学显微镜。3D互连技术在封装中的应用概况

引言

随着集成电路（IC）规模的不断扩大和性能要求的提高，传统二维（2D）封装技术面临着互连密度低、信号完整性差、功耗高等挑战。3D互连技术通过垂直叠加多个芯片层，在三维空间中提供高密度互连，有效解决了这些问题。本文将概述3D互连技术在封装中的应用，包括其技术原理、类型、优点和发展趋势。

技术原理

3D互连技术采用物理手段将多个芯片层通过导电通孔（TSV）或者微凸点（MicroBump）进行垂直互连。通过在芯片背面或侧面形成TSV，可以实现芯片层之间的电气连接，从而打破2D封装的平面限制。微凸点技术则是在芯片表面形成微小的、凸起的焊点，通过熔融焊料与相邻芯片层进行互连。

类型

3D互连技术主要有以下几种类型：

*通过硅通孔（TSV）互连：在芯片背面或侧面形成TSV，并通过铜填充或电镀形成导电通孔。

*微凸点互连：在芯片表面形成微小的凸点，并通过熔融焊料连接相邻芯片层。

*异构集成：将不同功能的芯片（如CPU、GPU、存储器）通过3D互连技术集成在一个封装中。

*多芯片模块（MCM）：将多个裸芯片通过3D互连技术集成在一个基板上。

优点

3D互连技术具有以下优点：

*高互连密度：通过垂直叠加多个芯片层，在三维空间中提供高密度互连，突破2D封装的限制。

*低时延和功耗：垂直互连距离短，信号传输时延和功耗较低。

*提高带宽和性能：高密度互连可实现更高的数据传输带宽和系统性能。

*节省空间：3D封装可以在较小的空间内容纳更多的功能，节省封装面积。

应用

3D互连技术广泛应用于以下领域：

*高性能计算（HPC）：多芯片模块和异构集成可提高超级计算机和工作站的性能。

*移动设备：3D封装可节省空间，提高智能手机和笔记本电脑的性能和功耗。

*汽车电子：3D互连可实现可靠、高性能的车载系统。

*医疗电子：3D封装可集成传感器、微控制器和MEMS设备，用于医疗成像和诊断设备。

发展趋势

3D互连技术仍在不断发展，未来的趋势包括：

*更高密度互连：通过优化TSV工艺和微凸点技术，实现更高的互连密度。

*异构集成：将更多不同功能的芯片集成在一个封装中，实现更复杂的系统。

*混合封装：将2D和3D互连技术相结合，实现不同应用的最佳封装方案。

*先进封装：探索先进的封装材料和工艺，如先进的互连材料、低介电常数基板和无铅焊料。

结论

3D互连技术在封装中发挥着至关重要的作用，它提供高密度互连、低时延和功耗、提高带宽和性能，并节省空间。随着技术的发展，3D互连将继续在高性能计算、移动设备、汽车电子和医疗电子等领域推动封装技术的变革。第二部分通孔结构的3D互连技术关键词关键要点通孔结构的3D互连技术

1.通孔结构的3D互连技术通过在介电层中形成垂直导电通孔，实现不同层级之间的电气连接。

2.通孔直径范围广泛，从微米到几十微米不等，可以通过激光钻孔、化学蚀刻或反应离子刻蚀等工艺制备。

3.通孔的形状和排列方式可以定制，以优化电气性能和机械稳定性。

通孔材料和工艺

1.通孔材料通常为铜、钨或高导电聚合物，选择标准包括电导率、耐热性和可靠性。

2.通孔形成工艺不断发展，包括激光钻孔、电镀、化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。

3.先进工艺如激光钻孔-铜电镀组合，可以实现高精度的通孔结构和低电阻互连。

通孔的电气建模

1.通孔的电气特性受其几何尺寸、材料性质和工艺条件的影响。

2.准确的电气建模对于优化3D互连性能至关重要，可以使用分布式传输线模型或电磁仿真工具进行。

3.模型可以预测通孔的阻抗、容抗和寄生效应，指导互连设计和优化。

通孔的热管理

1.3D互连中的通孔会产生热量，需要有效的热管理措施。

2.热沉、导热材料和流体冷却等方法可以应用于散热和降低热阻。

3.优化通孔尺寸、间距和排列方式也有助于提高热性能。

通孔的机械可靠性

1.通孔结构会影响3D互连的机械稳定性和封装的整体可靠性。

2.通孔的几何尺寸、材料强度和与周围层之间的粘合力至关重要。

3.应力分析和测试方法用于评估通孔的机械性能和确保可靠性。

通孔技术的趋势和前沿

1.3D互连技术的持续发展推动着通孔技术的前沿，包括先进的制造工艺、新型材料和优化设计。

2.自组装通孔、异构集成和多孔介电层等新兴技术有望进一步提高3D互连性能。

3.通孔结构在先进封装技术中的应用不断扩大，如扇出型封装、晶圆级封装和三维系统级封装。通孔结构的3D互连技术

通孔结构的3D互连技术是利用金属通孔将不同层面的电路相互连接，实现三维立体互连的一种技术。它主要分为激光钻孔、机械钻孔和电镀成型三种工艺：

1.激光钻孔

*原理：采用激光束对基板进行扫描钻孔，形成通孔。

*优点：钻孔精度高，孔径小，可实现高密度互连；钻孔效率高，适合大规模生产。

*缺点：对基板材料要求较高，不适用于脆性材料；钻孔过程中可能会产生热应力，影响基板性能。

2.机械钻孔

*原理：使用机械钻头对基板进行旋转钻孔，形成通孔。

*优点：可用于多种基板材料；成本较低，适合小批量生产。

*缺点：钻孔精度较低，孔径较大；钻孔效率较低，不适合高密度互连。

3.电镀成型

*原理：在基板表面通过光刻形成掩膜层，然后通过电镀工艺在掩膜层开口处形成金属凸块，再将凸块与相邻层面的电路连接。

*优点：可实现高精度、高密度互连；不损伤基板，适用于多种基板材料。

*缺点：工艺复杂，生产周期长；成本较高，不适合大规模生产。

通孔结构3D互连技术应用

通孔结构3D互连技术广泛应用于各类电子产品中，包括：

*半导体封装：实现芯片与基板之间的电气连接，提高封装密度和性能。

*印制电路板（PCB）：实现多层PCB之间的互连，提高电路复杂性和空间利用率。

*射频/微波器件：实现三维腔体和导波结构，提高器件性能和集成度。

*太阳能电池：实现太阳能电池片之间的电气连接，提高电池模块的效率和可靠性。

*传感器和执行器：实现传感器和执行器元件之间的三维互连，提高系统集成度和灵活性。

通孔结构3D互连技术发展趋势

随着电子产品向轻薄短小、高性能和低功耗的方向发展，通孔结构3D互连技术也在不断发展和创新：

*微型化：随着芯片尺寸的不断缩小，通孔结构也需要向微型化发展，以满足高密度互连的需求。

*高速化：随着数据传输速率的不断提高，通孔结构需要提高自身的高频传输性能，以满足高速信号传输的要求。

*低损耗：为减少信号传输中的能量损耗，通孔结构需要采用低损耗材料和优化设计。

*可靠性：通孔结构需要提高自身的可靠性，以满足电子产品的долговечность要求。

*可重构性：为适应电子产品的快速发展和更新，通孔结构需要可重构性，以方便多次连接和断开。

通过不断攻克这些技术难关，通孔结构3D互连技术将继续为电子产品的高性能和小型化做出重要贡献。第三部分硅通孔(TSV)技术的研究进展关键词关键要点【TSV材料与结构研究】

1.探讨不同金属材料，如铜、钨和钴，在TSV形成中的优势和挑战。

2.优化TSV结构，例如高纵横比、孔径和间距，以提高电气性能和可靠性。

3.研究先进的TSV金属化技术，如共形沉积和电镀，以实现高填充率和低阻抗。

【TSV加工技术研究】

硅通孔（TSV）技术的研究进展

简介

硅通孔（TSV）技术是一种在硅衬底中形成垂直互连的创新技术，用于实现芯片内部和芯片之间的三维（3D）集成。TSV技术突破了传统的二维互连限制，为高性能计算、移动电子设备和先进封装提供了新的可能性。

材料和工艺

TSV通常采用铜、钨或其他导电材料制成。制造过程涉及蚀刻孔、沉积导电材料以及绝缘和电镀等后续步骤。TSV的尺寸范围从小于10微米到数百微米。

类型

TSV根据其连接类型可分为两类：

*通孔（Through-siliconVia）：贯穿整个硅衬底，从正面连接到背面。

*盲孔（BlindVia）：仅穿透硅衬底的顶部或底部。

研究进展

TSV技术的研究重点在于提高互连性能、可靠性和工艺兼容性。近年来，取得了重大进展：

互连性能

*电阻降低：采用低电阻材料和优化孔几何形状，降低了TSV电阻。

*带宽提高：高频设计和蚀刻工艺改进，提高了TSV的带宽。

可靠性

*热应力管理：通过热处理和减压缓冲层，减轻TSV热应力，提高可靠性。

*电迁移抑制：优化铜电镀工艺和采用阻挡层，抑制电迁移，延长TSV寿命。

工艺兼容性

*低温工艺：开发低温TSV工艺，与标准CMOS工艺兼容，避免了高温退火对器件的影响。

*高吞吐量：优化TSV蚀刻、电镀和计量技术，提高制造吞吐量，降低生产成本。

应用

TSV技术正在广泛应用于各种领域：

*多芯片模块（MCM）：通过TSV连接多个硅芯片，实现紧凑型和高性能的系统集成。

*异构集成：将不同工艺技术的芯片堆叠在一起，实现功能多元化和性能增强。

*存储器堆叠：采用TSV连接多层存储器芯片，显著提高存储密度和带宽。

*传感器集成：将传感器芯片直接集成到硅片中，实现嵌入式系统和物联网应用。

挑战和未来展望

TSV技术仍面临一些挑战，包括：

*成本：TSV制造成本较高，需要降低成本才能实现广泛应用。

*尺寸：减小TSV尺寸以提高互连密度是持续的研究方向。

*可靠性：确保长期的TSV可靠性对于关键应用至关重要。

未来，TSV技术的研究将集中在：

*先进材料：探索新型导电材料和绝缘层，进一步提高互连性能和可靠性。

*新型工艺：开发创新工艺技术，如激光蚀刻和自组装，提高制造效率和精度。

*系统设计：探索TSV在复杂电子系统中的最佳利用方式，优化性能和成本。

随着TSV技术的研究不断深入，预计将在未来几年继续推动3D集成的发展，为电子产业带来革命性的变革。第四部分玻璃中介层(GIM)技术的特点及优势关键词关键要点玻璃中介层（GIM）技术的特点

1.低介电常数和低损耗因子：GIM的介电常数低，损耗因子小，有利于减少信号传播过程中的损耗和时延。

2.高化学稳定性和耐热性：GIM在高温和潮湿环境下具有良好的化学稳定性和耐热性，可以确保互连的可靠性。

3.可定制性强：GIM的成分和厚度可根据不同的应用需求进行定制，以满足不同器件的电气和机械性能要求。

玻璃中介层（GIM）技术的优势

1.卓越的电气性能：GIM的低介电常数和低损耗因子使其在高频和宽带应用中具有出色的电气性能。

2.高可靠性和耐用性：GIM的高化学稳定性和耐热性使其能够在恶劣环境中可靠运行，延长使用寿命。

3.成本效益：GIM是一种相对经济的3D互连技术，可以降低大规模生产的成本。玻璃中介层（GIM）技术的特点及优势

定义

玻璃中介层（GlassInterposerModule，GIM）是一种3D互连技术，利用玻璃基板作为封装结构中的中介层，实现不同die或芯片之间的电气连接。

特点

*低介电常数和损耗：玻璃具有低介电常数（约4.0）和低介电损耗，这对于高速信号传输至关重要。

*优异的热性能：玻璃具有高导热性（约1.2W/m·K），有利于散热，提高系统可靠性。

*高尺寸稳定性：玻璃具有出色的尺寸稳定性，即使在高温下也能保持其尺寸精度。

*化学惰性：玻璃对大多数化学物质具有惰性，这使得GIM封装结构具有较高的抵抗腐蚀能力。

*光学透明性：某些类型的玻璃为光学透明，允许光信号通过GIM层，实现光电共封装。

优势

*高密度互连：GIM允许在3D空间内制造高密度互连，通过减少封装面积和走线长度来提高信号完整性。

*提高性能：低介电常数和损耗可以减少信号延迟和损耗，从而提高系统性能。

*缩小尺寸：GIM的3D互连特性可以显著缩小封装尺寸，有利于小型化电子设备的发展。

*增强散热：GIM的高导热性可以有效地散热，降低芯片温度，延长使用寿命。

*降低成本：与传统PCB封装相比，GIM可以减少走线层数，从而降低制造成本。

*提高可靠性：GIM的尺寸稳定性和化学惰性可以提高封装结构的可靠性。

*光电共封装：光学透明的GIM可以实现光电共封装，集成光学和电气功能，从而缩小尺寸并提高系统性能。

应用

GIM技术已广泛应用于各种高性能电子设备中，包括：

*超级计算机

*人工智能（AI）加速器

*高性能计算（HPC）系统

*射频（RF）和微波系统

*光学通信设备

发展趋势

GIM技术的未来发展趋势包括：

*多层GIM：叠加多个GIM层以实现更高的互连密度和更小的封装尺寸。

*异质集成：将不同工艺节点的die或芯片集成到单个GIM封装中，实现先进的功能和高性能。

*先进的封装材料：探索新的封装材料，如低损耗玻璃和陶瓷，以进一步提高互连性能。

*光学GIM：开发光学透明的GIM，实现光电共封装并缩小封装尺寸。第五部分异构集成技术的3D互连途径关键词关键要点一、硅通孔（TSV）

1.TSV是一种垂直贯穿晶圆的互连技术，在上下芯片或芯层之间形成电气通路。

2.TSV可以实现高密度互连和低延迟传输，是实现3D集成不可或缺的关键技术。

3.TSV的制作工艺复杂，对材料和设备要求高，成本较高，但随着工艺改进和技术的进步，成本也在不断下降。

二、凸点键合（BCB）

异构集成技术的3D互连途径

异构集成是将各种组件和技术集成到单个系统中的过程，这些组件和技术具有不同的功能和特性，包括不同的材料、制造流程和封装技术。3D互连是实现异构集成的关键技术，因为它允许不同组件之间的垂直和水平连接。

有几种3D互连途径可用于异构集成，包括：

1.通孔硅(TSV)

TSV是蚀刻在硅衬底中的一种垂直互连，允许在硅片内不同层之间进行电气连接。TSV通常与铜或钨等导电材料填充，并通过电镀工艺形成。TSV的典型直径范围为5-50微米，纵横比(高度/直径)随着缩放而不断增加。

优点：

*允许高密度垂直互连

*低电阻，高带宽

*适用于宽范围的材料和设备

缺点：

*制造复杂且昂贵

*可能存在热应力和可靠性问题

2.倒装芯片(FC)

FC是一种异构互连技术，其中一个芯片的主动面朝下放置在另一个芯片上，形成面到面的连接。FC通常使用焊料球或导电胶进行互连。

优点：

*减少封装尺寸和寄生效应

*改善热性能

*适用于高密度互连

缺点：

*对芯片对齐和焊料可靠性有严格要求

*重新加工和维修困难

3.三维集成电路(3DIC)

3DIC是一种异构集成技术，将多个硅片堆叠在一起，通过TSV或其他互连技术进行连接。3DIC可实现极高的集成度和功能密度。

优点：

*允许极高密度集成

*减少封装尺寸和互连长度

*改善系统性能和功耗

缺点：

*制造复杂且成本高

*热管理可能是一个挑战

*可测试性和可维修性有限

4.嵌入式芯片互连桥接器(ECIB)

ECIB是一种高密度异构互连技术，使用嵌入在柔性基板中的铜线将芯片连接起来。ECIB可以提供高带宽、低延迟和低功耗的互连。

优点：

*高密度和灵活性

*低功耗和热效应

*适用于异构材料和组件

缺点：

*制造复杂且需要特殊设备

*耐用性和可靠性可能是一个问题

5.硅光子互连

硅光子互连使用硅波导导光，以实现芯片之间的低损耗、高带宽互连。硅光子互连可用于实现高速数据传输、光学计算和光学传感器。

优点：

*低损耗和高带宽

*低功耗和低EMI

*可与CMOS工艺兼容

缺点：

*制造复杂且需要专门的设备

*光纤连接和对齐可能具有挑战性

选择互连途径的考虑因素

选择合适的3D互连途径取决于具体应用的要求，包括：

*集成度和功能密度

*带宽和延迟要求

*功耗和热约束

*制造成本和复杂性

*可靠性和可维修性

通过仔细考虑这些因素，工程师可以优化异构集成设计的性能、成本和可靠性。第六部分3D互连对封装尺寸和性能的影响关键词关键要点3D互连对封装尺寸的缩小

1.采用3D互连技术，芯片可以垂直堆叠，从而减少横向面积，实现封装尺寸的缩小。

2.通过使用高密度互连器件和先进的封装材料，可以实现更紧密的芯片堆叠，进一步减小封装体积。

3.3D互连技术还可以将不同功能的芯片集成在同一封装中，减少了封装数量，从而缩小了整体尺寸。

3D互连对封装性能的提升

1.3D互连通过缩短芯片之间的互连长度和减少电阻电容效应，提高了信号传输速度和降低了功耗。

2.通过采用低损耗的高频互连材料，3D互连可以支持高速数据传输，满足先进计算和通信应用的需求。

3.3D互连还可以实现高可靠性，因为它消除了传统封装中的焊点和引线键合，从而减少了故障点。3D互连对封装尺寸和性能的影响

3D互连技术通过在垂直维度上堆叠芯片和互连层，可以显著缩小封装尺寸并提高系统性能。

尺寸缩小

*消除长距离互连：传统封装需要使用长距离的印刷电路板(PCB)走线来连接芯片，这会增加尺寸和电气损耗。3D互连技术通过垂直堆叠芯片，将芯片之间的互连距离缩短至几百微米，从而减少了封装尺寸。

*垂直堆叠：3D互连允许芯片在垂直方向上堆叠，而不是传统的平面排列。这种配置可以显著减少芯片之间的空间，从而进一步缩小封装尺寸。

*减少散热片：垂直堆叠的芯片可以提高散热效率，从而减少对大型散热片的需要。这也有助于减小封装尺寸。

性能提升

*提高带宽：3D互连提供的高密度互连可以实现更高的带宽，从而减少数据传输延迟并提高系统性能。通过在垂直方向上堆叠芯片，可以创建更多的互连路径，从而增加数据传输能力。

*降低延迟：随着芯片之间的距离缩短，信号传输延迟也显著降低。3D互连技术可以将延迟降低几个数量级，从而提高系统响应速度。

*功率效率：更短的互连距离和更高的带宽可以降低电容和电阻，从而提高功率效率。减少信号传输损耗可以提高系统的整体能效。

*可扩展性：3D互连技术允许在未来添加更多的芯片层，从而提高可扩展性和升级能力。这对于需要随着时间推移增加计算能力或功能的系统非常有用。

实验数据

多项研究证实了3D互连技术对封装尺寸和性能的积极影响：

*在英特尔的研究中，使用3D互连将封装面积减少了80%，同时将互连密度提高了10倍。

*在IBM的研究中，3D互连将一个多芯片模块的尺寸减少了50%，同时将带宽提高了2倍。

*在台积电的研究中，3D互连技术将处理器芯片的延迟降低了33%，同时将功耗降低了20%。

结论

3D互连技术通过垂直堆叠芯片和互连层，对封装尺寸和性能产生了革命性的影响。它可以显著缩小封装尺寸，同时提高带宽、降低延迟、提高功率效率和提供可扩展性。随着3D互连技术持续发展，它有望在各种电子设备中发挥越来越重要的作用，从移动设备到高性能计算系统。第七部分3D互连技术面临的挑战与未来发展关键词关键要点主题名称：材料与工艺挑战

1.构建具有高导电性、低电阻率和出色热稳定性的新型互连材料，以满足高带宽和低功耗需求。

2.开发先进的制造工艺，如印刷技术和基于气相沉积的成膜技术，实现高精度、低缺陷和高良率的互连制作。

3.解决不同材料之间的界面兼容性和热失配问题，确保互连的可靠性和耐久性。

主题名称：设计与仿真优化

3D互连技术面临的挑战

1.制造工艺复杂性

*多层金属化和通孔对齐要求高精度制造工艺。

*异构材料集成带来热膨胀失配和应力问题。

2.热管理

*3D互连中的高集成度增加发热量，需要有效的热管理机制。

*多层结构阻碍散热，易产生局部热积累。

3.测试和可靠性

*多层互连的测试和故障定位难度大。

*电迁移、金属疲劳和应力诱发孔洞等可靠性问题。

4.成本和良率

*复杂制造工艺和高精度要求增加成本。

*良率低影响经济效益。

未来发展

1.异构集成

*集成硅互连、有机互连和光互连等异构技术，提高性能和降低成本。

*探索新型材料和结构，实现高密度异构互连。

2.先进封裝技术

*采用扇出晶圆级封装（FOWLP）、硅穿孔（TSV）和晶圆级球栅阵列（WLCSP）等先进封装技术，提高互连密度和信号完整性。

*开发新颖的散热机制，解决热管理问题。

3.新型互连材料

*探索石墨烯、碳纳米管、聚合物等新型材料，用于3D互连，提高导电性、热导率和机械稳定性。

*研究金属-介电质-金属（MDM）电容和电感材料，实现低损耗和高性能互连。

4.先进工艺

*利用微细悬浮成像术、自组装和选择性电镀等先进工艺，精确制造多层互连结构。

*探索原子层沉积（ALD）和分子束外延（MBE）等技术，实现纳米级互连。

5.设计和仿真工具

*开发先进的设计和仿真工具，优化3D互连结构和预测其性能。

*利用人工智能和机器学习提高设计效率和互连优化。

6.标准化和测试方法

*制定3D互连技术的标准化规范，促进产业发展。

*开发高效可靠的测试方法，确保互连质量和可靠性。

展望未来，3D互连技术将通过突破制造、可靠性、成本和异构集成方面的挑战，继续赋能高性能计算、人工智能、物联网和移动设备等各种应用。第八部分3D互连技术在先进封装中的应用前景关键词关键要点垂直互连

1.通过硅通孔（TSV）或铜柱实现不同封装层之间的垂直连接，提高信号传输速度和密度。

2.减小封装尺寸和厚度，满足移动设备和高性能计算应用的紧凑空间要求。

3.提供低延迟和低功耗的信号路径，提升系统整体性能。

水平互连

1.利用微凸块（MicroBump）或铜柱连接芯片间和基板上的导线，实现横向信号传输。

2.提高互连密度，缩短信号路径，减少电气损耗。

3.适用于高引脚数芯片的封装，满足高带宽和高速数据传输需求。

异构集成

1.将不同类型和工艺的芯片集成在一个封装中，实现系统功能的多样化和复杂化。

2.满足不同应用场景的定制化需求，降低系统成本和功耗。

3.加速新技术和架构的开发，推动产业创新。

集成无源器件

1.将电阻、电容和电感等无源器件集成在封装基板上，节省空间并缩短信号路径。

2.提高系统可靠性和稳定性，减少寄生参数的影响。

3.适用于射频、微波和传感器等需要高精度和低噪声的应用。

先进封装工艺

1.采用先进的光刻、蚀刻和电镀技术，实现更精细的互连结构和更高的精度。

2.探索和开发新型材料，提高互连的导电性、绝缘性和热稳定性。

3.整合多尺度和多层互连技术，实现高性能和低成本的封装解决方案。

创新封装结构

1.探索三维堆叠、模内成型和柔性封装等创新封装结构，突破传统封装的限制。

2.减轻重量和厚度，适用于可穿戴设备和物联网传感器。

3.提高系统散热和抗冲击能力，增强封装的可靠性和耐用性。3D互连技术在先进封装中的应用前景

引言

随着电子设备