下载本文档
版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领
文档简介
PAGE共5页第2页学号姓名学号姓名密封线一、选择题（答案可能不唯一）（10分）1.在一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻（SheetResistance）最大的是()A.扩散电阻B.阱电阻 C.多晶硅电阻D.铝层连线电阻2.下列关于Latchup效应说法不正确的是（）A.衬底耦合噪声是造成Latchup问题的原因之一。B.Latchup效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。C.Latchup效应与两个寄生三极管的放大系数有关。D.Latchup效应与阱和衬底的掺杂浓度无关。3.耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A．大于零 B．等于零 C．大于0.7V D．小于零4.在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A．第一层多晶硅的面积B.第二层多晶硅的面积C.二层多晶硅重叠后的面积5.下列关于DRC文件说明正确的是（）ADRC文件中定义了各个层之间的逻辑操作，关系操作等。BDRC的工作原理是统一的，因此一个DRC文件可以用于各种不同的DRC工具。CDRC文件是使用来指导工具对版图进行设计规则检查的脚本文件。二、名词解释：摩尔定律MOS工艺的特征尺寸(10分)三、画出MOSFET的基本结构，写出MOSFET的基本电流方程，为什么说MOSFET是平方率器件？(10分)四、简述MOSFET沟道长度调制效应，在电路设计中如何减小这一效应。(15分)五、计算只用第四层金属构成的焊盘对地电容及使用第四层金属和第三层金属的焊盘对地的电容。假设焊盘尺寸为75um×75um,所用的电容参数如下图所示。（10分）六、试述方块电容、方块电阻的概念；假设在版图设计中，采用多晶硅做电阻，版图尺寸是3微米乘6微米，如何连接能得到两种不同阻值的电阻，且两电阻间的差别是多少？（15分）七、证明下图所示的E/ENMOS放大器的电压增益的表达式为：，其中（W/L）1和（W/L）2分别表示M1和M2的宽长比。（10分）八、1)画出CMOS反相器的电路结构（包括衬底和N-Well端）。2)要使CMOS反相器有相同的上升、下降时间，NMOS和PMOS的尺寸要满足什么要求（假设它们的阈值电压绝对值相等）？3)写出电路的SPICE语言描述（栅长取1微米，栅宽取大于1微米合适参数
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
评论
0/150
提交评论